公开(公告)号：US07830019B2

公开(公告)日：2010-11-09

申请号：US12431289

申请日：2009-04-28

申请人： Kaushik Chanda ,  Lawrence A. Clevenger ,  Andrew P. Cowley ,  Jason P. Gill ,  Baozhen Li ,  Chih-Chao Yang

发明人： Kaushik Chanda ,  Lawrence A. Clevenger ,  Andrew P. Cowley ,  Jason P. Gill ,  Baozhen Li ,  Chih-Chao Yang

IPC分类号： H01L23/04

CPC分类号： H01L21/76865 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76886

摘要： A method of fabricating a device includes depositing a electromigration (EM) resistive material in an etched trench formed in a substrate and a wiring layer. The EM resistive material is formed in electrical contact with an underlying diffusion barrier layer and wiring layer. The method further includes forming a via structure in electrical contact with the EM resistive material and the wiring layer. The method results in a structure which prevents an open circuit.

摘要翻译： 制造器件的方法包括在形成在衬底和布线层中的蚀刻沟槽中沉积电迁移（EM）电阻材料。 EM电阻材料形成为与下面的扩散阻挡层和布线层电接触。 该方法还包括形成与EM电阻材料和布线层电接触的通孔结构。 该方法产生防止开路的结构。

公开(公告)号：US20090200673A1

公开(公告)日：2009-08-13

申请号：US12431289

申请日：2009-04-28

申请人： Kaushik Chanda ,  Lawrence A. Clevenger ,  Andrew P. Cowley ,  Jason P. Gill ,  Baozhen Li ,  Chih-Chao Yang

发明人： Kaushik Chanda ,  Lawrence A. Clevenger ,  Andrew P. Cowley ,  Jason P. Gill ,  Baozhen Li ,  Chih-Chao Yang

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76865 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76886

摘要： A method of fabricating a device includes depositing a electromigration (EM) resistive material in an etched trench formed in a substrate and a wiring layer. The EM resistive material is formed in electrical contact with an underlying diffusion barrier layer and wiring layer. The method further includes forming a via structure in electrical contact with the EM resistive material and the wiring layer. The method results in a structure which prevents an open circuit.

摘要翻译： 制造器件的方法包括在形成在衬底和布线层中的蚀刻沟槽中沉积电迁移（EM）电阻材料。 EM电阻材料形成为与下面的扩散阻挡层和布线层电接触。 该方法还包括形成与EM电阻材料和布线层电接触的通孔结构。 该方法产生防止开路的结构。

公开(公告)号：US07397260B2

公开(公告)日：2008-07-08

申请号：US11163948

申请日：2005-11-04

申请人： Kaushik Chanda ,  Birendra Agarwala ,  Lawrence A. Clevenger ,  Andrew P. Cowley ,  Ronald G. Filippi ,  Jason P. Gill ,  Tom C. Lee ,  Baozhen Li ,  Paul S. McLaughlin ,  Du B. Nguyen ,  Hazara S. Rathore ,  Timothy D. Sullivan ,  Chih-Chao Yang

发明人： Kaushik Chanda ,  Birendra Agarwala ,  Lawrence A. Clevenger ,  Andrew P. Cowley ,  Ronald G. Filippi ,  Jason P. Gill ,  Tom C. Lee ,  Baozhen Li ,  Paul S. McLaughlin ,  Du B. Nguyen ,  Hazara S. Rathore ,  Timothy D. Sullivan ,  Chih-Chao Yang

IPC分类号： G01R31/02 ,  H01L23/58 ,  G01N25/20

CPC分类号： G01R31/2858 ,  H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A microelectronic element such as a chip or microelectronic wiring substrate is provided which includes a plurality of conductive interconnects for improved resistance to thermal stress. At least some of the conductive interconnects include a metallic plate, a metallic connecting line and an upper metallic via. The metallic connecting line has an upper surface at least substantially level with an upper surface of the metallic plate, an inner end connected to the metallic plate at one of the peripheral edges, and an outer end horizontally displaced from the one peripheral edge. The metallic connecting line has a width much smaller than the width of the one peripheral edge of the metallic plate and has length greater than the width of the one peripheral edge. The upper metallic via has a bottom end in contact with the metallic connecting line at a location that is horizontally displaced from the one peripheral edge by at least about 3 microns (μm).

摘要翻译： 提供了诸如芯片或微电子布线基板的微电子元件，其包括用于改善耐热应力的多个导电互连。 至少一些导电互连件包括金属板，金属连接线和上金属通孔。 所述金属连接线具有与所述金属板的上表面至少基本平齐的上表面，在所述周边边缘中的一个处连接到所述金属板的内端和从所述一个周边边缘水平移位的外端。 金属连接线的宽度远小于金属板的一个周边边缘的宽度，并且其长度大于一个周边边缘的宽度。 上金属通孔在与一个外围边缘水平位移至少约3微米（mum）的位置处具有与金属连接线接触的底端。

公开(公告)号：US07749778B2

公开(公告)日：2010-07-06

申请号：US11619307

申请日：2007-01-03

申请人： Kaushik Chanda ,  Lawrence Clevenger ,  Timothy J. Dalton ,  Louis L. C. Hsu ,  Chih-Chao Yang

发明人： Kaushik Chanda ,  Lawrence Clevenger ,  Timothy J. Dalton ,  Louis L. C. Hsu ,  Chih-Chao Yang

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： G01R31/2858 ,  H01L22/14 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/927 ,  H01L2924/00

摘要： A method of monitoring and testing electro-migration and time dependent dielectric breakdown includes forming an addressable wiring test array, which includes a plurality or horizontally disposed metal wiring and a plurality of segmented, vertically disposed probing wiring, performing a single row continuity/resistance check to determine which row of said metal wiring is open, performing a full serpentine continuity/resistance check, and determining a position of short defects.

摘要翻译： 一种监测和测试电迁移和时间依赖介电击穿的方法包括形成可寻址布线测试阵列，其包括多个或水平布置的金属布线和多个分段垂直布置的探测布线，执行单行连续性/电阻检查 以确定所述金属布线的哪一行是打开的，执行完全蛇形连续性/电阻检查，以及确定短缺陷的位置。

公开(公告)号：US20080160656A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：US11619307

申请日：2007-01-03

申请人： Kaushik Chanda ,  Lawrence Clevenger ,  Timothy J. Dalton ,  Louis L. C. Hsu ,  Chih-Chao Yang

发明人： Kaushik Chanda ,  Lawrence Clevenger ,  Timothy J. Dalton ,  Louis L. C. Hsu ,  Chih-Chao Yang

IPC分类号： H01L21/66 ,  G01R31/26

CPC分类号： G01R31/2858 ,  H01L22/14 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/927 ,  H01L2924/00

摘要： A method of monitoring and testing electro-migration and time dependent dielectric breakdown includes forming an addressable wiring test array, which includes a plurality or horizontally disposed metal wiring and a plurality of segmented, vertically disposed probing wiring, performing a single row continuity/resistance check to determine which row of said metal wiring is open, performing a full serpentine continuity/resistance check, and determining a position of short defects.

摘要翻译： 一种监测和测试电迁移和时间依赖介电击穿的方法包括形成可寻址布线测试阵列，其包括多个或水平布置的金属布线和多个分段垂直布置的探测布线，执行单行连续性/电阻检查 以确定所述金属布线的哪一行是打开的，执行完全蛇形连续性/电阻检查，以及确定短缺陷的位置。

公开(公告)号：US20070063348A1

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：US11162666

申请日：2005-09-19

申请人： Chih-Chao Yang ,  Kaushik Chanda ,  Lawrence Clevenger ,  Yun-Yu Wang ,  Daewon Yang

发明人： Chih-Chao Yang ,  Kaushik Chanda ,  Lawrence Clevenger ,  Yun-Yu Wang ,  Daewon Yang

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An interconnect structure and method of making the same are provided. The interconnect structure includes a dielectric layer having a patterned opening, a metal feature disposed in the patterned opening, and a dielectric cap overlying the metal feature. The dielectric cap has an internal tensile stress, the stress helping to avoid electromigration from occurring in a direction away from the metal line, especially when the metal line has tensile stress.

摘要翻译： 提供了互连结构及其制造方法。 互连结构包括具有图案化开口的电介质层，设置在图案化开口中的金属特征以及覆盖金属特征的电介质盖。 电介质盖具有内部拉伸应力，该应力有助于避免在远离金属线的方向上发生电迁移，特别是当金属线具有拉伸应力时。

公开(公告)号：US08563419B2

公开(公告)日：2013-10-22

申请号：US13418659

申请日：2012-03-13

申请人： Chih-Chao Yang ,  Kaushik Chanda ,  Daniel C. Edelstein

发明人： Chih-Chao Yang ,  Kaushik Chanda ,  Daniel C. Edelstein

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L23/5329 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacturing the IC is provided, and more particularly, a method of fabricating a cap for back end of line (BEOL) interconnects that substantially eliminates electro-migration (EM) damage. The method includes forming an interconnect in an insulation material, and selectively depositing a metal cap material on the interconnect. The metal cap material includes RuX, where X is at least one of Boron and Phosphorous.

摘要翻译： 提供了一种制造IC的方法，更具体地说，涉及一种基本上消除电迁移（EM）损伤的制造用于后端（BEOL）互连的帽的方法。 该方法包括在绝缘材料中形成互连，并且在互连上选择性地沉积金属帽材料。 金属帽材料包括RuX，其中X是硼和磷中的至少一种。

公开(公告)号：US20110108990A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12613551

申请日：2009-11-06

申请人： Griselda Bonilla ,  Kaushik Chanda ,  Ronald G. Filippi ,  Stephan Grunow ,  David L. Rath ,  Sujatha Sankaran ,  Andrew H. Simon ,  Theodorus E. Standaert ,  Chih-Chao Yang

发明人： Griselda Bonilla ,  Kaushik Chanda ,  Ronald G. Filippi ,  Stephan Grunow ,  David L. Rath ,  Sujatha Sankaran ,  Andrew H. Simon ,  Theodorus E. Standaert ,  Chih-Chao Yang

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76865 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for capping lines includes forming a metal film layer on a copper line by a selective deposition process, the copper line disposed in a dielectric substrate, wherein the depositing also results in the deposition of stray metal material on the surface of the dielectric substrate, and etching with an isotropic etching process to remove a portion of the metal film layer and the stray metal material on the surface of the dielectric substrate, wherein the metal film layer is deposited at an initial thickness sufficient to leave a metal film layer cap remaining on the copper line following the removal of the stray metal material.

摘要翻译： 一种封盖线的方法包括通过选择性沉积工艺在铜线上形成金属膜层，铜线设置在电介质基底中，其中沉积还导致杂散金属材料沉积在介质基片的表面上， 并用各向同性蚀刻工艺进行蚀刻以除去电介质基底表面上的金属膜层和杂散金属材料的一部分，其中金属膜层以足以使金属膜层盖保持在其上的初始厚度沉积 铜线除去杂散金属材料。

公开(公告)号：US07563704B2

公开(公告)日：2009-07-21

申请号：US11162666

申请日：2005-09-19

申请人： Chih-Chao Yang ,  Kaushik Chanda ,  Lawrence A. Clevenger ,  Yun-Yu Wang ,  Daewon Yang

发明人： Chih-Chao Yang ,  Kaushik Chanda ,  Lawrence A. Clevenger ,  Yun-Yu Wang ,  Daewon Yang

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An interconnect structure and method of making the same are provided. The interconnect structure includes a dielectric layer having a patterned opening, a metal feature disposed in the patterned opening, and a dielectric cap overlying the metal feature. The dielectric cap has an internal tensile stress, the stress helping to avoid electromigration from occurring in a direction away from the metal line, especially when the metal line has tensile stress.

摘要翻译： 提供了互连结构及其制造方法。 互连结构包括具有图案化开口的电介质层，设置在图案化开口中的金属特征以及覆盖金属特征的电介质盖。 电介质盖具有内部拉伸应力，该应力有助于避免在远离金属线的方向上发生电迁移，特别是当金属线具有拉伸应力时。

公开(公告)号：US07479869B2

公开(公告)日：2009-01-20

申请号：US11869218

申请日：2007-10-09

申请人： Chih-Chao Yang ,  Kaushik Chanda ,  Shyng-Tsong Chen

发明人： Chih-Chao Yang ,  Kaushik Chanda ,  Shyng-Tsong Chen

IPC分类号： H01C1/012

CPC分类号： H01L29/86 ,  H01L23/5228 ,  H01L2924/0002 ,  H04W36/08 ,  H04W88/08 ,  H04W88/18 ,  H01L2924/00

摘要： A metal resistor and resistor material are disclosed. The metal resistor may include an infused metal selected from the group consisting of: copper (Cu) infused with at least one of silicon (Si), nitrogen (N2), carbon (C), tantalum (Ta), titanium (Ti) and tungsten (W), and aluminum infused with at least one of silicon (Si), nitrogen (N2), carbon (C), tantalum (Ta), titanium (Ti) and tungsten (W). The resistor material may include one of: copper (Cu) infused with at least one of silicon (Si), nitrogen (2), carbon (C), tantalum (Ta), titanium (Ti) and tungsten (W), and aluminum infused with at least one of silicon (Si), nitrogen (N2), carbon (C), tantalum (Ta), titanium (Ti) and tungsten (W).

摘要翻译： 公开了一种金属电阻器和电阻器材料。 金属电阻器可以包括从由以下组成的组中输入的输入金属：铜（Cu），其输入硅（Si），氮（N 2），碳（C），钽（Ta），钛（Ti）和 钨（W）和铝（Si），氮（N 2），碳（C），钽（Ta），钛（Ti）和钨（W））中的至少一种的铝。 电阻材料可以包括以下之一：用硅（Si），氮（2），碳（C），钽（Ta），钛（Ti）和钨（W）中的至少一种注入的铜（Cu） 注入硅（Si），氮（N2），碳（C），钽（Ta），钛（Ti）和钨（W））中的至少一种。