公开(公告)号：US08248836B2

公开(公告)日：2012-08-21

申请号：US12501751

申请日：2009-07-13

申请人： Insik Jin ,  YoungPil Kim ,  Ming Sun ,  Chulmin Jung ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Nurul Amin ,  Wei Tian ,  Yong Lu

发明人： Insik Jin ,  YoungPil Kim ,  Ming Sun ,  Chulmin Jung ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Nurul Amin ,  Wei Tian ,  Yong Lu

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/14 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/76

摘要： A non-volatile memory cell and method of use thereof. In some embodiments, an individually programmable resistive sense memory (RSM) element is connected in series with a programmable metallization cell (PMC) switching element. In operation, while the switching element is programmed to a first resistive state, no current passes through the RSM element and while a second resistive state is programmed to the RSM element, current passes through the RSM element.

摘要翻译： 一种非易失性存储单元及其使用方法。 在一些实施例中，独立可编程电阻感测存储器（RSM）元件与可编程金属化单元（PMC）开关元件串联连接。 在操作中，当开关元件被编程为第一电阻状态时，没有电流通过RSM元件，并且当第二电阻状态被编程到RSM元件时，电流通过RSM元件。

公开(公告)号：US20110007545A1

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：US12501751

申请日：2009-07-13

申请人： Insik Jin ,  YoungPil Kim ,  Ming Sun ,  Chulmin Jung ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Nurul Amin ,  Wei Tian ,  Yong Lu

发明人： Insik Jin ,  YoungPil Kim ,  Ming Sun ,  Chulmin Jung ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Nurul Amin ,  Wei Tian ,  Yong Lu

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/14 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/76

摘要： A non-volatile memory cell and method of use thereof. In some embodiments, an individually programmable resistive sense memory (RSM) element is connected in series with a programmable metallization cell (PMC) switching element. In operation, while the switching element is programmed to a first resistive state, no current passes through the RSM element and while a second resistive state is programmed to the RSM element, current passes through the RSM element.

摘要翻译： 一种非易失性存储单元及其使用方法。 在一些实施例中，独立可编程电阻感测存储器（RSM）元件与可编程金属化单元（PMC）开关元件串联连接。 在操作中，当开关元件被编程为第一电阻状态时，没有电流通过RSM元件，并且当第二电阻状态被编程到RSM元件时，电流通过RSM元件。

公开(公告)号：US20100193761A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：US12362640

申请日：2009-01-30

申请人： Nurul Amin ,  Insik Jin ,  Wei Tian ,  Andrew James Wirebaugh ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Ming Sun

发明人： Nurul Amin ,  Insik Jin ,  Wei Tian ,  Andrew James Wirebaugh ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Ming Sun

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L45/16 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/14

摘要： Programmable metallization memory cells having an active electrode, an opposing inert electrode and a variable resistive element separating the active electrode from the inert electrode. The variable resistive element includes a plurality of alternating solid electrolyte layers and electrically conductive layers. The electrically conductive layers electrically couple the active electrode to the inert electrode in a programmable metallization memory cell. Methods to form the same are also disclosed.

摘要翻译： 可编程金属化存储单元具有有源电极，相对的惰性电极和将活性电极与惰性电极分开的可变电阻元件。 可变电阻元件包括多个交替的固体电解质层和导电层。 导电层在可编程金属化存储单元中将有源电极电耦合到惰性电极。 也公开了形成它们的方法。

公开(公告)号：US08487291B2

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：US12362640

申请日：2009-01-30

申请人： Nurul Amin ,  Insik Jin ,  Wei Tian ,  Andrew James Wirebaugh ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Ming Sun

发明人： Nurul Amin ,  Insik Jin ,  Wei Tian ,  Andrew James Wirebaugh ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Ming Sun

IPC分类号： H01L47/00 ,  G11C11/00

CPC分类号： H01L45/16 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/14

摘要： Programmable metallization memory cells having an active electrode, an opposing inert electrode and a variable resistive element separating the active electrode from the inert electrode. The variable resistive element includes a plurality of alternating solid electrolyte layers and electrically conductive layers. The electrically conductive layers electrically couple the active electrode to the inert electrode in a programmable metallization memory cell. Methods to form the same are also disclosed.

摘要翻译： 可编程金属化存储单元具有有源电极，相对的惰性电极和将活性电极与惰性电极分开的可变电阻元件。 可变电阻元件包括多个交替的固体电解质层和导电层。 导电层在可编程金属化存储单元中将有源电极电耦合到惰性电极。 也公开了形成它们的方法。

公开(公告)号：US20110122678A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：US13014917

申请日：2011-01-27

申请人： Nurul Amin ,  Insik Jin ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Wei Tian ,  YoungPil Kim

发明人： Nurul Amin ,  Insik Jin ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Wei Tian ,  YoungPil Kim

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L29/82 ,  G11C11/14

CPC分类号： H01L27/224 ,  G11C11/1659 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  H01L27/1021

摘要： An anti-parallel diode structure and method of fabrication is presently disclosed. In some embodiments, an anti-parallel diode structure has a semiconductor region comprising a first insulator layer disposed between a first semiconductor layer and a second semiconductor layer. The semiconductor region can be bound on a first side by a first metal material and bound on a second side by a second metal material so that current below a predetermined value is prevented from passing through the semiconductor region and current above the predetermined value passes through the semiconductor region.

摘要翻译： 目前公开了一种反并联二极管结构和制造方法。 在一些实施例中，反并联二极管结构具有包括设置在第一半导体层和第二半导体层之间的第一绝缘体层的半导体区域。 半导体区域可以通过第一金属材料在第一侧上结合并且通过第二金属材料在第二侧上结合，使得防止低于预定值的电流通过半导体区域，并且超过预定值的电流通过 半导体区域。

公开(公告)号：US20110007546A1

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：US12501796

申请日：2009-07-13

申请人： Nurul Amin ,  Insik Jin ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Wei Tian ,  YoungPil Kim

发明人： Nurul Amin ,  Insik Jin ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Wei Tian ,  YoungPil Kim

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L29/872 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L27/224 ,  G11C11/1659 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  H01L27/1021

摘要： An anti-parallel diode structure and method of fabrication is presently disclosed. In some embodiments, an anti-parallel diode structure has a semiconductor region comprising a first insulator layer disposed between a first semiconductor layer and a second semiconductor layer. The semiconductor region can be bound on a first side by a first metal material and bound on a second side by a second metal material so that current below a predetermined value is prevented from passing through the semiconductor region and current above the predetermined value passes through the semiconductor region.

公开(公告)号：US20100104115A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：US12361905

申请日：2009-01-29

申请人： Jun Zheng ,  Dadi Setiadi ,  Haiwen Xi ,  Insik Jin ,  Nurul Amin

发明人： Jun Zheng ,  Dadi Setiadi ,  Haiwen Xi ,  Insik Jin ,  Nurul Amin

IPC分类号： H04R25/00 ,  H04R1/00

CPC分类号： H04R1/00

摘要： A micro magnetic device with a micro magnetic speaker unit having a first element, a second element, and a membrane therebetween. Each of the elements comprises a body, a pole of soft magnetic material, an electrically conductive coil positioned around the pole, and a permanent magnet connected to the membrane. The first element and the second element are magnetically identical. A plurality of speaker units can be combined to provide a speaker array.

摘要翻译： 具有微型磁性扬声器单元的微型磁性装置具有第一元件，第二元件和它们之间的隔膜。 每个元件包括主体，软磁材料的极，围绕极的定位的导电线圈和连接到膜的永磁体。 第一元件和第二元件是磁性相同的。 可以组合多个扬声器单元以提供扬声器阵列。

公开(公告)号：US08203865B2

公开(公告)日：2012-06-19

申请号：US13087087

申请日：2011-04-14

申请人： Wei Tian ,  Insik Jin ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Haiwen Xi ,  Michael Xuefei Tang ,  Brian Lee

发明人： Wei Tian ,  Insik Jin ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Haiwen Xi ,  Michael Xuefei Tang ,  Brian Lee

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246

摘要： A non-volatile memory cell and associated method is disclosed that includes a non-ohmic selection layer. In accordance with some embodiments, a non-volatile memory cell consists of a resistive sense element (RSE) coupled to a non-ohmic selection layer. The selection layer is configured to transition from a first resistive state to a second resistive state in response to a current greater than or equal to a predetermined threshold.

摘要翻译： 公开了一种包括非欧姆选择层的非易失性存储单元和相关联的方法。 根据一些实施例，非易失性存储器单元由耦合到非欧姆选择层的电阻感测元件（RSE）组成。 响应于大于或等于预定阈值的电流，选择层被配置为从第一电阻状态转变到第二电阻状态。

公开(公告)号：US08022547B2

公开(公告)日：2011-09-20

申请号：US12272871

申请日：2008-11-18

申请人： Venugopalan Vaithyanathan ,  Wei Tian ,  Insik Jin

发明人： Venugopalan Vaithyanathan ,  Wei Tian ,  Insik Jin

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  H01L27/10 ,  H01L29/74

CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/085 ,  H01L45/141 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1675

摘要： A non-volatile memory cell that includes a first electrode; a second electrode; and an electrical contact region that electrically connects the first electrode and the second electrode, the electrical contact region has a end portion and a continuous side portion, and together, the end portion and the continuous side portion form an open cavity, wherein the memory cell has a high resistance state and a low resistance state that can be switched by applying a voltage across the first electrode and the second electrode.

摘要翻译： 一种包括第一电极的非易失性存储单元; 第二电极; 以及电接触区域，其电连接所述第一电极和所述第二电极，所述电接触区域具有端部和连续侧部，并且所述端部和所述连续侧部一起形成开放空腔，其中所述存储单元 具有可以通过在第一电极和第二电极两端施加电压来切换的高电阻状态和低电阻状态。

公开(公告)号：US07936585B2

公开(公告)日：2011-05-03

申请号：US12502222

申请日：2009-07-13

申请人： Wei Tian ,  Insik Jin ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Haiwen Xi ,  Michael Xuefei Tang ,  Brian Lee

发明人： Wei Tian ,  Insik Jin ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Haiwen Xi ,  Michael Xuefei Tang ,  Brian Lee

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246

摘要： A non-volatile memory cell and associated method is disclosed that includes a non-ohmic selection layer. In accordance with some embodiments, a non-volatile memory cell consists of a resistive sense element (RSE) coupled to a non-ohmic selection layer. The selection layer is configured to transition from a first resistive state to a second resistive state in response to a current greater than or equal to a predetermined threshold.

摘要翻译： 公开了一种包括非欧姆选择层的非易失性存储单元和相关联的方法。 根据一些实施例，非易失性存储器单元由耦合到非欧姆选择层的电阻感测元件（RSE）组成。 响应于大于或等于预定阈值的电流，选择层被配置为从第一电阻状态转变到第二电阻状态。