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    Variable resistance non-volatile memory cells and methods of fabricating same
    23.
    发明授权
    Variable resistance non-volatile memory cells and methods of fabricating same 失效
    可变电阻非易失性存储单元及其制造方法

    公开(公告)号：US07803654B2

    公开(公告)日：2010-09-28

    申请号：US11862779

    申请日：2007-09-27

    申请人： Jin-il Lee ,  Sung-lae Cho ,  Hye-young Park ,  Byoung-Jae Bae ,  Young-Lim Park

    发明人： Jin-il Lee ,  Sung-lae Cho ,  Hye-young Park ,  Byoung-Jae Bae ,  Young-Lim Park

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L27/2409 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

    摘要： Methods of fabricating integrated circuit memory cells and integrated circuit memory cells are disclosed. Formation of an integrated circuit memory cell include forming a first electrode on a substrate. An insulation layer is formed on the substrate with an opening that exposes at least a portion of a first electrode. An amorphous variable resistivity material is formed on the first electrode and extends away from the first electrode along sidewalls of the opening. A crystalline variable resistivity material is formed in the opening on the amorphous variable resistivity material. A second electrode is formed on the crystalline variable resistivity material.

    摘要翻译： 公开了制造集成电路存储单元和集成电路存储单元的方法。 集成电路存储单元的形成包括在基板上形成第一电极。 在基板上形成具有露出第一电极的至少一部分的开口的绝缘层。 非晶可变电阻率材料形成在第一电极上，并沿着开口的侧壁远离第一电极延伸。 在非晶可变电阻率材料的开口中形成结晶可变电阻率材料。 在结晶可变电阻率材料上形成第二电极。

    METHODS OF FORMING CONTACT STRUCTURES AND SEMICONDUCTOR DEVICES FABRICATED USING CONTACT STRUCTURES
    24.
    发明申请
    METHODS OF FORMING CONTACT STRUCTURES AND SEMICONDUCTOR DEVICES FABRICATED USING CONTACT STRUCTURES 有权
    形成接触结构的方法和使用接触结构织造的半导体器件

    公开(公告)号：US20100144138A1

    公开(公告)日：2010-06-10

    申请号：US12627810

    申请日：2009-11-30

    申请人： Young-Lim Park ,  Hyeong-Geun An ,  Gyu-Hwan Oh ,  Dong-Ho Ahn ,  Jin-Il Lee

    发明人： Young-Lim Park ,  Hyeong-Geun An ,  Gyu-Hwan Oh ,  Dong-Ho Ahn ,  Jin-Il Lee

    IPC分类号： H01L21/768

    CPC分类号： H01L21/76816 ,  H01L27/24

    摘要： Provided are methods of forming contact structures and semiconductor devices fabricated using the contact structures. The formation of a contact structure can include forming a first molding pattern on a substrate, forming an insulating layer to cover at least a sidewall of the first molding pattern, forming a second molding pattern to cover a sidewall of the insulating layer and spaced apart from the first molding pattern, removing a portion of the insulating layer between the first and second molding patterns to form a hole, and forming an insulating pattern between the first and second molding patterns, and forming a contact pattern in the hole.

    摘要翻译： 提供了形成使用接触结构制造的接触结构和半导体器件的方法。 接触结构的形成可以包括在基底上形成第一模制图案，形成绝缘层以覆盖至少第一模制图案的侧壁，形成第二模制图案以覆盖绝缘层的侧壁并与 第一模制图案，去除第一和第二模制图案之间的绝缘层的一部分以形成孔，并且在第一和第二模制图案之间形成绝缘图案，并在孔中形成接触图案。

    PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
    28.
    发明申请
    PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME 审中-公开
    相变存储器件及其形成方法

    公开(公告)号：US20080272355A1

    公开(公告)日：2008-11-06

    申请号：US12110206

    申请日：2008-04-25

    申请人： Sung-Lae Cho ,  Byoung-Jae Bae ,  Jin-Il Lee ,  Hye-Young Park ,  Young-Lim Park ,  Rak-Hwan Kim

    发明人： Sung-Lae Cho ,  Byoung-Jae Bae ,  Jin-Il Lee ,  Hye-Young Park ,  Young-Lim Park ,  Rak-Hwan Kim

    IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/00

    CPC分类号： H01L45/1683 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/06 ,  H01L45/124 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144

    摘要： A memory device using a phase change material and a method for forming the same are disclosed. One embodiment of a memory device includes a first insulating layer provided on a substrate and defining an opening; a first conductor including a first portion and a second portion, the first portion provided on a bottom of the opening, the second portion being continuously provided along a sidewall of the opening; a variable resistor connected to the second portion of the first conductor and provided along the sidewall of the opening; and a second conductor provided on the variable resistor.

    摘要翻译： 公开了使用相变材料的记忆装置及其形成方法。 存储器件的一个实施例包括设置在衬底上并限定开口的第一绝缘层; 包括第一部分和第二部分的第一导体，所述第一部分设置在所述开口的底部上，所述第二部分沿着所述开口的侧壁连续设置; 连接到第一导体的第二部分并沿着开口的侧壁设置的可变电阻器; 以及设置在可变电阻器上的第二导体。

    VARIABLE RESISTANCE NON-VOLATILE MEMORY CELLS AND METHODS OF FABRICATING SAME
    29.
    发明申请
    VARIABLE RESISTANCE NON-VOLATILE MEMORY CELLS AND METHODS OF FABRICATING SAME 失效
    可变电阻非挥发性记忆细胞及其制备方法

    公开(公告)号：US20080265236A1

    公开(公告)日：2008-10-30

    申请号：US11862779

    申请日：2007-09-27

    申请人： Jin-il Lee ,  Sung-Iae Cho ,  Hye-young Park ,  Byoung-Jae Bae ,  Young-Lim Park

    发明人： Jin-il Lee ,  Sung-Iae Cho ,  Hye-young Park ,  Byoung-Jae Bae ,  Young-Lim Park

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L27/2409 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

    摘要： Methods of fabricating integrated circuit memory cells and integrated circuit memory cells are disclosed. Formation of an integrated circuit memory cell include forming a first electrode on a substrate. An insulation layer is formed on the substrate with an opening that exposes at least a portion of a first electrode. An amorphous variable resistivity material is formed on the first electrode and extends away from the first electrode along sidewalls of the opening. A crystalline variable resistivity material is formed in the opening on the amorphous variable resistivity material. A second electrode is formed on the crystalline variable resistivity material.

    摘要翻译： 公开了制造集成电路存储单元和集成电路存储单元的方法。 集成电路存储单元的形成包括在基板上形成第一电极。 在基板上形成具有露出第一电极的至少一部分的开口的绝缘层。 非晶可变电阻率材料形成在第一电极上，并沿着开口的侧壁远离第一电极延伸。 在非晶可变电阻率材料的开口中形成结晶可变电阻率材料。 在结晶可变电阻率材料上形成第二电极。