公开(公告)号：US06316793B1

公开(公告)日：2001-11-13

申请号：US09096967

申请日：1998-06-12

申请人： Scott Thomas Sheppard ,  Scott Thomas Allen ,  John Williams Palmour

发明人： Scott Thomas Sheppard ,  Scott Thomas Allen ,  John Williams Palmour

IPC分类号： H01L3300

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/452 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787

摘要： A high electron mobility transistor (HEMT) is disclosed that includes a semi-insulating silicon carbide substrate, an aluminum nitride buffer layer on the substrate, an insulating gallium nitride layer on the buffer layer, an active structure of aluminum gallium nitride on the gallium nitride layer, a passivation layer on the aluminum gallium nitride active structure, and respective source, drain and gate contacts to the aluminum gallium nitride active structure.

摘要翻译： 公开了一种高电子迁移率晶体管（HEMT），其包括半绝缘碳化硅衬底，衬底上的氮化铝缓冲层，缓冲层上的绝缘氮化镓层，氮化镓上的氮化镓铝的有源结构 层，在氮化铝镓活性结构上的钝化层，以及与氮化镓铝活性结构相应的源极，漏极和栅极接触。