公开(公告)号：US20160210260A1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：US14598199

申请日：2015-01-15

申请人： Lawrence L. Case ,  Charles E. Cannon ,  Simon J. Gallimore ,  Glen G. Wienecke

发明人： Lawrence L. Case ,  Charles E. Cannon ,  Simon J. Gallimore ,  Glen G. Wienecke

IPC分类号： G06F13/40 ,  G06F9/50

CPC分类号： G06F13/4068 ,  G06F9/5011

摘要： A resource domain controller in a data processing system stores information that is used to group various resources, such as bus masters and peripherals, into common domains. Each group can be referred to as a resource domain and can include one or more data processor and peripheral devices. The resource domain information is then used to determine whether a particular access request from a data processor is authorized to access its intended target, e.g., one of the peripheral devices, by determining whether the access request and the intended target each belong to a common resource domain. If so, the access request is allowed, otherwise the access request is prevented from being successfully completed.

摘要翻译： 数据处理系统中的资源域控制器存储用于将各种资源（例如总线主机和外围设备）分组成公共域的信息。 每个组可以被称为资源域，并且可以包括一个或多个数据处理器和外围设备。 然后，资源域信息用于确定来自数据处理器的特定访问请求是否被授权通过确定访问请求和预期目标是否属于公共资源来访问其预期目标，例如外围设备之一 域。 如果是这样，则允许访问请求，否则阻止访问请求成功完成。

公开(公告)号：US20150039916A1

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：US13956118

申请日：2013-07-31

申请人： Lawrence L. Case ,  Matthew W. Brocker ,  Mingle Sun ,  Thomas E. Tkacik

发明人： Lawrence L. Case ,  Matthew W. Brocker ,  Mingle Sun ,  Thomas E. Tkacik

IPC分类号： G06F1/26

CPC分类号： G06F1/263 ,  G06F1/32

摘要： A semiconductor device includes a processing system including a section of power domain circuitry and a section of coin cell power domain circuitry. The coin cell power domain circuitry is configured to, when power is initially provided to the coin cell power domain circuitry, using power provided by a power management circuit as feedback to determine that the power management circuit provides the power in response to a power request signal being a toggle signal, and determine that the power management circuit provides the power in response to the power request signal being a pulse signal.

摘要翻译： 半导体器件包括处理系统，该处理系统包括一部分功率域电路和一部分硬币电池功率域电路。 硬币电池功率域电路被配置为当使用由功率管理电路提供的功率作为反馈来最初向硬币电池功率域电路供电时，确定功率管理电路响应功率请求信号而提供功率 作为触发信号，并且确定功率管理电路响应于作为脉冲信号的功率请求信号而提供功率。

公开(公告)号：US20110041003A1

公开(公告)日：2011-02-17

申请号：US12718572

申请日：2010-03-05

申请人： Sudhir B. Pattar ,  Inhyok Cha ,  Andreas U. Schmidt ,  Andreas Leicher ,  Yogendra C. Shah ,  Dolores F. Howry ,  David G. Greiner ,  Lawrence L. Case ,  Michael V. Meyerstein ,  Louis J. Guccione

发明人： Sudhir B. Pattar ,  Inhyok Cha ,  Andreas U. Schmidt ,  Andreas Leicher ,  Yogendra C. Shah ,  Dolores F. Howry ,  David G. Greiner ,  Lawrence L. Case ,  Michael V. Meyerstein ,  Louis J. Guccione

IPC分类号： H04L9/32 ,  G06F21/20 ,  G06F11/07 ,  G06F11/20

CPC分类号： H04L41/0869 ,  H04L41/0654 ,  H04L41/0681 ,  H04L63/123 ,  H04L63/166 ,  H04W12/10 ,  H04W84/045

摘要： An apparatus and method for providing home evolved node-B (H(e)NB) integrity verification and validation using autonomous validation and semi-autonomous validation is disclosed herein.

摘要翻译： 本文公开了一种使用自主验证和半自主验证来提供家庭演进节点B（H（e）NB）完整性验证和验证的装置和方法。

公开(公告)号：US6087894A

公开(公告)日：2000-07-11

申请号：US32877

申请日：1998-03-02

申请人： Raymond Louis Barrett, Jr. ,  Barry W. Herold ,  Scott Humphreys ,  Lawrence L. Case

发明人： Raymond Louis Barrett, Jr. ,  Barry W. Herold ,  Scott Humphreys ,  Lawrence L. Case

IPC分类号： G05F3/26 ,  G05F3/02

CPC分类号： G05F3/262

摘要： A first complementary metal oxide semiconductor (CMOS) current reference circuit (100, 500) has a first and a second current mirror (110, 150) and is implemented using one of bulk wafer technology and silicon on insulator (SOI) technology. The first current mirror (110) has an output stage (130) that includes at least one cascode coupled field effect transistor (FET) (125) having one of a source tied well (when implemented using bulk wafer technology) or a source tied body (when implemented using SOI technology). A second CMOS current reference circuit (600, 800) has a first and a second current mirror (650, 610) and is implemented using SOI technology. The first current mirror (650) has a first bias FET (161) having a gate tied body.

摘要翻译： 第一互补金属氧化物半导体（CMOS）电流参考电路（100,500）具有第一和第二电流镜（110,150），并且使用体晶片技术和绝缘体上硅（SOI）技术之一来实现。 第一电流镜（110）具有输出级（130），该输出级包括至少一个共源共栅耦合场效应晶体管（FET）（125），其具有源极连接（当使用体晶片技术实现时）或源极体 （使用SOI技术实现时）。 第二CMOS电流参考电路（600,800）具有第一和第二电流镜（650,610），并且使用SOI技术来实现。 第一电流镜（650）具有具有门接合体的第一偏置FET（161）。