公开(公告)号：US07429361B2

公开(公告)日：2008-09-30

申请号：US11613153

申请日：2006-12-19

申请人： Seshadri Ganguli ,  Ling Chen ,  Vincent W. Ku

发明人： Seshadri Ganguli ,  Ling Chen ,  Vincent W. Ku

IPC分类号： B01D7/00

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/4487 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： In one embodiment, an apparatus for generating a gaseous chemical precursor used in a vapor deposition processing system is provided which includes a canister comprising a sidewall, a top, and a bottom encompassing an interior volume therein, an inlet port and an outlet port in fluid communication with the interior volume, and an inlet tube extending from the inlet port into the canister. The apparatus further may contain a plurality of baffles within the interior volume extending between the top and the bottom of the canister, and a precursor slurry contained within the interior volume, wherein the precursor slurry contains a solid precursor material and a thermally conductive material that is unreactive towards the solid precursor material. In one example, the solid precursor material solid precursor material is pentakis(dimethylamino) tantalum.

摘要翻译： 在一个实施方案中，提供了一种用于产生气相沉积处理系统中使用的气态化学前体的装置，其包括一个罐，该罐包括侧壁，顶部和包围内部容积的底部，入口和出口在流体 与内部容积的连通，以及从入口延伸到罐中的入口管。 该装置还可以在内部容积内容纳多个挡板，其在罐的顶部和底部之间延伸，以及包含在内部容积内的前体浆料，其中前体浆料包含固体前体材料和导热材料， 对固体前体材料没有反应。 在一个实例中，固体前体材料固体前体材料是五（二甲基氨基）钽。

公开(公告)号：US20090011129A1

公开(公告)日：2009-01-08

申请号：US12233464

申请日：2008-09-18

申请人： Seshadri Ganguli ,  Ling Chen ,  Vincent W. Ku

发明人： Seshadri Ganguli ,  Ling Chen ,  Vincent W. Ku

IPC分类号： C23C16/18 ,  B01D7/00 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/4487 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： Embodiments of the invention provide a method and an apparatus for generating a gaseous chemical precursor for a processing system. In one embodiment, an apparatus for generating the gaseous chemical precursor used in a vapor deposition processing system is provided and includes a canister having a sidewall, a top, and a bottom encompassing an interior volume therein, an inlet port and an outlet port in fluid communication with the interior volume, and an inlet tube extending from the inlet port into the canister, wherein the inlet tube contains an outlet positioned to direct a gas flow away from the outlet port and towards the sidewall of the canister.

摘要翻译： 本发明的实施方案提供了一种用于产生处理系统的气态化学前体的方法和装置。 在一个实施例中，提供了一种用于产生气相沉积处理系统中使用的气态化学前体的装置，其包括具有侧壁，顶部和底部的罐，所述底部包围其中的内部容积，流体入口端口和出口 与内部容积的连通以及从入口延伸到罐中的入口管，其中入口管包含定位成引导气流远离出口并朝向罐的侧壁的出口。

公开(公告)号：US07186385B2

公开(公告)日：2007-03-06

申请号：US10198727

申请日：2002-07-17

申请人： Seshadri Ganguli ,  Ling Chen ,  Vincent W. Ku

发明人： Seshadri Ganguli ,  Ling Chen ,  Vincent W. Ku

IPC分类号： A01G13/06 ,  B01D7/00 ,  C23C14/00 ,  F24F3/14 ,  A61M16/00

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/4487 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： An apparatus for generating gas for a processing system is provided. In one embodiment, an apparatus for generating gas for a processing system includes a canister having at least one baffle disposed between two ports and containing a precursor material. The precursor material is adapted to produce a gas vapor when heated to a defined temperature at a defined pressure. The baffle forces a carrier gas to travel an extended mean path between the inlet and outlet ports. In another embodiment, an apparatus for generating gas includes a canister having a tube that directs a carrier gas flowing into the canister away from a precursor material disposed within the canister.

摘要翻译： 提供了一种用于处理系统产生气体的装置。 在一个实施例中，一种用于产生用于处理系统的气体的装置包括：罐，其具有设置在两个端口之间的至少一个挡板并且容纳前体材料。 当在限定的压力下加热到限定的温度时，前体材料适于产生气体蒸气。 挡板迫使载气在入口和出口之间延伸平均路径。 在另一个实施例中，一种用于产生气体的装置包括一个罐，该罐具有一个管，其引导流入罐中的载气远离设置在罐内的前体材料。

公开(公告)号：US06838125B2

公开(公告)日：2005-01-04

申请号：US10193574

申请日：2002-07-10

申请人： Hua Chung ,  Ling Chen ,  Vincent W. Ku

发明人： Hua Chung ,  Ling Chen ,  Vincent W. Ku

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45525 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4488 ,  C23C16/452

摘要： A method for depositing a film on a substrate is provided. In one aspect, the method includes providing a metal-containing precursor to an activation zone, and activating the metal-containing precursor to form an activated precursor. The activated precursor gas is transported to a reaction chamber, and a film is deposited on the substrate using a cyclical deposition process, wherein the activated precursor gas and a reducing gas are alternately adsorbed on the substrate. Also provided is a method of depositing a film on a substrate using an activated reducing gas.

公开(公告)号：US07867896B2

公开(公告)日：2011-01-11

申请号：US12417439

申请日：2009-04-02

申请人： Wei Cao ,  Hua Chung ,  Vincent W. Ku ,  Ling Chen

发明人： Wei Cao ,  Hua Chung ,  Vincent W. Ku ,  Ling Chen

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： C23C16/4408 ,  C23C16/045 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/28562

摘要： Embodiments of the invention provide a method for forming tantalum nitride materials on a substrate by employing an atomic layer deposition (ALD) process. The method includes heating a tantalum precursor within an ampoule to a predetermined temperature to form a tantalum precursor gas and sequentially exposing a substrate to the tantalum precursor gas and a nitrogen precursor to form a tantalum nitride material. Thereafter, a nucleation layer and a bulk layer may be deposited on the substrate. In one example, a radical nitrogen compound may be formed from the nitrogen precursor during a plasma-enhanced ALD process. A nitrogen precursor may include nitrogen or ammonia. In another example, a metal-organic tantalum precursor may be used during the deposition process.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了一种通过采用原子层沉积（ALD）工艺在衬底上形成氮化钽材料的方法。 该方法包括将安瓿内的钽前体加热至预定温度以形成钽前体气体，并将基底依次暴露于钽前体气体和氮气前体以形成氮化钽材料。 此后，可以在基板上沉积成核层和体层。 在一个实例中，在等离子体增强的ALD工艺期间可以由氮前体形成自由基氮化合物。 氮前体可以包括氮或氨。 在另一个实例中，在沉积过程中可以使用金属 - 有机钽前体。

公开(公告)号：US06939801B2

公开(公告)日：2005-09-06

申请号：US10319788

申请日：2002-12-13

申请人： Hua Chung ,  Ling Chen ,  Vincent W. Ku ,  Michael X. Yang ,  Gongda Yao

发明人： Hua Chung ,  Ling Chen ,  Vincent W. Ku ,  Michael X. Yang ,  Gongda Yao

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76843 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76844

摘要： A method to selectively deposit a barrier layer on dielectric material that surrounds one or more metal interconnects on a substrate is disclosed. The barrier layer is selectively deposited on the metal film using a cyclical deposition process including a predetermined number of deposition cycles followed by a purge step. Each deposition cycle comprises alternately adsorbing a refractory metal-containing precursor and a reducing gas on the dielectric material formed on the substrate in a process chamber.

摘要翻译： 公开了一种选择性地将阻挡层沉积在围绕衬底上的一个或多个金属互连的电介质材料上的方法。 使用包括预定数量的沉积循环，然后进行吹扫步骤的循环沉积工艺，将选择性地沉积在金属膜上。 每个沉积循环包括在处理室中在形成在基底上的电介质材料上交替地吸附含难熔金属的前体和还原气体。