公开(公告)号：US20160197081A1

公开(公告)日：2016-07-07

申请号：US15072521

申请日：2016-03-17

申请人： Ki-Yeon Park ,  Jae-Hyoung CHOI ,  Vladimir URAZAEV ,  Jin-Ha JEONG

发明人： Ki-Yeon Park ,  Jae-Hyoung CHOI ,  Vladimir URAZAEV ,  Jin-Ha JEONG

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/283 ,  H01L49/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L27/1085 ,  H01L21/283 ,  H01L21/311 ,  H01L21/76802 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/60 ,  H01L28/92

摘要： Provided are semiconductor devices and methods of fabricating the same. The methods may include forming a molding layer on a semiconductor substrate. A storage electrode passing through the molding layer is formed. A part of the storage electrode is exposed by partially etching the molding layer. A sacrificial oxide layer is formed by oxidizing the exposed part of the storage electrode. The partially-etched molding layer and the sacrificial oxide layer are removed. A capacitor dielectric layer is formed on the substrate of which the molding layer and the sacrificial oxide layer are removed. A plate electrode is formed on the capacitor dielectric layers.

公开(公告)号：US08361551B2

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：US12648377

申请日：2009-12-29

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Ki-Yeon Park ,  Jun-Noh Lee

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Ki-Yeon Park ,  Jun-Noh Lee

IPC分类号： C23C16/40

CPC分类号： C23C16/4554 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L28/60 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78

摘要： In a method of forming a target layer having a uniform composition of constituent materials, a first precursor including a first central atom and a ligand is chemisorbed on a first reaction site of an object. The ligand or the first central atom is then removed to form a second reaction site. A second precursor including a second central atom is then chemisorbed on the second reaction site.

摘要翻译： 在形成具有均匀构成材料组成的目标层的方法中，包括第一中心原子和配体的第一前体在物体的第一反应位置被化学吸附。 然后除去配体或第一中心原子以形成第二反应位点。 包括第二中心原子的第二前体然后在第二反应位点被化学吸附。

公开(公告)号：US07151039B2

公开(公告)日：2006-12-19

申请号：US10632825

申请日：2003-08-04

申请人： Yun-Jung Lee ,  In-Sung Park ,  Gi-Vin Im ,  Ki-Yeon Park ,  Jae-Hyun Yeo

发明人： Yun-Jung Lee ,  In-Sung Park ,  Gi-Vin Im ,  Ki-Yeon Park ,  Jae-Hyun Yeo

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02181 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/3165 ,  H01L21/31683 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： In a method of forming an oxide layer using an atomic layer deposition and a method of forming a capacitor of a semiconductor device using the same, a precursor including an amino functional group is introduced onto a substrate to chemisorb a portion of the precursor on the substrate. Then, the non-chemisorbed precursor is removed. Thereafter, an oxidant is introduced onto the substrate to chemically react the chemisorbed precursor with the oxidant to form an oxide layer on the substrate. A deposition rate is fast and an oxide layer having a good deposition characteristic may be obtained. Also, a thin oxide film having a good step coverage and a decreased pattern loading rate can be formed.

摘要翻译： 在使用原子层沉积形成氧化物层的方法和使用其形成使用其的半导体器件的电容器的方法中，将包含氨基官能团的前体引入到衬底上以化学吸附衬底上的一部分前体 。 然后，除去非化学吸附的前体。 此后，将氧化剂引入到基底上以使化学吸附的前体与氧化剂化学反应，以在基底上形成氧化物层。 沉积速率快​​，并且可以获得具有良好沉积特性的氧化物层。 此外，可以形成具有良好的阶梯覆盖和减小的图案加载速率的薄氧化膜。

公开(公告)号：US20060084225A1

公开(公告)日：2006-04-20

申请号：US11291191

申请日：2005-12-01

申请人： In-Sung Park ,  Ki-Vin Im ,  Ki-Yeon Park ,  Jae-Hyun Yeo ,  Yun-Jung Lee

发明人： In-Sung Park ,  Ki-Vin Im ,  Ki-Yeon Park ,  Jae-Hyun Yeo ,  Yun-Jung Lee

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/022 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/67207 ,  H01L27/0218 ,  H01L28/56

摘要： In some embodiments, a multi-layer dielectric structure, such as a capacitor dielectric region, is formed by forming a first dielectric layer on a substrate according to a CVD process and forming a second dielectric layer directly on the first dielectric layer according to an ALD process. In further embodiments, a multi-layer dielectric structure is formed by forming a first dielectric layer on a substrate according to an ALD process and forming a second dielectric layer directly on the first dielectric layer according to a CVD process. The CVD-formed layers may comprise one selected from the group consisting of SiO2, Si3N3, Ta2O5, HfO2, ZrO2, TiO2, Y2O3, Pr2O3, La2O3, Nb2O5, SrTiO3 (STO), BaSrTiO3 (BST) and PbZrTiO3 (PZT). The ALD-formed layers may comprise one selected from the group consisting of SiO2, Si3N3, Al2O3, Ta2O5, HfO2, ZrO2, TiO2, Y2O3, Pr2O3, La2O3, Nb2O5, SrTiO3 (STO), BaSrTiO3 (BST) and PbZrTiO3 (PZT).

摘要翻译： 在一些实施例中，通过根据CVD工艺在衬底上形成第一电介质层并根据ALD在第一电介质层上直接形成第二电介质层来形成诸如电容器电介质区域的多层电介质结构 处理。 在另外的实施例中，通过根据ALD工艺在衬底上形成第一电介质层并根据CVD工艺在第一电介质层上直接形成第二电介质层来形成多层电介质结构。 CVD形成的层可以包括从由SiO 2，Si 3 N 3 N 3，Ta 2 O 3， O 2，HfO 2，ZrO 2，TiO 2，Y 2，N 2， 3 O 3，3/3，3，3，3，3，3，3，3，3， （STO），BaSrTiO 3（BST）和PbZrTiO 3（BST）3（S0） / SUB>（PZT）。 ALD形成的层可以包括从由SiO 2，Si 3 N 3 N 3，Al 2 O 3， 3，O 3，O 2 O 5，HfO 2，ZrO 2，N 2， ，TiO 2，Y 2 O 3，Pr 2 O 3，La Nb 2 O 3，SrTiO 3（STO），N 2 O 3， BaSrTiO 3（BST）和PbZrTiO 3 3（PZT）。