公开(公告)号：US06753606B2

公开(公告)日：2004-06-22

申请号：US09994954

申请日：2001-11-27

申请人： Cyril Cabral, Jr. ,  Roy Arthur Carruthers ,  James McKell Edwin Harper ,  Christian Lavoie ,  Ronnen Andrew Roy ,  Yun Yu Wang

发明人： Cyril Cabral, Jr. ,  Roy Arthur Carruthers ,  James McKell Edwin Harper ,  Christian Lavoie ,  Ronnen Andrew Roy ,  Yun Yu Wang

IPC分类号： H01L2348

CPC分类号： H01L21/28518

摘要： A method of reducing the contact resistance of metal silicides to the p+ silicon area or the n+ silicon area of the substrate comprising: (a) forming a metal germanium (Ge) layer over a silicon-containing substrate, wherein said metal is selected from the group consisting of Co, Ti, Ni and mixtures thereof; (b) optionally forming an oxygen barrier layer over said metal germanium layer; (c) annealing said metal germanium layer at a temperature which is effective in converting at least a portion thereof into a substantially non-etchable metal silicide layer, while forming a Si—Ge interlayer between said silicon-containing substrate and said substantially non-etchable metal silicide layer; and (d) removing said optional oxygen barrier layer and any remaining alloy layer. When a Co or Ti alloy is employed, e.g., Co—Ge or Ti—Ge, two annealing steps are required to provide the lowest resistance phase of those metals, whereas, when Ni is employed, a single annealing step forms the lowest resistance phase of Ni silicide.

摘要翻译： 一种降低金属硅化物与衬底的p +硅区域或n +硅区域的接触电阻的方法，包括：（a）在含硅衬底上形成金属锗（Ge）层，其中所述金属选自 由Co，Ti，Ni及其混合物组成的组; （b）任选地在所述金属锗层上形成氧阻隔层; （c）在有效地将其至少一部分转化成基本上不可蚀刻的金属硅化物层的温度下退火所述金属锗层，同时在所述含硅衬底和所述基本上不可蚀刻的衬底之间形成Si-Ge中间层 金属硅化物层; 和（d）去除所述任选的氧气阻挡层和任何剩余的合金层。 当使用Co或Ti合金时，例如Co-Ge或Ti-Ge，需要两个退火步骤来提供这些金属的最低电阻相，而在使用Ni时，单个退火步骤形成最低的电阻相 的Ni硅化物。

公开(公告)号：US06555880B2

公开(公告)日：2003-04-29

申请号：US09875187

申请日：2001-06-07

申请人： Cyril Cabral, Jr. ,  Kevin Kok Chan ,  Guy Moshe Cohen ,  Kathryn Wilder Guarini ,  Christian Lavoie ,  Ronnen Andrew Roy ,  Paul Michael Solomon

发明人： Cyril Cabral, Jr. ,  Kevin Kok Chan ,  Guy Moshe Cohen ,  Kathryn Wilder Guarini ,  Christian Lavoie ,  Ronnen Andrew Roy ,  Paul Michael Solomon

IPC分类号： H01L31119

CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28525 ,  H01L29/41783

摘要： A semiconductor structure includes raised source and drain regions, where the raised source and drain regions are facet free and unconstrained to have a shape conforming to a same crystallographic axes with respect to each other.

摘要翻译： 半导体结构包括凸起的源极和漏极区域，其中升高的源极和漏极区域是小面自由的并且不受限制地具有与彼此相同的结晶轴的形状。

公开(公告)号：US06448131B1

公开(公告)日：2002-09-10

申请号：US09929182

申请日：2001-08-14

申请人： Cyril Cabral, Jr. ,  Kevin K. Chan ,  Guy M. Cohen ,  Ramachandra Divakaruni ,  Christian Lavoie ,  Fenton R. McFeely

发明人： Cyril Cabral, Jr. ,  Kevin K. Chan ,  Guy M. Cohen ,  Ramachandra Divakaruni ,  Christian Lavoie ,  Fenton R. McFeely

IPC分类号： H01L218242

CPC分类号： H01L27/1087 ,  H01L28/84 ,  H01L29/66181 ,  Y10S438/964

摘要： A method for increasing the trench capacitor surface area is provided. The method, which utilizes a metal silicide to roughen the trench walls, increases capacitance due to the increase in the trench surface area after the silicide has been removed. The roughening of the trench walls can be controlled by varying one or more of the following parameters: the density of the metal, the metal film thickness, the silicide phase, and the choice of the metal. Once the metal is deposited in the trench, the method is self-limited. Shrinking the trench to its original width can be obtained by subsequent silicon deposition or by diffusion of silicon from a cap layer through the silicide.

摘要翻译： 提供了一种用于增加沟槽电容器表面积的方法。 利用金属硅化物粗糙化沟槽壁的方法由于硅化物被去除之后的沟槽表面积的增加而增加了电容。 可以通过改变一个或多个以下参数来控制沟槽壁的粗糙化：金属的密度，金属膜厚度，硅化物相以及金属的选择。 一旦金属沉积在沟槽中，该方法是自限制的。 通过随后的硅沉积或通过硅化物从盖层扩散硅可以获得将沟槽缩小至原始宽度。

公开(公告)号：US08772161B2

公开(公告)日：2014-07-08

申请号：US13205063

申请日：2011-08-08

申请人： Cyril Cabral, Jr. ,  Gregory M. Fritz ,  Christian Lavoie ,  Conal E. Murray ,  Kenneth P Rodbell

发明人： Cyril Cabral, Jr. ,  Gregory M. Fritz ,  Christian Lavoie ,  Conal E. Murray ,  Kenneth P Rodbell

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

摘要： A method for modifying the chemistry or microstructure of silicon-based technology via an annealing process is provided. The method includes depositing a reactive material layer within a selected proximity to an interconnect, igniting the reactive material layer, and annealing the interconnect via heat transferred from the ignited reactive material layer. The method can also be implemented in connection with a silicide/silicon interface as well as a zone of silicon-based technology.

摘要翻译： 提供了一种通过退火工艺改性硅基技术的化学或微结构的方法。 该方法包括将反应性材料层沉积在选定的互连附近，点燃反应性材料层，以及通过从点燃的反应性材料层传递的热量使互连件退火。 该方法还可以结合硅化物/硅界面以及硅基技术的区域来实现。

公开(公告)号：US08492899B2

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：US12904597

申请日：2010-10-14

申请人： Cyril Cabral, Jr. ,  John M. Cotte ,  Kathryn C. Fisher ,  Laura L. Kosbar ,  Christian Lavoie ,  Zhu Liu ,  Xiaoyan Shao

发明人： Cyril Cabral, Jr. ,  John M. Cotte ,  Kathryn C. Fisher ,  Laura L. Kosbar ,  Christian Lavoie ,  Zhu Liu ,  Xiaoyan Shao

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/2885 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： The present disclosure relates to an improved method of providing a Ni silicide metal contact on a silicon surface by electrodepositing a Ni film on a silicon substrate. The improved method results in a controllable silicide formation wherein the silicide has a uniform thickness. The metal contacts may be incorporated in, for example, CMOS devices, MEM (micro-electro-mechanical) devices, and photovoltaic cells.

摘要翻译： 本公开涉及通过在硅衬底上电沉积Ni膜而在硅表面上提供Ni硅化物金属接触的改进方法。 改进的方法导致可控硅化物形成，其中硅化物具有均匀的厚度。 金属触点可以结合在例如CMOS器件，MEM（微电机械）器件和光伏电池中。

公开(公告)号：US08293643B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US12819634

申请日：2010-06-21

申请人： Cyril Cabral, Jr. ,  John M. Cotte ,  Kathryn C. Fisher ,  Laura L. Kosbar ,  Christian Lavoie ,  Zhu Liu ,  Kenneth P. Rodbell ,  Xiaoyan Shao

发明人： Cyril Cabral, Jr. ,  John M. Cotte ,  Kathryn C. Fisher ,  Laura L. Kosbar ,  Christian Lavoie ,  Zhu Liu ,  Kenneth P. Rodbell ,  Xiaoyan Shao

IPC分类号： H01L21/477

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/76841 ,  H01L23/53238 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022425 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device or a photovoltaic cell having a contact structure, which includes a silicon (Si) substrate; a metal alloy layer deposited on the silicon substrate; a metal silicide layer and a diffusion layer formed simultaneously from thermal annealing the metal alloy layer; and a metal layer deposited on the metal silicide and barrier layers.

摘要翻译： 具有接触结构的半导体器件或光电池，其包括硅（Si）衬底; 沉积在硅衬底上的金属合金层; 金属硅化物层和由金属合金层热退火同时形成的扩散层; 以及沉积在金属硅化物和阻挡层上的金属层。

公开(公告)号：US06503833B1

公开(公告)日：2003-01-07

申请号：US09712264

申请日：2000-11-15

申请人： Atul Champaklal Ajmera ,  Cyril Cabral, Jr. ,  Roy Arthur Carruthers ,  Kevin Kok Chan ,  Guy Moshe Cohen ,  Paul Michael Kozlowski ,  Christian Lavoie ,  Joseph Scott Newbury ,  Ronnen Andrew Roy

发明人： Atul Champaklal Ajmera ,  Cyril Cabral, Jr. ,  Roy Arthur Carruthers ,  Kevin Kok Chan ,  Guy Moshe Cohen ,  Paul Michael Kozlowski ,  Christian Lavoie ,  Joseph Scott Newbury ,  Ronnen Andrew Roy

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7834

摘要： A method of forming a semiconductor substrate (and resultant structure), includes providing a semiconductor substrate to be silicided including a source and drain formed therein on respective sides of a gate, depositing a metal film over the gate, source and drain regions, reacting the metal film with Si at a first predetermined temperature, to form a metal-silicon alloy, etching the unreacted metal, depositing a silicon film over the source drain and gate regions, annealing the substrate at a second predetermined temperature, to form a metal-Si2 alloy, and selectively etching the unreacted Si.

摘要翻译： 一种形成半导体衬底（及其结构）的方法，包括在栅极的各个侧面上设置硅化物半导体衬底，该半导体衬底包括形成在其中的源极和漏极，在栅极，源极和漏极区域上沉积金属膜， 在第一预定温度下具有Si的金属膜，以形成金属 - 硅合金，蚀刻未反应的金属，在源极漏极和栅极区域上沉积硅膜，在第二预定温度下退火衬底以形成金属-Si2 合金，并选择性地蚀刻未反应的Si。

公开(公告)号：US06331486B1

公开(公告)日：2001-12-18

申请号：US09519897

申请日：2000-03-06

申请人： Cyril Cabral, Jr. ,  Roy Arthur Carruthers ,  James McKell Edwin Harper ,  Christian Lavoie ,  Ronnen Andrew Roy ,  Yun Yu Wang

发明人： Cyril Cabral, Jr. ,  Roy Arthur Carruthers ,  James McKell Edwin Harper ,  Christian Lavoie ,  Ronnen Andrew Roy ,  Yun Yu Wang

IPC分类号： H01L244

CPC分类号： H01L21/28518

摘要： A method of reducing contact resistance of metal silicides to a silicon-containing substrate is provided. The method includes first forming a metal germanium layer over a silicon-containing substrate. An optionally oxygen barrier layer may be formed over the metal germanium layer. Next, the structure containing the metal germanium layer is annealed at a temperature effective in converting at least a portion of the metal germanium layer into a substantially non-etchable metal silicide layer, while forming a Si-Ge interlayer between the substrate and the silicide layer. After annealing, the optional oxygen barrier layer and any remaining metal germanium layer is removed from the substrate.

摘要翻译： 提供了一种降低金属硅化物与含硅衬底的接触电阻的方法。 该方法包括首先在含硅衬底上形成金属锗层。 可以在金属锗层上形成任选的氧阻挡层。 接下来，含有金属锗层的结构在有效地将金属锗层的至少一部分转化为基本上不可蚀刻的金属硅化物层的同时，在衬底和硅化物层之间形成Si-Ge中间层的温度下进行退火 。 在退火之后，从衬底去除可选的氧阻挡层和任何剩余的金属锗层。

公开(公告)号：US06323130B1

公开(公告)日：2001-11-27

申请号：US09515033

申请日：2000-03-06

申请人： Stephen Bruce Brodsky ,  Cyril Cabral, Jr. ,  Roy Arthur Carruthers ,  James McKell Edwin Harper ,  Christian Lavoie ,  Patricia Ann O'Neil ,  Yun Yu Wang

发明人： Stephen Bruce Brodsky ,  Cyril Cabral, Jr. ,  Roy Arthur Carruthers ,  James McKell Edwin Harper ,  Christian Lavoie ,  Patricia Ann O'Neil ,  Yun Yu Wang

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/28518

摘要： A method of substantially reducing Si consumption and bridging during metal silicide contact formation comprising the steps of: (a) forming a metal silicon alloy layer over a silicon-containing substrate containing an electronic device to be electrically contacted, said silicon in said alloy layer being less than about 30 atomic % and said metal is Co, Ni or mixtures thereof; (b) annealing said metal silicon alloy layer at a temperature of from about 300° to about 500° C. so as to form a metal rich silicide layer that is substantially non-etchable compared to said metal silicon alloy or pure metal; (c) selectively removing any non-reacted metal silicon alloy over non-silicon regions; and (d) annealing said metal rich silicide layer under conditions effective in forming a metal silicide phase that is in its lowest resistance phase. An optional oxygen barrier layer may be formed over the metal silicon alloy layer prior to annealing step (b).

摘要翻译： 一种在金属硅化物接触形成期间显着降低Si消耗和桥接的方法，包括以下步骤：（a）在含有电接触的电子器件的含硅衬底上形成金属硅合金层，所述合金层中的所述硅为 小于约30原子％，所述金属为Co，Ni或其混合物; （b）在约300℃至约500℃的温度下退火所述金属硅合金层，以便与所述金属硅合金或纯金属相比形成基本不可蚀刻的富金属硅化物层; （c）在非硅区域上有选择地去除任何未反应的金属硅合金; 和（d）在有效形成处于其最低电阻相的金属硅化物相的条件下退火所述富金属硅化物层。 可以在退火步骤（b）之前在金属硅合金层上形成任选的氧阻挡层。

公开(公告)号：US08841652B2

公开(公告)日：2014-09-23

申请号：US12627120

申请日：2009-11-30

申请人： Cyril Cabral, Jr. ,  Josephine B. Chang ,  Alfred Grill ,  Michael A. Guillorn ,  Christian Lavoie ,  Eugene J. O'Sullivan

发明人： Cyril Cabral, Jr. ,  Josephine B. Chang ,  Alfred Grill ,  Michael A. Guillorn ,  Christian Lavoie ,  Eugene J. O'Sullivan

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L29/16 ,  H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/10 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05

CPC分类号： H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1602 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/105

摘要： A field effect transistor includes a metal carbide source portion, a metal carbide drain portion, an insulating carbon portion separating the metal carbide source portion from the metal carbide portion, a nanostructure formed over the insulating and carbon portion and connecting the metal carbide source portion to the metal carbide drain portion, and a gate stack formed on over at least a portion of the insulating carbon portion and at least a portion of the nanostructure.

摘要翻译： 场效应晶体管包括金属碳化物源部分，金属碳化物漏极部分，将金属碳化物源部分与金属碳化物部分分离的绝缘碳部分，形成在绝缘和碳部分上的纳米结构，并将金属碳化物源部分连接到 金属碳化物排出部分和形成在绝缘碳部分的至少一部分和至少一部分纳米结构上的栅堆叠。