公开(公告)号：US06955836B2

公开(公告)日：2005-10-18

申请号：US10326092

申请日：2002-12-23

申请人： Akira Kumagai ,  Keiji Ishibashi ,  Shigeru Mori

发明人： Akira Kumagai ,  Keiji Ishibashi ,  Shigeru Mori

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  H01L21/316

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45591

摘要： A silicon oxide film formation method enhances the efficiency of generating atomic oxygen and improves film quality of a silicon film (SiO2 film) in forming the silicon oxide film using an RS-CVD system. Nitrogen atom containing gas (N2 gas, NO gas, N2O gas, NO2 gas or the like) is added to oxygen atom containing gas (O2 gas, O3 gas or the like) introduced into a plasma generating space in a vacuum container to produce plasmas with these gases and to thereby increase the quantity of atomic oxygen generated by the plasmas in the plasma generating space.

摘要翻译： 在使用RS-CVD系统形成氧化硅膜时，氧化硅膜形成方法提高了产生原子氧的效率并提高了硅膜（SiO 2膜）的膜质量。 将含氮原子的气体（N 2气体，NO气体，N 2 O气体，NO 2气体等）加入氧原子 将含有气体（O 2 O 2气体，O 3气体等）引入到真空容器中的等离子体产生空间中以产生具有这些气体的等离子体，从而增加数量 由等离子体产生空间中的等离子体产生的原子氧。

公开(公告)号：US06942892B1

公开(公告)日：2005-09-13

申请号：US09633002

申请日：2000-08-04

申请人： Keiji Ishibashi

发明人： Keiji Ishibashi

IPC分类号： B08B5/00 ,  B01J3/00 ,  B05D7/22 ,  B08B9/00 ,  C01B7/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/448 ,  H01L21/205 ,  H05B3/12

CPC分类号： H05B3/46 ,  C23C16/44 ,  C23C16/4405 ,  H05B3/16 ,  H05B2203/013

摘要： The present invention provides a method for efficiently and completely removing a film deposited inside a film forming chamber. In addition, the invention provides a CVD apparatus using heating element which an in-situ cleaning method can be applied and its in-situ leaning method.The removal method of this invention comprises a method for removing a film deposited inside a chamber which can be exhausted and/or on a member placed in the chamber, wherein after the chamber is exhausted, a heating element, at least the surface of which is composed of platinum, disposed in said vacuum chamber, is heated at a prescribed temperature and a cleaning gas which is decomposed and/or activated by the heating element to generate an activated species that converts the deposited film into gaseous substance is introduced into the chamber.

摘要翻译： 本发明提供一种有效且完全除去沉积在成膜室内的膜的方法。 此外，本发明提供一种使用可以应用原位清洗方法的加热元件的CVD装置及其原位倾斜方法。 本发明的去除方法包括一种去除沉积在室内的膜的方法，所述膜可以排出和/或放置在室中的构件上，其中在室被排出之后，至少其表面为 由设置在所述真空室中的铂组成，在规定温度下被加热，并且由加热元件分解和/或激活的清洁气体产生将沉积膜转化为气态物质的活化物质。

公开(公告)号：US5607953A

公开(公告)日：1997-03-04

申请号：US347099

申请日：1994-11-23

申请人： Norio Minami ,  Fumihiro Ozaki ,  Keiji Ishibashi ,  Yasuhiro Kabasawa ,  Megumi Ikemori ,  Toshiaki Ogawa ,  Takanori Kawamura

发明人： Norio Minami ,  Fumihiro Ozaki ,  Keiji Ishibashi ,  Yasuhiro Kabasawa ,  Megumi Ikemori ,  Toshiaki Ogawa ,  Takanori Kawamura

IPC分类号： C07C233/40 ,  C07C235/34 ,  C07C235/36 ,  C07C237/12 ,  C07C237/20 ,  C07C255/41 ,  C07C255/57 ,  C07C317/44 ,  C07C323/62 ,  C07D207/08 ,  C07D207/32 ,  C07D207/327 ,  C07D207/38 ,  C07D211/22 ,  C07D211/34 ,  C07D211/58 ,  C07D211/86 ,  C07D213/38 ,  C07D213/56 ,  C07D213/64 ,  C07D213/68 ,  C07D223/16 ,  C07D233/66 ,  C07D235/06 ,  C07D237/14 ,  C07D241/18 ,  C07D263/32 ,  C07D277/30 ,  C07D317/58 ,  C07D317/60 ,  C07D319/18 ,  C07D405/06 ,  C07D471/04 ,  C07D521/00 ,  A61K31/335 ,  A61K31/34 ,  A61K31/38 ,  C07D213/63 ,  C07D319/14 ,  C07D403/06 ,  A64K31/40

CPC分类号： C07D207/08 ,  C07C233/40 ,  C07C235/34 ,  C07C235/36 ,  C07C237/12 ,  C07C237/20 ,  C07C255/41 ,  C07C255/57 ,  C07C317/44 ,  C07C323/62 ,  C07D207/327 ,  C07D207/38 ,  C07D211/22 ,  C07D211/34 ,  C07D211/58 ,  C07D211/86 ,  C07D213/38 ,  C07D213/56 ,  C07D213/64 ,  C07D213/68 ,  C07D223/16 ,  C07D231/12 ,  C07D233/56 ,  C07D235/06 ,  C07D237/14 ,  C07D241/18 ,  C07D249/08 ,  C07D263/32 ,  C07D277/30 ,  C07D317/58 ,  C07D317/60 ,  C07D319/18 ,  C07D405/06 ,  C07D471/04 ,  C07C2101/08

摘要： A butenoic or propenoic acid derivative having the following formula in which G is an aryl or a heterocyclic ring, R11 and R12 are hydroben or an alkyl, X is sulfur or oxygen, R2 and R3 are hydrogen, an substituent such as an alkyl and J is pyridyl or phenyl having substituents and a heterocyclic ring may be formed between R2, R3 and J is provided here and is useful in the pharmacological field. ##STR1##

摘要翻译： 具有下式的丁烯酸或丙烯酸衍生物，其中G是芳基或杂环，R11和R12是氢化或烷基，X是硫或氧，R2和R3是氢，取代基如烷基和J 在这里提供吡啶基或具有取代基的苯基和可以在R2，R3和J之间形成杂环，并且在药理学领域是有用的。

公开(公告)号：US5177089A

公开(公告)日：1993-01-05

申请号：US557713

申请日：1990-07-25

申请人： Norio Minami ,  Fumihiro Ozaki ,  Keiji Ishibashi ,  Yasuhiro Kabasawa ,  Megumi Ikemori ,  Toshiaki Ogawa ,  Takanori Kawamura

发明人： Norio Minami ,  Fumihiro Ozaki ,  Keiji Ishibashi ,  Yasuhiro Kabasawa ,  Megumi Ikemori ,  Toshiaki Ogawa ,  Takanori Kawamura

IPC分类号： C07C233/40 ,  C07C235/34 ,  C07C235/36 ,  C07C237/12 ,  C07C237/20 ,  C07C255/41 ,  C07C255/57 ,  C07C317/44 ,  C07C323/62 ,  C07D207/08 ,  C07D207/32 ,  C07D207/327 ,  C07D207/38 ,  C07D211/22 ,  C07D211/34 ,  C07D211/58 ,  C07D211/86 ,  C07D213/38 ,  C07D213/56 ,  C07D213/64 ,  C07D213/68 ,  C07D223/16 ,  C07D233/66 ,  C07D235/06 ,  C07D237/14 ,  C07D241/18 ,  C07D263/32 ,  C07D277/30 ,  C07D317/58 ,  C07D317/60 ,  C07D319/18 ,  C07D405/06 ,  C07D471/04 ,  C07D521/00

CPC分类号： C07D207/08 ,  C07C233/40 ,  C07C235/34 ,  C07C235/36 ,  C07C237/12 ,  C07C237/20 ,  C07C255/41 ,  C07C255/57 ,  C07C317/44 ,  C07C323/62 ,  C07D207/327 ,  C07D207/38 ,  C07D211/22 ,  C07D211/34 ,  C07D211/58 ,  C07D211/86 ,  C07D213/38 ,  C07D213/56 ,  C07D213/64 ,  C07D213/68 ,  C07D223/16 ,  C07D231/12 ,  C07D233/56 ,  C07D235/06 ,  C07D237/14 ,  C07D241/18 ,  C07D249/08 ,  C07D263/32 ,  C07D277/30 ,  C07D317/58 ,  C07D317/60 ,  C07D319/18 ,  C07D405/06 ,  C07D471/04 ,  C07C2101/08

摘要： A butenoic or propenoic acid derivative having the following formula in which G is an aryl or a heterocyclic ring, R11 and R12 are hydroben or an alkyl, X is sulfur or oxygen, R2 and R3 are hydrogen, an substituent such as an alkyl and J is pyridyl or phenyl having substituents and a heterocyclic ring may be formed between R2, R3 and J is provided here and is useful in the pharmacological field. ##STR1##

摘要翻译： 具有下式的丁烯酸或丙烯酸衍生物，其中G是芳基或杂环，R11和R12是氢化或烷基，X是硫或氧，R2和R3是氢，取代基如烷基和J 在这里提供吡啶基或具有取代基的苯基和可以在R2，R3和J之间形成杂环，并且在药理学领域是有用的。 （二）

公开(公告)号：US08871647B2

公开(公告)日：2014-10-28

申请号：US13212637

申请日：2011-08-18

申请人： Keiji Ishibashi

发明人： Keiji Ishibashi

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L29/20 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40

CPC分类号： H01L29/2003 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

摘要： A group III nitride substrate in one embodiment has a surface layer. The surface layer contains 3 at. % to 25 at. % of carbon and 5×1010 atoms/cm2 to 200×1010 atoms/cm2 of a p-type metal element. The group III nitride substrate has a stable surface.

摘要翻译： 一个实施例中的III族氮化物衬底具有表面层。 表层含有3个。 ％至25点。 碳原子数为5×10 10原子/ cm 2至200×10 10原子/ cm 2的p型金属元素。 III族氮化物衬底具有稳定的表面。

公开(公告)号：US08853670B2

公开(公告)日：2014-10-07

申请号：US13281894

申请日：2011-10-26

申请人： Keiji Ishibashi

发明人： Keiji Ishibashi

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  C23C16/30 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/325 ,  C23C16/303 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L24/32 ,  H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： In a semiconductor device 100, it is possible to prevent C from piling up at a boundary face between an epitaxial layer 22 and a group III nitride semiconductor substrate 10 by the presence of 30×1010 pieces/cm2 to 2000×1010 pieces/cm2 of sulfide in terms of S and 2 at % to 20 at % of oxide in terms of O in a surface layer 12 with a front surface 10a having a specific plane orientation. Accordingly, a high-resistivity layer is prevented from being formed at the boundary face between the epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10. Consequently, it is possible to improve the emission intensity of the semiconductor device 100.

摘要翻译： 在半导体器件100中，可以通过存在30×10 10片/ cm 2〜2000×10 10片/ cm 2的范围来防止C在外延层22和III族氮化物半导体衬底10之间的边界面堆积 在具有特定面取向的前表面10a的表面层12中，以S为基准的硫化物和2at％至20at％的氧化物。 因此，防止在外延层22和III族氮化物半导体衬底10之间的边界面处形成高电阻率层。因此，可以提高半导体器件100的发光强度。

公开(公告)号：US08771552B2

公开(公告)日：2014-07-08

申请号：US12837872

申请日：2010-07-16

申请人： Keiji Ishibashi ,  Yusuke Yoshizumi

发明人： Keiji Ishibashi ,  Yusuke Yoshizumi

IPC分类号： H01B1/00

CPC分类号： C30B23/025 ,  C30B29/403 ,  C30B33/00 ,  H01L29/2003

摘要： A group III nitride crystal substrate is provided in which a uniform distortion at a surface layer of the crystal substrate represented by a value of |d1 −d2 |/d2 obtained from a plane spacing d1 at the X-ray penetration depth of 0.3 μm and a plane spacing d2 at the X-ray penetration depth of 5 μm is equal to or lower than 1.9 ×10−3, and the main surface has a plane orientation inclined in the direction at an angle equal to or greater than 10° and equal to or smaller than 80° with respect to one of (0001) and (000-1) planes of the crystal substrate. A group III nitride crystal substrate suitable for manufacturing a light emitting device with a blue shift of an emission suppressed, an epilayer-containing group III nitride crystal substrate, a semiconductor device and a method of manufacturing the same can thereby be provided.

摘要翻译： 提供了一种III族氮化物晶体基板，其中在由X射线穿透深度为0.3μm的平面间距d1获得的| d1 -d2 | / d2的值表示的晶体基板的表面层处的均匀的变形，以及 在5μm的X射线穿透深度处的平面间距d2等于或小于1.9×10 -3，并且主表面具有以等于或大于等于或等于10°的角度在<10-10>方向上倾斜的平面取向 相对于晶体基板的（0001）和（000-1）面之一，比10°等于或小于80°。 因此，可以提供适合于制造抑制发射蓝移的发光器件的III族氮化物晶体衬底，含有外延层的III族氮化物晶体衬底，半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：US08586998B2

公开(公告)日：2013-11-19

申请号：US13557749

申请日：2012-07-25

申请人： Hiroki Inoue ,  Keiji Ishibashi ,  Shinsuke Fujiwara

发明人： Hiroki Inoue ,  Keiji Ishibashi ,  Shinsuke Fujiwara

IPC分类号： H01L29/38

CPC分类号： H01L21/02019 ,  H01L21/02013 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

摘要： Silicon carbide single crystal is prepared. Using the silicon carbide single crystal as a material, a silicon carbide substrate having a first face and a second face located at a side opposite to the first face is formed. In the formation of the silicon carbide substrate, a first processed damage layer and a second processed damage layer are formed at the first face and second face, respectively. The first face is polished such that at least a portion of the first processed damage layer is removed and the surface roughness of the first face becomes less than or equal to 5 nm. At least a portion of the second processed damage layer is removed while maintaining the surface roughness of the second plane greater than or equal to 10 nm.

摘要翻译： 制备碳化硅单晶。 使用碳化硅单晶作为材料，形成具有位于与第一面相反的一侧的第一面和第二面的碳化硅衬底。 在形成碳化硅衬底时，分别在第一面和第二面上形成第一加工损伤层和第二处理损伤层。 抛光第一面使得第一经处理的损伤层的至少一部分被去除并且第一面的表面粗糙度变得小于或等于5nm。 第二处理的损伤层的至少一部分被去除，同时保持第二平面的表面粗糙度大于或等于10nm。

公开(公告)号：US08338299B2

公开(公告)日：2012-12-25

申请号：US12795177

申请日：2010-06-07

申请人： Takayuki Nishiura ,  Keiji Ishibashi

发明人： Takayuki Nishiura ,  Keiji Ishibashi

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/30625 ,  C09G1/02 ,  C30B29/403 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02024 ,  H01L29/30

摘要： There is provided a method of processing a surface of a group III nitride crystal, that includes the steps of: polishing a surface of a group III nitride crystal with a polishing slurry containing abrasive grains; and thereafter polishing the surface of the group III nitride crystal with a polishing liquid at least once, and each step of polishing with the polishing liquid employs a basic polishing liquid or an acidic polishing liquid as the polishing liquid. The step of polishing with the basic or acidic polishing liquid allows removal of impurity such as abrasive grains remaining on the surface of the group III nitride crystal after it is polished with the slurry containing the abrasive grains.

摘要翻译： 提供一种处理III族氮化物晶体的表面的方法，其包括以下步骤：用含有磨粒的抛光浆料抛光III族氮化物晶体的表面; 然后用研磨液将III族氮化物晶体的表面抛光至少一次，并且用抛光液研磨的每个步骤都使用碱性研磨液或酸性研磨液作为研磨液。 用碱性或酸性抛光液抛光的步骤允许在含有磨料颗粒的浆料抛光后，去除残留在III族氮化物晶体表面上的杂质，例如磨粒。

公开(公告)号：US07919343B2

公开(公告)日：2011-04-05

申请号：US12432105

申请日：2009-04-29

申请人： Keiji Ishibashi ,  Naoki Matsumoto ,  Masato Irikura

发明人： Keiji Ishibashi ,  Naoki Matsumoto ,  Masato Irikura

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02013 ,  C30B29/403 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02024 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A method for surface treatment of a group III nitride crystal includes the steps of lapping a surface of a group III nitride crystal using a hard abrasive grain with a Mohs hardness higher than 7, and abrasive-grain-free polishing the lapped surface of the group III nitride crystal using a polishing solution without containing abrasive grain, and the polishing solution without containing abrasive grain has a pH of not less than 1 and not more than 6, or not less than 8.5 and not more than 14. Accordingly, the method for surface treatment of a group III nitride crystal can be provided according to which hard abrasive grains remaining at the lapped crystal can be removed to reduce impurities at the crystal surface.

摘要翻译： 用于III族氮化物晶体的表面处理的方法包括以下步骤：使用莫氏硬度高于7的硬磨粒研磨III族氮化物晶体的表面，并且对该组的研磨表面进行无磨粒抛光 使用不含磨粒的研磨液的III族氮化物结晶，不含磨粒的研磨液的pH为1以上且6以下，8.5以下且14以下。因此， 可以提供III族氮化物晶体的表面处理，根据该III族氮化物晶体的表面处理可以去除在研磨晶体上残留的硬磨粒以减少晶体表面的杂质。