公开(公告)号：US06347057B1

公开(公告)日：2002-02-12

申请号：US09461285

申请日：1999-12-15

申请人： Katsuaki Matsui

发明人： Katsuaki Matsui

IPC分类号： G11C700

CPC分类号： G11C11/4074 ,  G11C7/06 ,  G11C7/12 ,  G11C11/4085 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4094 ,  G11C2207/12

摘要： The semiconductor memory device according to the present invention includes a sense amplifier block sa, a pair of memory cell blocks mc0 and mc1, a pair of word driver blocks wd1-0 and wd1-1, a pair of decoder blocks dec1-0 and dec1-1 and a control circuit block cnt101. Inverters INV0 and INV1 provided at the control circuit block cnt101 respectively invert the potential levels of block selection signals BS0 and BS1, whereas level shifters LS0 and LS1 provided at the control circuit block cnt101 amplify the outputs from the inverters INV0 and INV1 respectively to generate equalize signals EQ0 and EQ1 whose potentials swing back and forth between a second source potential VPP and a ground potential VSS so that high speed access is realized even while energy efficiency and greater capacity are achieved.

摘要翻译： 根据本发明的半导体存储器件包括读出放大器块sa，一对存储单元块mc0和mc1，一对字驱动器块wd1-0和wd1-1，一对解码器块dec1-0和dec1 -1和控制电路块cnt101。 设置在控制电路块cnt101的反相器INV0和INV1分别反转块选择信号BS0和BS1的电位电平，而设置在控制电路块cnt101处的电平移位器LS0和LS1分别放大来自反相器INV0和INV1的输出，以产生均衡 信号EQ0和EQ1，其电位在第二源极电位VPP和接地电位VSS之间来回摆动，使得即使在实现能量效率和更大容量的情况下也实现高速访问。

公开(公告)号：US4950031A

公开(公告)日：1990-08-21

申请号：US213227

申请日：1988-06-29

申请人： Sumiaki Mizunaga ,  Katsuaki Matsui ,  Hiroaki Kodama ,  Makoto Tokuda ,  Morikazu Sakamoto

发明人： Sumiaki Mizunaga ,  Katsuaki Matsui ,  Hiroaki Kodama ,  Makoto Tokuda ,  Morikazu Sakamoto

IPC分类号： B62D21/15 ,  B62D25/20

CPC分类号： B62D21/152 ,  B62D25/2027

摘要： An automobile rear underbody structure which comprises generally elongated side frames extending in a direction lengthwise of an automobile body structure and each having a front and rear frame portions. The rear frame portion of each side frame lies in a level offset upwardly relative to the front frame portion. The rear frame portion has a depressed zone defined at a predetermined position thereof to permit the rear frame portion to bend downwardly when an external impact greater than a predetermined value is applied thereto.

摘要翻译： 一种汽车后底体结构，其包括沿着汽车车身结构的纵向方向延伸的每个具有前框架部分和后框架部分的大致细长的侧框架。 每个侧框架的后框架部分位于相对于前框架部分向上偏置的水平面。 后框架部分具有限定在其预定位置处的凹陷区域，以当外部冲击大于预定值的情况下允许后框架部分向下弯曲。