公开(公告)号：US06975005B2

公开(公告)日：2005-12-13

申请号：US10689128

申请日：2003-10-20

申请人： Siva G. Narendra ,  Stephen H. Tang ,  Zachary Keer ,  Vivek K. De

发明人： Siva G. Narendra ,  Stephen H. Tang ,  Zachary Keer ,  Vivek K. De

IPC分类号： G05F3/24 ,  H01L29/76

CPC分类号： G05F3/245 ,  Y10S257/919

摘要： A current reference, which may be fabricated independently, on a die, as part of an integrated circuit, or a system, or in various other forms, is disclosed. The current reference may include a voltage source having a substantially temperature stable output voltage, a first semiconductor device biased by the substantially temperature stable output voltage to provide a first output current, and a second semiconductor device providing a second output current, wherein a reference current is provided approximately equal to the difference between the first and second output currents.

摘要翻译： 公开了可以在芯片上作为集成电路或系统的一部分或以各种其它形式单独制造的电流基准。 电流参考可以包括具有基本上温度稳定的输出电压的电压源，由基本上温度稳定的输出电压偏置以提供第一输出电流的第一半导体器件，以及提供第二输出电流的第二半导体器件，其中参考电流 被提供大致等于第一和第二输出电流之间的差。

公开(公告)号：US06643199B1

公开(公告)日：2003-11-04

申请号：US10162929

申请日：2002-06-04

申请人： Stephen H. Tang ,  Steven K. Hsu ,  Vivek K. De ,  Shih-Lien L. Lu

发明人： Stephen H. Tang ,  Steven K. Hsu ,  Vivek K. De ,  Shih-Lien L. Lu

IPC分类号： G11C700

CPC分类号： G11C11/412

摘要： For a memory cell, where an access transistor couples the memory cell to a local bit line, a pMOSFET essentially eliminates sub-threshold leakage current in the access transistor when the memory cell is not being read, and when the memory cell is being read, an additional pMOSFET essentially eliminates sub-threshold leakage current in the access transistor if the memory cell stores an information bit such that it does not discharge the local bit line. In this way, a half-keeper connected to the local bit line does not need to contend with sub-threshold leakage current.

摘要翻译： 对于存储晶体管，其中存取晶体管将存储单元耦合到局部位线，当存储单元未被读取时，pMOSFET基本上消除了存取晶体管中的次阈值泄漏电流，并且当存储单元被读取时， 如果存储单元存储信息位，使得其不释放局部位线，附加的pMOSFET基本上消除了存取晶体管中的次阈值漏电流。 以这种方式，连接到本地位线的半保持器不需要与亚阈值泄漏电流相抗衡。

公开(公告)号：US07764477B2

公开(公告)日：2010-07-27

申请号：US12080081

申请日：2008-03-31

申请人： Stephen H. Tang ,  Derchang Kau ,  Charles C. Kuo

发明人： Stephen H. Tang ,  Derchang Kau ,  Charles C. Kuo

IPC分类号： H02H9/00 ,  H01C7/12 ,  H02H1/00 ,  H02H1/04 ,  H02H3/22 ,  H02H9/06

CPC分类号： H01L27/0251

摘要： An electrostatic discharge protection circuit may include ovonic threshold switches that have a holding voltage greater than an input voltage normally received from a pad. As a result, the ovonic threshold switches provide a low resistance state to shunt current from the pad when an electrostatic discharge protection event occurs and, otherwise, present an off device during normal circuit operations.

摘要翻译： 静电放电保护电路可以包括具有大于从焊盘正常接收的输入电压的保持电压的超声门限开关。 结果，当静电放电保护事件发生时，超声门限开关提供低电阻状态以从焊盘分流电流，否则在正常电路操作期间提供断开装置。

公开(公告)号：US20090244796A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：US12080081

申请日：2008-03-31

申请人： Stephen H. Tang ,  Derchang Kau ,  Charles C. Kuo

发明人： Stephen H. Tang ,  Derchang Kau ,  Charles C. Kuo

IPC分类号： H02H9/00

CPC分类号： H01L27/0251

摘要： An electrostatic discharge protection circuit may include ovonic threshold switches that have a holding voltage greater than an input voltage normally received from a pad. As a result, the ovonic threshold switches provide a low resistance state to shunt current from the pad when an electrostatic discharge protection event occurs and, otherwise, present an off device during normal circuit operations.

摘要翻译： 静电放电保护电路可以包括具有大于从焊盘正常接收的输入电压的保持电压的超声门限开关。 结果，当静电放电保护事件发生时，超声门限开关提供低电阻状态以从焊盘分流电流，否则在正常电路操作期间提供断开装置。