公开(公告)号：US06818480B2

公开(公告)日：2004-11-16

申请号：US10348895

申请日：2003-01-23

申请人： Dae-Youp Lee ,  Joon-Hee Lee

发明人： Dae-Youp Lee ,  Joon-Hee Lee

IPC分类号： H01L2182

CPC分类号： G03F1/36 ,  G03F7/70441

摘要： A method of forming the patterns of a semiconductor device uses a photomask employed therein is disclosed. In a semiconductor device having a first region where a plurality of first patterns are separated from each other by a first space and a plurality of second patterns having a larger size than that of the first patterns are separated from each other by a second space that is wider than the first space, the first and second regions being formed on the same layer, a fine gap for transmitting light is formed in a central portion of a mask pattern that corresponds to the second pattern on the photomask for patterning the first and second patterns to reduce the proximity effect. Lifting margin and bridge margin with respect to a pattern where the pattern pitch varies are improved through the use of the fine gap.

摘要翻译： 公开了一种形成半导体器件的图案的方法，其中使用其中使用的光掩模。 在具有第一区域的半导体器件中，其中多个第一图案通过第一空间彼此分离，并且具有比第一图案的尺寸大的多个第二图案彼此分开第二空间，第二空间是 比第一空间宽，第一和第二区域形成在同一层上，用于透射光的细小间隙形成在掩模图案的与光掩模上的第二图案相对应的中心部分中，用于图案化第一和第二图案 以减少邻近效应。 通过使用微细间隙，提高相对于图案间距变化的图案的提升余量和桥边。