公开(公告)号：US3816166A

公开(公告)日：1974-06-11

申请号：US36067073

申请日：1973-05-16

申请人： PHILIPS CORP

发明人： EVERSTEIJN F ,  PEEK H

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C30B25/14 ,  C23C11/06

CPC分类号： C23C16/45585 ,  C30B25/14 ,  Y10S148/006 ,  Y10S148/049

摘要： In a method of semiconductor manufacture wherein a semiconductor substrate is supported on a susceptor and subjected to a vapor stream wherein are maintained predetermined conditions of stream rate, pressure and temperature and of decreasing reactor height.

摘要翻译： 在半导体制造方法中，其中半导体衬底被支撑在基座上并经受蒸汽流，其中保持流速，压力和温度的预定条件以及降低的反应器高度。