公开(公告)号：US08382885B2

公开(公告)日：2013-02-26

申请号：US12914822

申请日：2010-10-28

申请人： Dustin W. Ho ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Hichem M'Saad

发明人： Dustin W. Ho ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： B01D53/02

CPC分类号： C23C16/4402 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/52

摘要： A filter for filtering a fluid in a substrate processing apparatus comprises first and second stages that are connected to one another. A delivery system provides a vaporized liquid to the filter. The first stage of the filter comprises a basic compound, and the second stage of the filter comprises a desiccant. A second filter comprises a permeation filter with permeable membrane to filter the fluid. Methods of filtering the fluid to reduce formation of undesirable process residues using the filter(s) are also described.

摘要翻译： 用于过滤衬底处理设备中的流体的过滤器包括彼此连接的第一和第二阶段。 输送系统向过滤器提供蒸发的液体。 过滤器的第一阶段包括碱性化合物，并且过滤器的第二阶段包括干燥剂。 第二过滤器包括具有可渗透膜的渗透过滤器以过滤流体。 还描述了使用过滤器过滤流体以减少不期望的工艺残余物的形成的方法。

公开(公告)号：US07777197B2

公开(公告)日：2010-08-17

申请号：US11425974

申请日：2006-06-22

申请人： Amir Al-Bayati ,  Lester A. D'Cruz ,  Alexandros T. Demos ,  Dale R. Dubois ,  Khaled A. Elsheref ,  Naoyuki Iwasaki ,  Hichem M'Saad ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Ashish Shah ,  Takashi Shimizu

发明人： Amir Al-Bayati ,  Lester A. D'Cruz ,  Alexandros T. Demos ,  Dale R. Dubois ,  Khaled A. Elsheref ,  Naoyuki Iwasaki ,  Hichem M'Saad ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Ashish Shah ,  Takashi Shimizu

IPC分类号： G01N23/00

CPC分类号： H01J37/317 ,  B23K15/00 ,  C23F4/00 ,  H01J37/026 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/0044 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/304 ,  H01J2237/3156 ,  H01J2237/316 ,  H01J2237/3165 ,  H01L21/67115

摘要： Methods and apparatus for electron beam treatment of a substrate are provided. An electron beam apparatus that includes a vacuum chamber, at least one thermocouple assembly in communication with the vacuum chamber, a heating device in communication with the vacuum chamber, and combinations thereof are provided. In one embodiment, the vacuum chamber comprises an electron source wherein the electron source comprises a cathode connected to a high voltage source, an anode connected to a low voltage source, and a substrate support. In another embodiment, the vacuum chamber comprises a grid located between the anode and the substrate support. In one embodiment the heating device comprises a first parallel light array and a second light array positioned such that the first parallel light array and the second light array intersect. In one embodiment the thermocouple assembly comprises a temperature sensor made of aluminum nitride.

摘要翻译： 提供了用于基板的电子束处理的方法和装置。 提供了一种电子束装置，其包括真空室，至少一个与真空室连通的热电偶组件，与真空室连通的加热装置及其组合。 在一个实施例中，真空室包括电子源，其中电子源包括连接到高电压源的阴极，连接到低电压源的阳极和衬底支撑件。 在另一个实施例中，真空室包括位于阳极和基板支撑件之间的格栅。 在一个实施例中，加热装置包括第一平行光阵列和第二光阵列，其定位成使得第一平行光阵列和第二光阵列相交。 在一个实施例中，热电偶组件包括由氮化铝制成的温度传感器。

公开(公告)号：US20090236214A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：US12052431

申请日：2008-03-20

申请人： Karthik Janakiraman ,  Thomas Nowak ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Mark A. Fodor ,  Dale R. Du Bois ,  Amit Bansal ,  Mohamad Ayoub ,  Eller Y. Juco ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Hichem M'Saad

发明人： Karthik Janakiraman ,  Thomas Nowak ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Mark A. Fodor ,  Dale R. Du Bois ,  Amit Bansal ,  Mohamad Ayoub ,  Eller Y. Juco ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： C23C16/00 ,  H05H1/24

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/503 ,  C23C16/505 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32541

摘要： An apparatus and method are provided for controlling the intensity and distribution of a plasma discharge in a plasma chamber. In one embodiment, a shaped electrode is embedded in a substrate support to provide an electric field with radial and axial components inside the chamber. In another embodiment, the face plate electrode of the showerhead assembly is divided into zones by isolators, enabling different voltages to be applied to the different zones. Additionally, one or more electrodes may be embedded in the chamber side walls.

摘要翻译： 提供了一种用于控制等离子体室中的等离子体放电的强度和分布的装置和方法。 在一个实施例中，成形电极嵌入在基板支撑件中以在腔室内提供具有径向和轴向分量的电场。 在另一个实施例中，喷头组件的面板电极被隔离器分成区域，使不同的电压能够施加到不同的区域。 此外，一个或多个电极可以嵌入在腔室侧壁中。

公开(公告)号：US20120205046A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13456308

申请日：2012-04-26

申请人： Karthik Janakiraman ,  Thomas Nowak ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Mark A. Fodor ,  Dale R. Du Bois ,  Amit Bansal ,  Mohamad A. Ayoub ,  Eller Y. Juco ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Hichem M'Saad

发明人： Karthik Janakiraman ,  Thomas Nowak ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Mark A. Fodor ,  Dale R. Du Bois ,  Amit Bansal ,  Mohamad A. Ayoub ,  Eller Y. Juco ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/503 ,  C23C16/505 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32541

摘要： An apparatus and method are provided for controlling the intensity and distribution of a plasma discharge in a plasma chamber. In one embodiment, a shaped electrode is embedded in a substrate support to provide an electric field with radial and axial components inside the chamber. In another embodiment, the face plate electrode of the showerhead assembly is divided into zones by isolators, enabling different voltages to be applied to the different zones. Additionally, one or more electrodes may be embedded in the chamber side walls.

摘要翻译： 提供了一种用于控制等离子体室中的等离子体放电的强度和分布的装置和方法。 在一个实施例中，成形电极被嵌入到基板支撑件中以在腔室内提供具有径向和轴向分量的电场。 在另一个实施例中，喷头组件的面板电极被隔离器分成区域，使不同的电压能够施加到不同的区域。 此外，一个或多个电极可以嵌入在腔室侧壁中。

公开(公告)号：US07692171B2

公开(公告)日：2010-04-06

申请号：US11686900

申请日：2007-03-15

申请人： Andrzei Kaszuba ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Sanjeev Baluja ,  Tom K. Cho ,  Hichem M'Saad ,  Scott A. Hendrickson ,  Dustin W. Ho ,  Thomas Nowak

发明人： Andrzei Kaszuba ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Sanjeev Baluja ,  Tom K. Cho ,  Hichem M'Saad ,  Scott A. Hendrickson ,  Dustin W. Ho ,  Thomas Nowak

IPC分类号： H01J49/00 ,  H01J49/44

CPC分类号： G21K1/062 ,  B82Y10/00 ,  G21K2201/061 ,  G21K2201/064 ,  G21K2201/067 ,  H01L21/67115

摘要： Embodiments of the invention relate generally to an ultraviolet (UV) cure chamber for curing a dielectric material disposed on a substrate and to methods of curing dielectric materials using UV radiation. A substrate processing tool according to one embodiment comprises a body defining a substrate processing region; a substrate support adapted to support a substrate within the substrate processing region; an ultraviolet radiation lamp spaced apart from the substrate support, the lamp configured to transmit ultraviolet radiation to a substrate positioned on the substrate support; and a motor operatively coupled to rotate at least one of the ultraviolet radiation lamp or substrate support at least 180 degrees relative to each other. The substrate processing tool may further comprise one or more reflectors adapted to generate a flood pattern of ultraviolet radiation over the substrate that has complementary high and low intensity areas which combine to generate a substantially uniform irradiance pattern if rotated. Other embodiments are also disclosed.

摘要翻译： 本发明的实施方案一般涉及用于固化设置在基底上的介电材料的紫外（UV）固化室和使用UV辐射固化电介质材料的方法。 根据一个实施例的基板处理工具包括限定基板处理区域的主体; 衬底支撑件，适于支撑衬底处理区域内的衬底; 与衬底支撑件间隔开的紫外线辐射灯，所述灯被配置为将紫外线辐射透射到位于所述衬底支撑件上的衬底; 以及可操作地耦合以使所述紫外线辐射灯或衬底支撑体中的至少一个相对于彼此旋转至少180度的电动机。 衬底处理工具还可以包括一个或多个反射器，其适于在衬底上产生具有互补的高和低强度区域的紫外线辐射的泛化图案，其结合以在旋转时产生基本上均匀的辐照度图案。 还公开了其他实施例。

公开(公告)号：US07663121B2

公开(公告)日：2010-02-16

申请号：US11424368

申请日：2006-06-15

申请人： Thomas Nowak ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Andrzej Kaszuba ,  Scott A. Hendrickson ,  Dustin W. Ho ,  Sanjeev Baluja ,  Tom Cho ,  Josephine Chang ,  Hichem M'Saad

发明人： Thomas Nowak ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Andrzej Kaszuba ,  Scott A. Hendrickson ,  Dustin W. Ho ,  Sanjeev Baluja ,  Tom Cho ,  Josephine Chang ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： G01N23/00

CPC分类号： B05D3/067 ,  B05D3/0209 ,  B05D3/0493 ,  H01L21/31058

摘要： An ultraviolet (UV) cure chamber enables curing a dielectric material disposed on a substrate and in situ cleaning thereof. A tandem process chamber provides two separate and adjacent process regions defined by a body covered with a lid having windows aligned respectively above each process region. One or more UV bulbs per process region that are covered by housings coupled to the lid emit UV light directed through the windows onto substrates located within the process regions. The UV bulbs can be an array of light emitting diodes or bulbs utilizing a source such as microwave or radio frequency. The UV light can be pulsed during a cure process. Using oxygen radical/ozone generated remotely and/or in-situ accomplishes cleaning of the chamber. Use of lamp arrays, relative motion of the substrate and lamp head, and real-time modification of lamp reflector shape and/or position can enhance uniformity of substrate illumination.

摘要翻译： 紫外线（UV）固化室可固化设置在基底上的电介质材料并进行原位清洁。 串联处理室提供由覆盖有盖的主体限定的两个单独的和相邻的过程区域，所述盖子具有分别位于每个处理区域上方的窗口。 每个处理区域的一个或多个UV灯泡被耦合到盖的壳体覆盖，将通过窗口的UV光发射到位于处理区域内的衬底上。 UV灯泡可以是利用诸如微波或射频的源的发光二极管或灯泡阵列。 紫外光可以在固化过程中被脉冲。 使用远程生成的氧自由基/臭氧和/或原位实现清洁室。 灯阵列的使用，基板和灯头的相对运动以及灯反射器形状和/或位置的实时修改可以增强基板照明的均匀性。

公开(公告)号：US07407893B2

公开(公告)日：2008-08-05

申请号：US11065464

申请日：2005-02-24

申请人： Martin Jay Seamons ,  Wendy H. Yeh ,  Sudha S. R. Rathi ,  Deenesh Padhi ,  Andy (Hsin Chiao) Luan ,  Sum-Yee Betty Tang ,  Priya Kulkarni ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Bok Hoen Kim ,  Hichem M'Saad ,  Yuxiang May Wang ,  Michael Chiu Kwan

发明人： Martin Jay Seamons ,  Wendy H. Yeh ,  Sudha S. R. Rathi ,  Deenesh Padhi ,  Andy (Hsin Chiao) Luan ,  Sum-Yee Betty Tang ,  Priya Kulkarni ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Bok Hoen Kim ,  Hichem M'Saad ,  Yuxiang May Wang ,  Michael Chiu Kwan

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/461

CPC分类号： C23C16/505 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76829

摘要： Methods are provided for depositing amorphous carbon materials. In one aspect, the invention provides a method for processing a substrate including positioning the substrate in a processing chamber, introducing a processing gas into the processing chamber, wherein the processing gas comprises a carrier gas, hydrogen, and one or more precursor compounds, generating a plasma of the processing gas by applying power from a dual-frequency RF source, and depositing an amorphous carbon layer on the substrate.

摘要翻译： 提供了沉积无定形碳材料的方法。 一方面，本发明提供了一种处理衬底的方法，包括将衬底定位在处理室中，将处理气体引入处理室，其中处理气体包括载气，氢气和一种或多种前体化合物，产生 处理气体的等离子体，通过从双频RF源施加电力，以及在基板上沉积无定形碳层。

公开(公告)号：US20050287771A1

公开(公告)日：2005-12-29

申请号：US11065464

申请日：2005-02-24

申请人： Martin Seamons ,  Wendy Yeh ,  Sudha Rathi ,  Deenesh Padhi ,  Andy Luan ,  Sum-Yee Tang ,  Priya Kulkarni ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Bok Kim ,  Hichem M'Saad ,  Yuxiang Wang ,  Michael Kwan

发明人： Martin Seamons ,  Wendy Yeh ,  Sudha Rathi ,  Deenesh Padhi ,  Andy Luan ,  Sum-Yee Tang ,  Priya Kulkarni ,  Visweswaren Sivaramakrishnan ,  Bok Kim ,  Hichem M'Saad ,  Yuxiang Wang ,  Michael Kwan

IPC分类号： C23C16/505 ,  H01L21/314 ,  H01L21/768 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/36

CPC分类号： C23C16/505 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76829

摘要： Methods are provided for depositing amorphous carbon materials. In one aspect, the invention provides a method for processing a substrate including positioning the substrate in a processing chamber, introducing a processing gas into the processing chamber, wherein the processing gas comprises a carrier gas, hydrogen, and one or more precursor compounds, generating a plasma of the processing gas by applying power from a dual-frequency RF source, and depositing an amorphous carbon layer on the substrate.

摘要翻译： 提供用于沉积无定形碳材料的方法。 一方面，本发明提供了一种处理衬底的方法，包括将衬底定位在处理室中，将处理气体引入处理室，其中处理气体包括载气，氢气和一种或多种前体化合物，产生 处理气体的等离子体，通过从双频RF源施加电力，以及在基板上沉积无定形碳层。

公开(公告)号：US07851384B2

公开(公告)日：2010-12-14

申请号：US11751516

申请日：2007-05-21

申请人： Yijun Liu ,  Huiwen Xu ,  Li-Qun Xia ,  Chad Peterson ,  Hichem M'Saad

发明人： Yijun Liu ,  Huiwen Xu ,  Li-Qun Xia ,  Chad Peterson ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/022 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76832

摘要： Methods are provided for processing a substrate comprising a bilayer barrier film thereon. In one aspect, a method comprises depositing a first barrier layer, depositing a second barrier layer on the first barrier layer, depositing a dielectric layer on the bilayer barrier film formed by the first barrier layer and the second barrier layer, and ultraviolet curing the dielectric layer. In another aspect, a method comprises depositing a first barrier layer, depositing a second barrier layer on the first barrier layer, depositing a dielectric layer on the bilayer barrier film formed by the first barrier layer and the second barrier layer, and curing the dielectric layer with an electron beam treatment.

摘要翻译： 提供了用于处理其上包含双层阻挡膜的基材的方法。 一方面，一种方法包括沉积第一阻挡层，在第一阻挡层上沉积第二阻挡层，在由第一阻挡层和第二阻挡层形成的双层阻挡膜上沉积介电层，以及紫外线固化电介质 层。 在另一方面，一种方法包括沉积第一阻挡层，在第一阻挡层上沉积第二阻挡层，在由第一阻挡层和第二阻挡层形成的双层阻挡膜上沉积介电层，以及使介电层 用电子束处理。

公开(公告)号：US07501355B2

公开(公告)日：2009-03-10

申请号：US11478273

申请日：2006-06-29

申请人： Ritwik Bhatia ,  Li-Qun Xia ,  Chad Peterson ,  Hichem M'Saad

发明人： Ritwik Bhatia ,  Li-Qun Xia ,  Chad Peterson ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/0332 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829

摘要： Methods for forming silicon nitride hard masks are provided. The silicon nitride hard masks include carbon-doped silicon nitride layers and undoped silicon nitride layers. Carbon-doped silicon nitride layers that are deposited from a mixture comprising a carbon source compound, a silicon source compound, and a nitrogen source in the presence of RF power are provided. Also provided are methods of UV post-treating silicon nitride layers to provide silicon nitride hard masks. The carbon-doped silicon nitride layers and UV post-treated silicon nitride layers have desirable wet etch rates and dry etch rates for hard mask layers.

摘要翻译： 提供了形成氮化硅硬掩模的方法。 氮化硅硬掩模包括碳掺杂的氮化硅层和未掺杂的氮化硅层。 提供了在RF功率存在下由包含碳源化合物，硅源化合物和氮源的混合物沉积的碳掺杂氮化硅层。 还提供了UV后处理氮化硅层以提供氮化硅硬掩模的方法。 碳掺杂的氮化硅层和UV后处理的氮化硅层对于硬掩模层具有期望的湿蚀刻速率和干蚀刻速率。