公开(公告)号：US07470473B2

公开(公告)日：2008-12-30

申请号：US11594732

申请日：2006-11-09

申请人： Hans J. Eisler ,  Vikram C. Sundar ,  Michael E. Walsh ,  Victor I. Klimov ,  Moungi G. Bawendi ,  Henry I. Smith

发明人： Hans J. Eisler ,  Vikram C. Sundar ,  Michael E. Walsh ,  Victor I. Klimov ,  Moungi G. Bawendi ,  Henry I. Smith

IPC分类号： B32B9/00

CPC分类号： C30B29/605 ,  C30B5/00 ,  G02B6/122 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02601 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/22 ,  H01L29/26 ,  Y10S977/813 ,  Y10T428/12528 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/252 ,  Y10T428/31678

摘要： A structure including a grating and a semiconductor nanocrystal layer on the grating, can be a laser. The semiconductor nanocrystal layer can include a plurality of semiconductor nanocrystals including a Group II-VI compound, the nanocrystals being distributed in a metal oxide matrix. The grating can have a periodicity from 200 nm to 500 nm.

摘要翻译： 在光栅上包括光栅和半导体纳米晶体层的结构可以是激光。 半导体纳米晶体层可以包括多个包括II-VI族化合物的半导体纳米晶体，纳米晶体分布在金属氧化物基质中。 光栅可以具有从200nm到500nm的周期。

公开(公告)号：US07470379B2

公开(公告)日：2008-12-30

申请号：US11080946

申请日：2005-03-16

申请人： George P. Anderson ,  Hedi Mattoussi ,  J. Matthew Mauro ,  Moungi G. Bawendi ,  Vikram C. Sundar

发明人： George P. Anderson ,  Hedi Mattoussi ,  J. Matthew Mauro ,  Moungi G. Bawendi ,  Vikram C. Sundar

IPC分类号： C09K11/54 ,  C12P21/00

CPC分类号： B82Y15/00 ,  G01N33/551 ,  G01N33/588

摘要： The ionic conjugates include an inorganic particle electrostatically associated with a macromolecule which can interact specifically with predetermined chemical species or biological targets.

摘要翻译： 离子共轭物包括与大分子静电相关的无机颗粒，其可以与预定的化学物质或生物靶相互作用。

公开(公告)号：US07390568B2

公开(公告)日：2008-06-24

申请号：US10638546

申请日：2003-08-12

申请人： Sungjee Kim ,  Moungi G. Bawendi

发明人： Sungjee Kim ,  Moungi G. Bawendi

IPC分类号： B32B5/16

CPC分类号： G01N33/588 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C09K11/883 ,  C30B7/00 ,  C30B29/605 ,  C30B33/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02409 ,  H01L21/02411 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02601 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/165 ,  H01L29/205 ,  H01L29/225 ,  H01L29/267 ,  H01L51/426 ,  Y02E10/549 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/777 ,  Y10S977/811 ,  Y10T428/12021 ,  Y10T428/12528 ,  Y10T428/12986 ,  Y10T428/294 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/315

摘要： A semiconductor nanocrystal heterostructure has a core of a first semiconductor material surrounded by an overcoating of a second semiconductor material. Upon excitation, one carrier can be substantially confined to the core and the other carrier can be substantially confined to the overcoating.

摘要翻译： 半导体纳米晶体异质结构具有由第二半导体材料的外涂层包围的第一半导体材料的芯。 在激发时，一个载体可以基本上限于核心，另一个载体可以基本上局限于外涂层。

公开(公告)号：US06607829B1

公开(公告)日：2003-08-19

申请号：US09625861

申请日：2000-07-26

申请人： Moungi G. Bawendi ,  Frederic V. Mikulec ,  Sungjee Kim

发明人： Moungi G. Bawendi ,  Frederic V. Mikulec ,  Sungjee Kim

IPC分类号： B32B516

CPC分类号： C09K11/883 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B17/20 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/52 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/80 ,  C01P2004/86 ,  C01P2006/60 ,  C07F9/224 ,  C07F9/5304 ,  C09K11/02 ,  C09K11/565 ,  C09K11/885 ,  C09K11/892 ,  C30B7/00 ,  C30B7/14 ,  C30B29/46 ,  C30B29/48 ,  C30B29/60 ,  C30B29/605 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/777 ,  Y10S977/813 ,  Y10S977/824 ,  Y10S977/832 ,  Y10T428/12035 ,  Y10T428/12049 ,  Y10T428/12181 ,  Y10T428/12986 ,  Y10T428/2982 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/2993

摘要： Tellurium-containing nanocrystallites are produced by injection of a precursor into a hot coordinating solvent, followed by controlled growth and annealing. Nanocrystallites may include CdTe, ZnTe, MgTe, HgTe, or alloys thereof. The nanocrystallites can photoluminesce with quantum efficiencies as high as 70%.

摘要翻译： 含碲的纳米晶体通过将前体注入热配位溶剂中，随后进行受控生长和退火来制备。 纳米晶体可以包括CdTe，ZnTe，MgTe，HgTe或其合金。 纳米晶体的光致发光率可以高达70％。

公开(公告)号：US09759727B2

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：US13069458

申请日：2011-03-23

申请人： Hee-Sun Han ,  Wenhao Liu ,  Moungi G. Bawendi

发明人： Hee-Sun Han ,  Wenhao Liu ,  Moungi G. Bawendi

IPC分类号： G01N33/58 ,  A61K49/00 ,  B82Y15/00

CPC分类号： G01N33/588 ,  A61K49/0041 ,  A61K49/0054 ,  A61K49/0067 ,  B82Y15/00

摘要： In this invention, polyimidazole ligands (PILs) incorporating pendant imidazole moieties for nanocrystal binding and either sulfonatebetaine, carboxybetaine, or phosphocholinebetaine moieties for water-solubilization have been developed. Greatly enhanced stability of nanocrystals (both over time and in wide pH range) was achieved by incorporating multi-dentate imidazole moieties which provide strong coordination of the ligand to the nanocrystal surface and prevent aggregation of nanocrystals. Synthesis of betaine PILs was developed by modifying the synthesis of recently developed PEG containing poly imidazole ligands (PEG PILs). These nanocrystals are compact, water soluble, and biocompatible.

公开(公告)号：US09574134B2

公开(公告)日：2017-02-21

申请号：US12776126

申请日：2010-05-07

申请人： Vanessa Wood ,  Matthew J. Panzer ,  Jonathan E. Halpert ,  Moungi G. Bawendi ,  Vladimir Bulovic

发明人： Vanessa Wood ,  Matthew J. Panzer ,  Jonathan E. Halpert ,  Moungi G. Bawendi ,  Vladimir Bulovic

IPC分类号： H01L31/12 ,  C09K11/56 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22

CPC分类号： C09K11/565 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22

摘要： A voltage driven light emitting device includes an electroluminescent material and semiconductor nanocrystals, luminescent organic small molecules, mixtures of emissive species molecules, or conductive polymers. The semiconductor nanocrystals, luminescent organic small molecules, mixtures of emissive species molecules, or conductive polymers emit light. The semiconductor nanocrystals, luminescent organic small molecules, mixtures of emissive species molecules, or conductive polymers can be doped to provide desired emission characteristics. Devices that share a substrate and emit more than one color may be conveniently made.

摘要翻译： 电压驱动发光器件包括电致发光材料和半导体纳米晶体，发光有机小分子，发射物质分子的混合物或导电聚合物。 半导体纳米晶体，发光有机小分子，发射物质分子的混合物或导电聚合物发光。 可以掺杂半导体纳米晶体，发光有机小分子，发射物质分子的混合物或导电聚合物以提供期望的发射特性。 可以方便地制造共享衬底并发射多种颜色的装置。

公开(公告)号：US09505978B2

公开(公告)日：2016-11-29

申请号：US12376364

申请日：2007-08-09

申请人： Jonathan E. Halpert ,  Polina O. Anikeeva ,  Moungi G. Bawendi ,  Vladimir Bulovic

发明人： Jonathan E. Halpert ,  Polina O. Anikeeva ,  Moungi G. Bawendi ,  Vladimir Bulovic

IPC分类号： C09K11/56 ,  H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C09K11/02 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L33/08

CPC分类号： C09K11/883 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/025 ,  C09K11/565 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L51/50 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/502 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5221 ,  H01L51/56 ,  H05B33/14 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/824 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/896 ,  Y10S977/95 ,  Y10S977/952

摘要： A blue light emitting semiconductor nanocrystal having an quantum yield of greater than 20% can be incorporated in a light emitting device.

摘要翻译： 可以在发光器件中并入具有大于20％的量子产率的蓝色发光半导体纳米晶体。

公开(公告)号：US09093657B2

公开(公告)日：2015-07-28

申请号：US12162840

申请日：2007-02-14

申请人： Seth A. Coe-Sullivan ,  Vladimir Bulovic ,  Jonathan Steckel ,  Moungi G. Bawendi ,  Polina O. Anikeeva ,  Jonathan E. Halpert

发明人： Seth A. Coe-Sullivan ,  Vladimir Bulovic ,  Jonathan Steckel ,  Moungi G. Bawendi ,  Polina O. Anikeeva ,  Jonathan E. Halpert

IPC分类号： H01L33/08 ,  H01L33/00 ,  H01L51/50 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

CPC分类号： H01L51/5012 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L33/00 ,  H01L33/08 ,  H01L51/502 ,  H01L51/5036

摘要： A white light emitting semiconductor nanocrystal includes a plurality of semiconductor nanocrystals.

摘要翻译： 白色发光半导体纳米晶体包括多个半导体纳米晶体。

公开(公告)号：US08748933B2

公开(公告)日：2014-06-10

申请号：US13417894

申请日：2012-03-12

申请人： Moungi G. Bawendi ,  Sang-wook Kim ,  John P. Zimmer

发明人： Moungi G. Bawendi ,  Sang-wook Kim ,  John P. Zimmer

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： C09K11/565 ,  C09K11/7492 ,  C09K11/883 ,  C30B7/14 ,  C30B29/40 ,  C30B29/60 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/83

摘要： Semiconductor nanocrystals including III-V semiconductors can include a core including III-V alloy. The nanocrystal can include an overcoating including a II-VI semiconductor.

摘要翻译： 包括III-V半导体的半导体纳米晶体可以包括包括III-V合金的芯。 纳米晶体可以包括包括II-VI半导体的外涂层。

公开(公告)号：US20130240787A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13421527

申请日：2012-03-15

申请人： Ou Chen ,  Moungi G. Bawendi

发明人： Ou Chen ,  Moungi G. Bawendi

IPC分类号： C09K11/88 ,  B82Y20/00

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B82Y20/00 ,  C09K11/02 ,  C09K11/565 ,  C09K11/881

摘要： A method of making a nanocrystal includes slowly infusing a M-containing compound and a X donor into a mixture including a nanocrystal core, thereby forming an overcoating including M and X on the core.

摘要翻译： 制造纳米晶体的方法包括将含M化合物和X供体缓慢地注入包含纳米晶核的混合物中，从而在芯上形成包括M和X的外涂层。