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    Hierarchical on-chip memory
    63.
    发明授权
    Hierarchical on-chip memory 有权
    分层片上存储器

    公开(公告)号：US08885422B2

    公开(公告)日：2014-11-11

    申请号：US13256242

    申请日：2009-06-12

    申请人： Gilberto Medeiros Ribeiro ,  R. Stanley Williams ,  Matthew D. Pickett

    发明人： Gilberto Medeiros Ribeiro ,  R. Stanley Williams ,  Matthew D. Pickett

    IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C5/06 ,  G11C5/02

    CPC分类号： G11C5/02 ,  G11C5/063 ,  G11C2213/71

    摘要： A hierarchical on-chip memory (400) includes an area distributed CMOS layer (310) comprising input/output functionality and volatile memory and via array (325, 330), the area distributed CMOS layer (310) configured to selectively address the via array (325, 330). A crossbar memory (305) overlies the area distributed CMOS layer (310) and includes programmable crosspoint devices (315) which are uniquely accessed through the via array (325, 330). A method for utilizing hierarchical on-chip memory (400) includes storing frequently rewritten data in a volatile memory and storing data which is not frequently rewritten in a non-volatile memory (305), where the volatile memory is contained within an area distributed CMOS layer (310) and the non-volatile memory (305) is formed over and accessed through the area distributed CMOS layer (310).

    摘要翻译： 分层片上存储器（400）包括包括输入/​​输出功能的区域分布式CMOS层（310）和易失性存储器和通孔阵列（325,330），所述区域分布式CMOS层（310）被配置为选择性地寻址通孔阵列 （325,330）。 交叉开关存储器（305）覆盖区域分布式CMOS层（310），并且包括通过通孔阵列（325,330）唯一访问的可编程交叉点设备（315）。 一种用于利用分层片上存储器（400）的方法包括：将经常重写的数据存储在易失性存储器中，并将非频繁重写的数据存储在非易失性存储器（305）中，其中易失性存储器包含在区域分布式CMOS 层（310）和非易失性存储器（305）形成在区域分布式CMOS层（310）上并通过区域分布式CMOS层（310）访问。

    SHIFTABLE MEMORY EMPLOYING RING REGISTERS
    64.
    发明申请
    SHIFTABLE MEMORY EMPLOYING RING REGISTERS 有权
    可移动存储器使用环形寄存器

    公开(公告)号：US20140304467A1

    公开(公告)日：2014-10-09

    申请号：US14349352

    申请日：2011-10-27

    申请人： Matthew D. Pickett ,  R. Stanley Williams ,  Gilberto M. Ribeiro

    发明人： Matthew D. Pickett ,  R. Stanley Williams ,  Gilberto M. Ribeiro

    IPC分类号： G11C7/10 ,  G06F5/08

    CPC分类号： G06F5/08 ,  G11C7/1012 ,  G11C7/1036 ,  G11C19/00 ,  G11C19/28 ,  G11C21/00

    摘要： Shiftable memory employs ring registers to shift a contiguous subset of data words stored in the ring registers within the shiftable memory. A shiftable memory includes a memory having built-in word-level shifting capability. The memory includes a plurality of ring registers to store data words. A contiguous subset of data words is shiftable between sets of the ring registers of the plurality from a first location to a second location within the memory. The contiguous subset of data words has a size that is smaller than a total size of the memory. The memory shifts only data words stored inside the contiguous subset when the contiguous subset is shifted.

    摘要翻译： 可移动存储器使用振铃寄存器来移位存储在可移位存储器内的环形寄存器中的数据字的连续子集。 可移位存储器包括具有内置字级移位能力的存储器。 存储器包括多个用于存储数据字的环形寄存器。 数据字的连续子集可在存储器内的第一位置到第二位置的多个环形寄存器的集合之间移位。 数据字的连续子集具有小于存储器总大小的大小。 当连续子集移位时，存储器仅移动存储在连续子集内的数据字。

    Electrically actuated switch
    65.
    发明授权
    Electrically actuated switch 有权
    电动开关

    公开(公告)号：US08766224B2

    公开(公告)日：2014-07-01

    申请号：US11542986

    申请日：2006-10-03

    申请人： R. Stanley Williams

    发明人： R. Stanley Williams

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/08 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0009 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/53 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H03K17/00

    摘要： An electrically actuated switch comprises a first electrode, a second electrode, and an active region disposed therebetween. The active region comprises at least one primary active region comprising at least one material that can be doped or undoped to change its electrical conductivity, and a secondary active region comprising at least one material for providing a source/sink of ionic species that act as dopants for the primary active region(s). Methods of operating the switch are also provided.

    摘要翻译： 电驱动开关包括第一电极，第二电极和设置在它们之间的有源区域。 活性区域包括至少一个主要活性区域，其包含至少一种可被掺杂或未掺杂以改变其导电性的材料，以及包含至少一种材料的辅助活性区域，用于提供用作掺杂剂的离子物质的源/ 对于主要活动区域。 还提供了操作开关的方法。

    Memcapacitor
    66.
    发明授权
    Memcapacitor 有权
    电容器

    公开(公告)号：US08750024B2

    公开(公告)日：2014-06-10

    申请号：US13256245

    申请日：2009-06-18

    申请人： Alexandre M. Bratkovski ,  R. Stanley Williams

    发明人： Alexandre M. Bratkovski ,  R. Stanley Williams

    IPC分类号： G11C11/24

    CPC分类号： G11C11/24 ,  G11C13/0002 ,  H01G4/1272 ,  H01G4/255 ,  H01G4/33 ,  H01L27/101 ,  H01L28/40

    摘要： A memcapacitor device (100) includes a first electrode (104) and a second electrode (106) and a memcapacitive matrix (102) interposed between the first electrode (104) and the second electrode (106). Mobile dopants (111) are contained within the memcapacitive matrix (102) and are repositioned within the memcapacitive matrix (102) by the application of a programming voltage (126) across the first electrode (104) and second electrode (106) to alter the capacitance of the memcapacitor (100). A method for utilizing a memcapacitive device (100) includes applying a programming voltage (126) across a memcapacitive matrix (102) such that mobile ions (111) contained within a memcapacitive matrix (102) are redistributed and alter a capacitance of the memcapacitive device (100), then removing the programming voltage (126) and applying a reading voltage to sense the capacitance of the memcapacitive device (100).

    摘要翻译： 电容器装置（100）包括插入在第一电极（104）和第二电极（106）之间的第一电极（104）和第二电极（106）和存储电容矩阵（102）。 移动掺杂剂（111）被包含在存储器电容矩阵（102）内，并且通过跨越第一电极（104）和第二电极（106）施加编程电压（126）而重新定位在存储电容矩阵（102）内，以改变 电容器（100）的电容。 一种利用存储电容器件（100）的方法包括跨越存储电容矩阵（102）施加编程电压（126），使得包含在存储电容矩阵（102）内的移动离子（111）被重新分配并改变存储器件的电容 （100），然后去除所述编程电压（126）并施加读取电压以感测所述存储器件（100）的电容。

    Image-rotation prisms and optical interconnects employing the same
    68.
    发明授权
    Image-rotation prisms and optical interconnects employing the same 有权
    图像旋转棱镜和使用其的光学互连

    公开(公告)号：US08660432B2

    公开(公告)日：2014-02-25

    申请号：US12922098

    申请日：2008-04-02

    申请人： Huei Pei Kuo ,  Robert G. Walmsley ,  Shih-Yuan Wang ,  Michael Renne Ty Tan ,  R. Stanley Williams

    发明人： Huei Pei Kuo ,  Robert G. Walmsley ,  Shih-Yuan Wang ,  Michael Renne Ty Tan ,  R. Stanley Williams

    IPC分类号： H04B10/00

    CPC分类号： G02B5/04 ,  G02B27/642 ,  H01S5/005 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/183 ,  H01S5/50 ,  H04B10/803

    摘要： Embodiments of the present invention relate to a family of image-rotation prisms. Each image-rotation prism has the property that as an image-rotation prism is rotated, an image passing through the image-rotation prism rotates at twice the angular rate of the image-rotation prism. Embodiments of the present invention include optical systems that can be used for board-to-board communications and employ the image-rotation prisms to compensate for arbitrary axial rotations and misalignment of optical signals and can be used to direct optical signals output from transmitters on one board to particular detectors of a detector arrangement located on an adjacent board.

    摘要翻译： 本发明的实施例涉及一系列图像旋转棱镜。 每个图像旋转棱镜具有当图像旋转棱镜旋转时，通过图像旋转棱镜的图像以图像旋转棱镜的角速度的两倍旋转。 本发明的实施例包括可用于板对板通信并使用图像旋转棱镜补偿光信号的任意轴向旋转和未对准的光学系统，并且可以用于将发射机输出的光信号引导到一个 将其连接到位于相邻板上的检测器装置的特定检测器。

    INTEGRATED SENSORS
    69.
    发明申请
    INTEGRATED SENSORS 有权
    集成传感器

    公开(公告)号：US20140028995A1

    公开(公告)日：2014-01-30

    申请号：US13452218

    申请日：2012-04-20

    申请人： Alexandre M. Bratkovski ,  R. Stanley Williams ,  Zhiyong Li

    发明人： Alexandre M. Bratkovski ,  R. Stanley Williams ,  Zhiyong Li

    IPC分类号： G01N21/01

    CPC分类号： G01N21/01 ,  G01N21/648 ,  G01N21/658

    摘要： Examples of integrated sensors are disclosed herein. An example of an integrated sensor includes a flexible substrate, and an array of spaced apart sensing members formed on a surface of the flexible substrate. Each of the spaced apart sensing members includes a plurality of polygon assemblies. The polygon assemblies are arranged in a controlled pattern on the surface of the flexible substrate such that each of the plurality of polygon assemblies is a predetermined distance from each other of the plurality of polygon assemblies, and each of the plurality of polygon assemblies including collapsible signal amplifying structures controllably positioned in a predetermined geometric shape.

    摘要翻译： 本文公开了集成传感器的示例。 集成传感器的示例包括柔性基板和形成在柔性基板的表面上的间隔开的感测部件阵列。 每个间隔开的感测构件包括多个多边形组件。 多边形组件以可控的图案布置在柔性基板的表面上，使得多个多边形组件中的每一个距离多个多边形组件中的彼此之间是预定距离，并且多个多边形组件中的每一个包括可折叠信号 放大结构可控地定位在预定的几何形状。

    IMPLEMENTING LOGIC CIRCUITS WITH MEMRISTORS
    70.
    发明申请
    IMPLEMENTING LOGIC CIRCUITS WITH MEMRISTORS 有权
    用电磁阀实现逻辑电路

    公开(公告)号：US20140028347A1

    公开(公告)日：2014-01-30

    申请号：US13561978

    申请日：2012-07-30

    申请人： Warren Robinett ,  R. Stanley Williams

    发明人： Warren Robinett ,  R. Stanley Williams

    IPC分类号： H03K19/173

    CPC分类号： H03K19/173 ,  G11C13/0007 ,  H03K19/17712 ,  H03K19/17728

    摘要： Implementing logic with memristors may include circuitry with at least three memristors and a bias resistor in a logic cell. One of the at least three memristors is an output memristor within the logic cell and the other memristors of the at least three memristors are input memristors. Each of the at least three memristors and the bias resistor are electrically connected to voltage sources wherein each voltage applied to each of the at least three memristors and the bias resistor and resistance states of the at least three memristors determine a resistance state of the output memristor.

    摘要翻译： 使用忆阻器实现逻辑可以包括在逻辑单元中具有至少三个忆阻器和偏置电阻器的电路。 至少三个忆阻器中的一个是逻辑单元内的输出忆阻器，至少三个忆阻器的其他忆阻器是输入忆阻器。 至少三个忆阻器和偏置电阻器中的每一个电连接到电压源，其中施加到至少三个忆阻器中的每一个的每个电压和至少三个忆阻器的偏置电阻器和电阻状态确定输出忆阻器的电阻状态 。