公开(公告)号：US06787372B1

公开(公告)日：2004-09-07

申请号：US10731162

申请日：2003-12-10

申请人： Kye Nam Lee ,  In Woo Jang ,  Young Jin Park

发明人： Kye Nam Lee ,  In Woo Jang ,  Young Jin Park

IPC分类号： H01G2100

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F41/302 ,  H01L43/12

摘要： The present invention discloses methods for manufacturing MTJ cell of MRAM wherein two annealing process with different magnitudes of applied magnetic fields are performed. In accordance with the method, the formation process of second pinned magnetic layer comprises a first annealing process and a second annealing process, wherein a magnitude of a magnetic field applied during the first annealing process being larger than that of a magnetic field applied during the second annealing process.

摘要翻译： 本发明公开了用于制造MRAM的MTJ电池的方法，其中执行具有不同施加磁场强度的两个退火工艺。 根据该方法，第二钉扎磁性层的形成过程包括第一退火处理和第二退火处理，其中在第一退火处理期间施加的磁场的大小大于在第二退火处理期间施加的磁场的幅度 退火工艺。