公开(公告)号：US06330135B1

公开(公告)日：2001-12-11

申请号：US09408125

申请日：1999-09-29

申请人： Takashi Manako ,  Yoshinori Konishi ,  Masashi Kawasaki ,  Yoshinori Tokura ,  Kei-Ichiro Kobayashi ,  Makoto Izumi

发明人： Takashi Manako ,  Yoshinori Konishi ,  Masashi Kawasaki ,  Yoshinori Tokura ,  Kei-Ichiro Kobayashi ,  Makoto Izumi

IPC分类号： G11B5127

CPC分类号： H01F10/28 ,  G01R33/09 ,  H01F10/1933

摘要： A magneto-resistance effect element includes an oxide substrate having on its surface steps of atomic layer level and on the substrate an epitaxially grown ferromagnetic oxide thin film, the thin film formed on the atomic layer level steps having an antiphased domain boundary.

摘要翻译： 磁阻效应元件包括在其表面具有原子层级台阶的氧化物衬底和衬底上的外延生长的铁磁性氧化物薄膜，该薄膜形成在具有反相域边界的原子层级上。