公开(公告)号：US06420099B1

公开(公告)日：2002-07-16

申请号：US09366132

申请日：1999-08-02

申请人： Martin Gutsche ,  Satish D. Athavale

发明人： Martin Gutsche ,  Satish D. Athavale

IPC分类号： G03C500

CPC分类号： H01L21/32139 ,  H01L21/32136

摘要： A method for patterning an aluminum-containing layer. A tungsten-containing layer is provided over an aluminum-containing layer. The tungsten-containing layer is patterned to form an opening therein, so that the opening exposes an underlying portion of the aluminum-containing layer. The patterned tungsten-containing layer is exposed to an etch having a substantially higher etch rate of the aluminum-containing layer than of the tungsten-containing layer to remove the exposed portion of the aluminum-containing layer.

摘要翻译： 一种用于图案化含铝层的方法。 含铝层设置在含铝层上。 将含钨层图案化以在其中形成开口，使得开口暴露含铝层的下面部分。 将图案化的含钨层暴露于具有比含钨层更高的含铝层的蚀刻速率的蚀刻以去除含铝层的暴露部分的蚀刻。

公开(公告)号：US06177353B1

公开(公告)日：2001-01-23

申请号：US09153390

申请日：1998-09-15

申请人： Martin Gutsche ,  Peter Strobl ,  Stephan Wege ,  Eike Lueken ,  Georg Stojakovic ,  Bruno Spuler

发明人： Martin Gutsche ,  Peter Strobl ,  Stephan Wege ,  Eike Lueken ,  Georg Stojakovic ,  Bruno Spuler

IPC分类号： H01L21027

CPC分类号： H01L21/02071 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139

摘要： A method for reducing polymer deposition on vertical surfaces of metal lines etched from a metallization layer disposed above a substrate. The method includes forming a hard mask layer above the metallization layer and providing a photoresist mask above the hard mask layer. The method further includes employing the photoresist mask to form a hard mask from the hard mask layer. The hard mask has patterns therein configured to form the metal lines in a subsequent plasma-enhanced metallization etch. There is also included removing the photoresist mask. Additionally, there is included performing the plasma-enhanced metallization etch employing the hard mask and an etchant source gas that includes Cl2 and at least one passivation-forming chemical, wherein the plasma-enhanced metallization etch is performed without employing photoresist to reduce the polymer deposition during the plasma-enhanced metallization etch.

摘要翻译： 一种用于减少从设置在基板上方的金属化层蚀刻的金属线的垂直表面上的聚合物沉积的方法。 该方法包括在金属化层之上形成硬掩模层，并在硬掩模层之上提供光刻胶掩模。 该方法还包括使用光致抗蚀剂掩模从硬掩模层形成硬掩模。 硬掩模具有其中的图案，其配置成在随后的等离子体增强金属化蚀刻中形成金属线。 还包括去除光刻胶掩模。 另外，包括使用硬掩模和包括Cl 2和至少一种钝化形成化学品的蚀刻剂源气体进行等离子体增强的金属化蚀刻，其中在不使用光致抗蚀剂的情况下执行等离子体增强金属化蚀刻以减少聚合物沉积 在等离子体增强的金属化蚀刻期间。