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81.发明申请SEMICONDUCTIVE MEMBER, AND DEVELOPING ROLL, CHARGING ROLL, TRANSFER BELT, AND IMAGE FORMING APPARATUS USING SAME 有权半导体成员和开发滚子，充电滚筒，转印带和使用相同的图像形成装置公开(公告)号：US20100150609A1
公开(公告)日：2010-06-17
申请号：US12622692
申请日：2009-11-20
申请人： Chiyoshi Nozaki , Tetsumaru Fujita , Shintaro Yamada , Yuji Nagatomo , Shin Murayama , Manabu Hamada , Yoshimichi Ishikawa
发明人： Chiyoshi Nozaki , Tetsumaru Fujita , Shintaro Yamada , Yuji Nagatomo , Shin Murayama , Manabu Hamada , Yoshimichi Ishikawa
CPC分类号： G03G15/0818 , G03G15/0233 , Y10T428/25
摘要： A semiconductive member including an alkali metal salt having the formula (M)n·X in a surface layer thereof. M represents Na+, K+, or Li+; X represents Cl−, Br−, I−, F−, CH3COO−, CF3COO−, CH(COOH)CHCOO−, (CHCOO−)2, CH2(COOH)CH2COO−, (CH2COO−)2, (HOOC)Ar(COO−), Ar(COO−)2, (HOOC)2Ar(COO−), (HOOC)Ar(COO−)2, Ar(COO−)3, (HOOC)3Ar(COO−), (HOOC)2Ar(COO−)2, (HOOC)Ar (COO−)3, Ar(COO−)4, Ar—SO3−, Ar(SO3−)2, an oligomer or a polymer having an acrylic acid anion unit, or an oligomer or a polymer having an methacrylic acid anion unit; Ar represents a benzene ring, a naphthalene ring, or a biphenyl ring; and n is a numeral equivalent to the anionic valence of X.
摘要翻译： 包含其表面层中具有式（M）n·X的碱金属盐的半导体构件。 M表示Na +，K +或Li +; X代表Cl-，Br-，I-，F-，CH3COO-，CF3COO-，CH（COOH）CHCOO-，（CHCOO-）2，CH2（COOH）CH2COO-，（CH2COO-）2，（HOOC） （COO-）2，（COO-）2，（HOOC）2，（COO-），（HOOC）Ar（COO-）2，Ar（COO-）3，（HOOC） 2Ar（COO-）2，（HOOC）Ar（COO-）3，Ar（COO-）4，Ar-SO3-，Ar（SO3-）2，具有丙烯酸阴离子单元的低聚物或聚合物， 低聚物或具有甲基丙烯酸阴离子单元的聚合物; Ar表示苯环，萘环或联苯环; 和n是等价于X的阴离子价数的数字。
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82.发明授权Semiconductive member, and developing roll, charging roll, transfer belt, and image forming apparatus using same 有权半导电构件，显影辊，充电辊，转印带和使用其的成像装置公开(公告)号：US08354164B2
公开(公告)日：2013-01-15
申请号：US12622692
申请日：2009-11-20
申请人： Chiyoshi Nozaki , Tetsumaru Fujita , Shintaro Yamada , Yuji Nagatomo , Shin Murayama , Manabu Hamada , Yoshimichi Ishikawa
发明人： Chiyoshi Nozaki , Tetsumaru Fujita , Shintaro Yamada , Yuji Nagatomo , Shin Murayama , Manabu Hamada , Yoshimichi Ishikawa
CPC分类号： G03G15/0818 , G03G15/0233 , Y10T428/25
摘要： A semiconductive member including an alkali metal salt having the formula (M)n.X in a surface layer thereof. M represents Na+, K+, or Li+; X represents Cl−, Br−, I−, F−, CH3COO−, CF3COO−, CH(COOH)CHCOO−, (CHCOO−)2, CH2(COOH)CH2COO−, (CH2COO−)2, (HOOC)Ar(COO−), Ar(COO−)2, (HOOC)2Ar(COO−), (HOOC)Ar(COO−)2, Ar(COO−)3, (HOOC)3Ar(COO−), (HOOC)2Ar(COO−)2, (HOOC)Ar(COO−)3, Ar(COO−)4, Ar—SO3−, Ar(SO3−)2, an oligomer or a polymer having an acrylic acid anion unit, or an oligomer or a polymer having an methacrylic acid anion unit; Ar represents a benzene ring, a naphthalene ring, or a biphenyl ring; and n is a numeral equivalent to the anionic valence of X.
摘要翻译： 包含其表面层中具有式（M）n.X的碱金属盐的半导体构件。 M表示Na +，K +或Li +; X代表Cl-，Br-，I-，F-，CH3COO-，CF3COO-，CH（COOH）CHCOO-，（CHCOO-）2，CH2（COOH）CH2COO-，（CH2COO-）2，（HOOC） （COO-）2，（COO-）2，（HOOC）2，（COO-），（HOOC）Ar（COO-）2，Ar（COO-）3，（HOOC） 2Ar（COO-）2，（HOOC）Ar（COO-）3，Ar（COO-）4，Ar-SO3-，Ar（SO3-）2，具有丙烯酸阴离子单元的低聚物或聚合物， 低聚物或具有甲基丙烯酸阴离子单元的聚合物; Ar表示苯环，萘环或联苯环; 和n是等价于X的阴离子价数的数字。
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