公开(公告)号：US20100032644A1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：US12307586

申请日：2008-03-28

申请人： Katsushi Akita ,  Takashi Kyono ,  Keiji Ishibashi ,  Hitoshi Kasai

发明人： Katsushi Akita ,  Takashi Kyono ,  Keiji Ishibashi ,  Hitoshi Kasai

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

摘要： An active layer (17) is provided so as to emit light having an emission wavelength in the 440 nm to 550 nm band. A first-conductivity-type gallium nitride semiconductor region (13), the active layer (17), and a second-conductivity-type gallium nitride semiconductor region (15) are arranged along a predetermined axis (Ax). The active layer (17) includes a well layer composed of hexagonal InxGa1-xN (0.16≦x≦0.4, x: strained composition), with the indium fraction x represented by the strained composition. The m-plane of the hexagonal InxGa1-xN is oriented along the predetermined axis (Ax). The well-layer thickness is between greater than 3 nm and less than or equal to 20 nm. Having the well-layer thickness be over 3 nm makes it possible to fabricate light-emitting devices having an emission wavelength of over 440 nm.

摘要翻译： 提供有源层（17）以发射具有440nm至550nm波段的发射波长的光。 第一导电型氮化镓半导体区域（13），有源层（17）和第二导电型氮化镓半导体区域（15）沿预定轴线（Ax）布置。 活性层（17）包括由六方晶系In x Ga 1-x N（0.16 <= x <= 0.4，x：应变组成）构成的阱层，其中铟组分x由应变组合物表示。 六边形In x Ga 1-x N的m面沿预定轴线（Ax）取向。 阱层厚度大于3nm且小于或等于20nm。 具有超过3nm的阱层厚度使得可以制造发射波长超过440nm的发光器件。

公开(公告)号：US20080035910A1

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：US11874908

申请日：2007-10-19

申请人： Takashi Kyono ,  Katsushi Akita ,  Yusuke Yoshizumi

发明人： Takashi Kyono ,  Katsushi Akita ,  Yusuke Yoshizumi

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06

摘要： In a nitride semiconductor light-emitting device (11), an emission region (17) has a quantum well structure (19), and lies between an n-type gallium nitride semiconductor region (13) and a p-type gallium nitride semiconductor region (15). The quantum well structure (19) includes a plurality of first well layers (21) composed of InxGa1-xN, one or a plurality of second well layers (23) composed of InyGa1-yN, and barrier layers (25). The first and second well layers (21) and (23) are arranged in alternation with the barrier layers (25). The second well layers (23) lie between the first well layers (21) and the p-type gallium nitride semiconductor region (15). The indium component y of the second well layers (23) is smaller than indium component x of the first well layers (21), and the thickness DW2 of the second well layers (23) is greater than the thickness DW1 of the first well layers (21).

摘要翻译： 在氮化物半导体发光装置（11）中，发光区域（17）具有量子阱结构（19），位于n型氮化镓半导体区域（13）和p型氮化镓半导体区域 （15）。 量子阱结构（19）包括由多个第一阱层（21）组成的多个第一阱层（21），一个或多个第二阱层（ 23），以及阻挡层（25）构成。 第一和第二阱层（21）和（23）被布置成与阻挡层（25）交替。 第二阱层（23）位于第一阱层（21）和p型氮化镓半导体区域（15）之间。 第二阱层（23）的铟成分y小于第一阱层（21）的铟成分x，第二阱层（23）的厚度D W2 W2大于 第一阱层（21）的厚度D 。

公开(公告)号：US07883915B2

公开(公告)日：2011-02-08

申请号：US12429322

申请日：2009-04-24

申请人： Masaki Ueno ,  Takashi Kyono

发明人： Masaki Ueno ,  Takashi Kyono

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01S2302/00 ,  H01S2304/04

摘要： A method of making a nitride semiconductor laser comprises forming a first InGaN film for an active layer on a gallium nitride based semiconductor region, and the first InGaN film has a first thickness. In the formation of the first InGaN film, a first gallium raw material, a first indium raw material, and a first nitrogen raw material are supplied to a reactor to deposit a first InGaN for forming the first InGaN film at a first temperature, and the first InGaN has a thickness thinner than the first thickness. Next, the first InGaN is heat-treated at a second temperature lower than the first temperature in the reactor, while supplying a second indium raw material and a second nitrogen raw material to the reactor. Then, after the heat treatment, a second InGaN is deposited at least once to form the first InGaN film.

摘要翻译： 制造氮化物半导体激光器的方法包括在氮化镓基半导体区域上形成用于有源层的第一InGaN膜，并且第一InGaN膜具有第一厚度。 在第一InGaN膜的形成中，将第一镓原料，第一铟原料和第一氮原料供给到反应器，以在第一温度下沉积用于形成第一InGaN膜的第一InGaN， 第一InGaN具有比第一厚度更薄的厚度。 接着，将第一InGaN在比反应器中的第一温度低的第二温度下进行热处理，同时向反应器供给第二铟原料和第二氮原料。 然后，在热处理之后，将至少一次沉积第二InGaN以形成第一InGaN膜。

公开(公告)号：US08884306B2

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US13353707

申请日：2012-01-19

申请人： Takashi Kyono ,  Kuniaki Ishihara ,  Akihiro Hachigo ,  Takahisa Yoshida ,  Masaki Ueno ,  Makoto Kiyama

发明人： Takashi Kyono ,  Kuniaki Ishihara ,  Akihiro Hachigo ,  Takahisa Yoshida ,  Masaki Ueno ,  Makoto Kiyama

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L31/0256 ,  H01L33/00 ,  H01L33/02

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/025

摘要： A semiconductor device includes a supporting substrate, a conductive layer placed on the supporting substrate, and at least one group III nitride semiconductor layer placed on the conductive layer. Of the group III nitride semiconductor layers, a conductive-layer-neighboring group III nitride semiconductor layer has n type conductivity, dislocation density of at most 1×107 cm−2, and oxygen concentration of at most 5×1018 cm−3. Thus, an n-down type device having a semiconductor layer of high crystallinity can be provided.

摘要翻译： 半导体器件包括支撑衬底，放置在支撑衬底上的导电层和放置在导电层上的至少一个III族氮化物半导体层。 在III族氮化物半导体层中，导电层相邻的III族氮化物半导体层具有n型导电性，位错密度至多为1×107cm-2，氧浓度为至多5×1018cm-3。 因此，可以提供具有高结晶度的半导体层的n型型器件。

公开(公告)号：US08295317B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US12878298

申请日：2010-09-09

申请人： Masaki Ueno ,  Takashi Kyono

发明人： Masaki Ueno ,  Takashi Kyono

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01S2302/00 ,  H01S2304/04

摘要： A method of making a nitride semiconductor laser comprises forming a first InGaN film for an active layer on a gallium nitride based semiconductor region, and the first InGaN film has a first thickness. In the formation of the first InGaN film, a first gallium raw material, a first indium raw material, and a first nitrogen raw material are supplied to a reactor to deposit a first InGaN for forming the first InGaN film at a first temperature, and the first InGaN has a thickness thinner than the first thickness. Next, the first InGaN is heat-treated at a second temperature lower than the first temperature in the reactor, while supplying a second indium raw material and a second nitrogen raw material to the reactor. Then, after the heat treatment, a second InGaN is deposited at least once to form the first InGaN film.

摘要翻译： 制造氮化物半导体激光器的方法包括在氮化镓基半导体区域上形成用于有源层的第一InGaN膜，并且第一InGaN膜具有第一厚度。 在第一InGaN膜的形成中，将第一镓原料，第一铟原料和第一氮原料供给到反应器，以在第一温度下沉积用于形成第一InGaN膜的第一InGaN， 第一InGaN具有比第一厚度更薄的厚度。 接着，将第一InGaN在比反应器中的第一温度低的第二温度下进行热处理，同时向反应器供给第二铟原料和第二氮原料。 然后，在热处理之后，将至少一次沉积第二InGaN以形成第一InGaN膜。

公开(公告)号：US07781314B2

公开(公告)日：2010-08-24

申请号：US11958315

申请日：2007-12-17

申请人： Takashi Kyono ,  Masaki Ueno

发明人： Takashi Kyono ,  Masaki Ueno

IPC分类号： H01L21/306 ,  C30B23/02

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  Y10S438/906

摘要： Affords a manufacturing method enabling nitride-based semiconductor devices containing epitaxial films excelling in flatness and crystallinity to be easily produced. Method of manufacturing nitride semiconductor devices that are formed onto a semiconductor substrate being a compound containing nitrogen, and a Group IIIA element for forming compounds with nitrogen, including steps of: heating the semiconductor substrate (1) to a film-deposition temperature; supplying to the substrate a film-deposition gas containing a source gas for the Group IIIA element and a nitrogen source gas; and epitaxially growing onto the semiconductor substrate a thin film (2) of a compound containing nitrogen and the Group IIIA element; and being furnished with a step, in advance of the epitaxial growth step, of heating the semiconductor substrate to a pretreating temperature less than the film-deposition temperature, to clean the surface of the semiconductor substrate.

摘要翻译： 提供一种能够容易地生产出具有优异的平坦度和结晶度的外延膜的基于氮化物的半导体器件的制造方法。 制造形成在含有氮的化合物的半导体衬底上的氮化物半导体器件的制造方法和用于形成氮化合物的IIIA族元素，包括以下步骤：将半导体衬底（1）加热到成膜温度; 向所述基板供给含有用于所述IIIA族元素的源气体和氮源气体的成膜气体; 并在半导体衬底上外延生长含有氮化合物和IIIA族元素的化合物的薄膜（2）; 并且在外延生长步骤之前，将半导体衬底加热至小于成膜温度的预处理温度，以便清洁半导体衬底的表面。

公开(公告)号：US20080132044A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：US11958315

申请日：2007-12-17

申请人： Takashi Kyono ,  Masaki Ueno

发明人： Takashi Kyono ,  Masaki Ueno

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  Y10S438/906

摘要： Affords a manufacturing method enabling nitride-based semiconductor devices containing epitaxial films excelling in flatness and crystallinity to be easily produced. Method of manufacturing nitride semiconductor devices that are formed onto a semiconductor substrate being a compound containing nitrogen, and a Group IIIA element for forming compounds with nitrogen, including steps of: heating the semiconductor substrate (1) to a film-deposition temperature; supplying to the substrate a film-deposition gas containing a source gas for the Group IIIA element and a nitrogen source gas; and epitaxially growing onto the semiconductor substrate a thin film (2) of a compound containing nitrogen and the Group IIIA element; and being furnished with a step, in advance of the epitaxial growth step, of heating the semiconductor substrate to a pretreating temperature less than the film-deposition temperature, to clean the surface of the semiconductor substrate.

摘要翻译： 提供一种能够容易地生产出具有优异的平坦度和结晶度的外延膜的基于氮化物的半导体器件的制造方法。 制造形成在含有氮的化合物的半导体衬底上的氮化物半导体器件的制造方法和用于形成氮化合物的IIIA族元素，包括以下步骤：将半导体衬底（1）加热到成膜温度; 向所述基板供给含有用于所述IIIA族元素的源气体和氮源气体的成膜气体; 并在半导体衬底上外延生长含有氮化合物和IIIA族元素的化合物的薄膜（2）; 并且在外延生长步骤之前，将半导体衬底加热至小于成膜温度的预处理温度，以便清洁半导体衬底的表面。

公开(公告)号：US20050173715A1

公开(公告)日：2005-08-11

申请号：US10514261

申请日：2004-02-19

申请人： Takashi Kyono ,  Masaki Ueno

发明人： Takashi Kyono ,  Masaki Ueno

IPC分类号： C23C16/02 ,  C23C16/34 ,  C30B25/02 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32 ,  H01L29/22

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  Y10S438/906

摘要： Affords a manufacturing method enabling nitride-based semiconductor devices containing epitaxial films excelling in flatness and crystallinity to be easily produced, and makes available nitride-based semiconductor devices manufactured by the method. Method of manufacturing nitride semiconductor devices that are formed onto a semiconductor substrate being a compound containing a Group IIIA element for forming compounds with nitrogen, and nitrogen, including steps of heating the semiconductor substrate (1) to a film-deposition temperature, supplying to the substrate a film-deposition gas containing a source gas for the Group IIIA element and a nitrogen source gas, and epitaxially growing onto the semiconductor substrate a thin film (2) of a compound containing the Group IIIA element and nitrogen, and being furnished with a step, in advance of the epitaxial growth step, of heating the semiconductor substrate to a pretreating temperature less than the film-deposition temperature, to clean the surface of the semiconductor substrate.

摘要翻译： 提供一种使得能够容易地制造含有优异的平坦度和结晶度的外延膜的基于氮化物的半导体器件的制造方法，并且使得可获得通过该方法制造的氮化物基半导体器件。 制造形成在半导体衬底上的氮化物半导体器件的方法是含有用于形成氮化合物的IIIA族元素的化合物和氮，包括将半导体衬底（1）加热至膜沉积温度的步骤，供给至 对包含IIIA族元素和氮源气体的源气体的成膜气体进行基板的外延生长在半导体基板上的含有IIIA族元素和氮的化合物的薄膜（2），并配备有 步骤，在外延生长步骤之前，将半导体衬底加热至小于成膜温度的预处理温度，以清洁半导体衬底的表面。

公开(公告)号：US08829545B2

公开(公告)日：2014-09-09

申请号：US12119015

申请日：2008-05-12

申请人： Masaki Ueno ,  Takashi Kyono ,  Yusuke Yoshizumi

发明人： Masaki Ueno ,  Takashi Kyono ,  Yusuke Yoshizumi

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/32

摘要： A group III nitride semiconductor light-emitting device comprises an n-type gallium nitride-based semiconductor layer, a first p-type AlXGa1-XN (0≦X

摘要翻译： III族氮化物半导体发光器件包括n型氮化镓基半导体层，第一p型AlXGa1-XN（0＆lt; NlE; X <1）层，包含InGaN层的有源层， 和第三p型AlZGa1-XN层（0＆amp; nlE; Z＆lt; EL; Y＆lt; NlE; X <1）和与第三p型AlZGa1相接触的p电极的第二p型AlYGa1-YN（0＆nlE; Y＆ -ZN层。 有源层设置在n型氮化镓基半导体层和第一p型AlXGa1-XN层之间。 在第一p型AlXGa1-XN层上设置第二p型AlYGa1-YN（0＆nlE; Y＆nlE; X <1）层。 第二p型AlYGa1-YN层的p型掺杂剂浓度大于第一p型AlXGa1-XN层的p型掺杂剂浓度。 在第二p型AlYGa1-YN层上设置第三p型AlZGa1-ZN层（0＆nlE; Z＆lt; Y; ​​Y＆nlE; X <1）。 第二p型AlYGa1-YN层的p型掺杂剂浓度大于第三p型AlZGa1-ZN层的p型掺杂剂浓度。

公开(公告)号：US20080315243A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US12119015

申请日：2008-05-12

申请人： Masaki Ueno ,  Takashi Kyono ,  Yusuke Yoshizumi

发明人： Masaki Ueno ,  Takashi Kyono ,  Yusuke Yoshizumi

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/32

摘要： A group III nitride semiconductor light-emitting device comprises an n-type gallium nitride-based semiconductor layer, a first p-type AlXGa1-XN (0≦X

摘要翻译： III族氮化物半导体发光器件包括n型氮化镓基半导体层，第一p型AlXGa1-XN（0 <= X <1）层，包含InGaN层的有源层，第二p型 型AlYGa1-YN（0 <= Y <= X <1）层，第三p型AlZGa1-XN层（0 <= Z <= Y <= X <1） 第三个p型AlZGa1-ZN层。 有源层设置在n型氮化镓基半导体层和第一p型AlXGa1-XN层之间。 在第一p型AlXGa1-XN层上设置第二p型AlYGa1-YN（0 <= Y <= X <1）层。 第二p型AlYGa1-YN层的p型掺杂剂浓度大于第一p型AlXGa1-XN层的p型掺杂剂浓度。 在第二p型AlYGa1-YN层上设置第三p型AlZGa1-ZN层（0 <= Z <= Y <= X <1）。 第二p型AlYGa1-YN层的p型掺杂剂浓度大于第三p型AlZGa1-ZN层的p型掺杂剂浓度。