公开(公告)号：US4645533A

公开(公告)日：1987-02-24

申请号：US692084

申请日：1985-01-17

申请人： Tomoo Izumi

发明人： Tomoo Izumi

IPC分类号： B22F9/24 ,  C22B34/24 ,  C22C1/04 ,  H01G9/04 ,  H01G9/052

CPC分类号： H01G9/0525 ,  B22F9/24 ,  C22B34/24 ,  C22C1/045

摘要： The dielectric characteristic and resistance against the dielectric characteristic deterioration of tantalum powder for use in a solid electrolyte capacitor are improved by incorporating phosphorus and boron dopant sources into tantalum material at the reducing step of K.sub.2 TaF.sub.7 or by incorporating one of the two dopant sources at the reducing step and the other dopant source at the heat-treating step.

摘要翻译： 通过在K2TaF7的还原步骤中将磷和硼掺杂剂源掺入到钽材料中，或通过将两种掺杂剂源中的一种掺入到还原反应中来改善用于固体电解质电容器中的钽粉末的介电特性劣化的介电特性和电阻特性的降低 步骤和另一个掺杂剂源在热处理步骤。