公开(公告)号：US08334455B2

公开(公告)日：2012-12-18

申请号：US12507793

申请日：2009-07-22

申请人： Akhlesh Gupta ,  Rick C. Powell ,  David Eaglesham

发明人： Akhlesh Gupta ,  Rick C. Powell ,  David Eaglesham

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L31/02963 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/073 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

摘要： A photovoltaic cell can include a dopant in contact with a semiconductor layer.

摘要翻译： 光伏电池可以包括与半导体层接触的掺杂剂。

公开(公告)号：US20130005075A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13615128

申请日：2012-09-13

申请人： Long Chen ,  Akhlesh Gupta ,  Anke Abken ,  Benyamin Buller

发明人： Long Chen ,  Akhlesh Gupta ,  Anke Abken ,  Benyamin Buller

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/073 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

摘要： A photovoltaic device can include an intrinsic metal layer adjacent to a semiconductor absorber layer; and a doped metal contact layer adjacent to the intrinsic metal layer, where the doped metal contact layer includes a metal base material and a dopant.

摘要翻译： 光电器件可以包括与半导体吸收层相邻的本征金属层; 以及与本征金属层相邻的掺杂金属接触层，其中掺杂金属接触层包括金属基材和掺杂剂。

公开(公告)号：US20100307561A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：US12793461

申请日：2010-06-03

申请人： Benyamin Buller ,  Long Cheng ,  Akhlesh Gupta ,  Anke Abken

发明人： Benyamin Buller ,  Long Cheng ,  Akhlesh Gupta ,  Anke Abken

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0392 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： A photovoltaic device can include a second metal layer adjacent to a first layer, where the first layer is positioned adjacent to a substrate, and where the second metal layer includes a dopant; and a copper-indium-gallium diselenide (CIGS) layer adjacent to the second metal layer.

摘要翻译： 光伏器件可以包括与第一层相邻的第二金属层，其中第一层邻近衬底定位，并且其中第二金属层包括掺杂剂; 和与第二金属层相邻的铜铟镓二硒化物（CIGS）层。

公开(公告)号：US07141863B1

公开(公告)日：2006-11-28

申请号：US10722643

申请日：2003-11-26

申请人： Alvin D. Compaan ,  Akhlesh Gupta

发明人： Alvin D. Compaan ,  Akhlesh Gupta

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/073 ,  H01L33/005 ,  H01L33/42 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

摘要： A method of making a diode structure includes the step of depositing a transparent electrode layer of any one or more of the group ZnO, ZnS and CdO onto a substrate layer, and depositing an active semiconductor junction having an n-type layer and a p-type layer onto the transparent electrode layer under process conditions that avoid substantial degradation of the electrode layer. A back electrode coating layer is applied to form a diode structure.

摘要翻译： 制造二极管结构的方法包括将ZnO，ZnS和CdO族中的任何一种或多种的透明电极层沉积到衬底层上的步骤，以及沉积具有n型层和p-型层的有源半导体结， 在避免电极层的显着劣化的工艺条件下，在透明电极层上形成类型层。 施加背电极涂层以形成二极管结构。

公开(公告)号：US08987587B2

公开(公告)日：2015-03-24

申请号：US13615128

申请日：2012-09-13

申请人： Long Cheng ,  Akhlesh Gupta ,  Anke Abken ,  Benyamin Buller

发明人： Long Cheng ,  Akhlesh Gupta ,  Anke Abken ,  Benyamin Buller

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L21/00 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/073

CPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/073 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

摘要： A photovoltaic device can include an intrinsic metal layer adjacent to a semiconductor absorber layer; and a doped metal contact layer adjacent to the intrinsic metal layer, where the doped metal contact layer includes a metal base material and a dopant.

摘要翻译： 光电器件可以包括与半导体吸收层相邻的本征金属层; 以及与本征金属层相邻的掺杂金属接触层，其中掺杂金属接触层包括金属基材和掺杂剂。

公开(公告)号：US20100326491A1

公开(公告)日：2010-12-30

申请号：US12793456

申请日：2010-06-03

申请人： Long Cheng ,  Akhlesh Gupta ,  Anke Abken ,  Benyamin Buller

发明人： Long Cheng ,  Akhlesh Gupta ,  Anke Abken ,  Benyamin Buller

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/548

摘要： A photovoltaic device can include a doped contact layer adjacent to a semiconductor absorber layer, where the doped contact layer includes a metal base material and a dopant.

摘要翻译： 光伏器件可以包括与半导体吸收层相邻的掺杂接触层，其中掺杂接触层包括金属基底材料和掺杂剂。

公开(公告)号：US20100307568A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：US12793469

申请日：2010-06-03

申请人： Long Cheng ,  Akhlesh Gupta ,  Anke Abken ,  Benyamin Buller

发明人： Long Cheng ,  Akhlesh Gupta ,  Anke Abken ,  Benyamin Buller

IPC分类号： H01L31/0203 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/073 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

摘要： A photovoltaic device can include an intrinsic metal layer adjacent to a semiconductor absorber layer; and a doped metal contact layer adjacent to the intrinsic metal layer, where the doped metal contact layer includes a metal base material and a dopant.

摘要翻译： 光电器件可以包括与半导体吸收层相邻的本征金属层; 以及与本征金属层相邻的掺杂金属接触层，其中掺杂金属接触层包括金属基材和掺杂剂。

公开(公告)号：US20100282320A1

公开(公告)日：2010-11-11

申请号：US12842879

申请日：2010-07-23

申请人： Peter Meyers ,  Akhlesh Gupta ,  David Eaglesham

发明人： Peter Meyers ,  Akhlesh Gupta ,  David Eaglesham

IPC分类号： H01L31/0256 ,  H01L31/18 ,  H01L29/02

CPC分类号： H01L31/073 ,  H01L31/072 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

摘要： A photovoltaic cell can include an interfacial layer in contact with a semiconductor layer.

摘要翻译： 光伏电池可以包括与半导体层接触的界面层。

公开(公告)号：US09263608B2

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：US12262424

申请日：2008-10-31

申请人： Rick C. Powell ,  Upali Jayamaha ,  Anke Abken ,  Markus Gloeckler ,  Akhlesh Gupta ,  Roger T. Green ,  Peter Meyers

发明人： Rick C. Powell ,  Upali Jayamaha ,  Anke Abken ,  Markus Gloeckler ,  Akhlesh Gupta ,  Roger T. Green ,  Peter Meyers

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/073 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1868 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/543 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： A photovoltaic cell can include a dopant in contact with a semiconductor layer.

摘要翻译： 光伏电池可以包括与半导体层接触的掺杂剂。

公开(公告)号：US08766088B2

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：US12793456

申请日：2010-06-03

申请人： Long Cheng ,  Akhlesh Gupta ,  Anke Abken ,  Benyamin Buller

发明人： Long Cheng ,  Akhlesh Gupta ,  Anke Abken ,  Benyamin Buller

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0296

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/548

摘要： A photovoltaic device can include a doped contact layer adjacent to a semiconductor absorber layer, where the doped contact layer includes a metal base material and a dopant.

摘要翻译： 光伏器件可以包括与半导体吸收层相邻的掺杂接触层，其中掺杂接触层包括金属基底材料和掺杂剂。