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    Method of forming conformal silicon layer for recessed source-drain
    8.
    发明授权
    Method of forming conformal silicon layer for recessed source-drain 有权
    形成用于凹陷源极漏极的保形硅层的方法

    公开(公告)号：US07772074B2

    公开(公告)日：2010-08-10

    申请号：US11874336

    申请日：2007-10-18

    申请人： Zhiyuan Ye ,  Andrew Lam ,  Saurabh Chopra ,  Yihwan Kim

    发明人： Zhiyuan Ye ,  Andrew Lam ,  Saurabh Chopra ,  Yihwan Kim

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636

    摘要： Processes for non-selectively forming one or more conformal silicon-containing epitaxial layers on recess corners are disclosed. Specific embodiments pertain to the formation and treatment of epitaxial layers in semiconductor devices, for example, Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) devices. In specific embodiments, the formation of a non-selective epitaxial layer involves exposing a substrate in a process chamber to deposition gases including a silicon source such as silane and a higher order silane, followed by heating the substrate to promote solid phase epitaxial growth.

    摘要翻译： 公开了在凹陷角上非选择性地形成一个或多个适形的含硅外延层的工艺。 具体实施例涉及半导体器件中的外延层的形成和处理，例如金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件。 在具体实施方案中，非选择性外延层的形成包括将处理室中的衬底暴露于包括诸如硅烷和高级硅烷的硅源的沉积气体，然后加热衬底以促进固相外延生长。

    METHOD OF FORMING CONFORMAL SILICON LAYER FOR RECESSED SOURCE-DRAIN
    9.
    发明申请
    METHOD OF FORMING CONFORMAL SILICON LAYER FOR RECESSED SOURCE-DRAIN 有权
    形成连续硅层的方法

    公开(公告)号：US20090104739A1

    公开(公告)日：2009-04-23

    申请号：US11874336

    申请日：2007-10-18

    申请人： Zhiyuan Ye ,  Andrew Lam ,  Saurabh Chopra ,  Yihwan Kim

    发明人： Zhiyuan Ye ,  Andrew Lam ,  Saurabh Chopra ,  Yihwan Kim

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636

    摘要： Processes for non-selectively forming one or more conformal silicon-containing epitaxial layers on recess corners are disclosed. Specific embodiments pertain to the formation and treatment of epitaxial layers in semiconductor devices, for example, Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) devices. In specific embodiments, the formation of a non-selective epitaxial layer involves exposing a substrate in a process chamber to deposition gases including a silicon source such as silane and a higher order silane, followed by heating the substrate to promote solid phase epitaxial growth.

    摘要翻译： 公开了在凹陷角上非选择性地形成一个或多个适形的含硅外延层的工艺。 具体实施例涉及半导体器件中的外延层的形成和处理，例如金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件。 在具体实施方案中，非选择性外延层的形成包括将处理室中的衬底暴露于包括诸如硅烷和高级硅烷的硅源的沉积气体，然后加热衬底以促进固相外延生长。