公开(公告)号：US08338916B2

公开(公告)日：2012-12-25

申请号：US12976994

申请日：2010-12-22

申请人： John William Sherohman ,  Jick Hong Yee ,  Arthur William Coombs, III ,  Kuang Jen J. Wu

发明人： John William Sherohman ,  Jick Hong Yee ,  Arthur William Coombs, III ,  Kuang Jen J. Wu

IPC分类号： H01L29/20

CPC分类号： H01L21/02241 ,  H01L23/291 ,  H01L29/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In one embodiment, a method for forming a non-conductive crystalline oxide layer on an AlSb crystal includes heat treating an AlSb crystal in a partial vacuum atmosphere at a temperature conducive for air adsorbed molecules to desorb, surface molecule groups to decompose, and elemental Sb to evaporate from a surface of the AlSb crystal and exposing the AlSb crystal to an atmosphere comprising oxygen to form a crystalline oxide layer on the surface of the AlSb crystal. In another embodiment, a method for forming a non-conductive crystalline oxide layer on an AlSb crystal includes heat treating an AlSb crystal in a non-oxidizing atmosphere at a temperature conducive for decomposition of an amorphous oxidized surface layer and evaporation of elemental Sb from the AlSb crystal surface and forming stable oxides of Al and Sb from residual surface oxygen to form a crystalline oxide layer on the surface of the AlSb crystal.

摘要翻译： 在一个实施方案中，在AlSb晶体上形成非导电结晶氧化物层的方法包括在有利于空气吸附分子解吸的温度下，部分真空气氛中热处理AlSb晶体，表面分子基团分解，元素Sb 从AlSb晶体的表面蒸发并将AlSb晶体暴露于包含氧的气​​氛，以在AlSb晶体的表面上形成结晶氧化物层。 在另一个实施例中，在AlSb晶体上形成非导电结晶氧化物层的方法包括在非氧化性气氛中，在有助于分解无定形氧化表面层的温度下，将AlSb晶体从 AlSb晶体表面，并从残余表面氧形成稳定的Al和Sb的氧化物，以在AlSb晶体的表面上形成结晶氧化物层。

公开(公告)号：US20120161288A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：US12976994

申请日：2010-12-22

申请人： John William Sherohman ,  Jick Hong Yee ,  Arthur William Coombs, III ,  Kuang Jen J. Wu

发明人： John William Sherohman ,  Jick Hong Yee ,  Arthur William Coombs, III ,  Kuang Jen J. Wu

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/314

CPC分类号： H01L21/02241 ,  H01L23/291 ,  H01L29/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In one embodiment, a method for forming a non-conductive crystalline oxide layer on an AlSb crystal includes heat treating an AlSb crystal in a partial vacuum atmosphere at a temperature conducive for air adsorbed molecules to desorb, surface molecule groups to decompose, and elemental Sb to evaporate from a surface of the AlSb crystal and exposing the AlSb crystal to an atmosphere comprising oxygen to form a crystalline oxide layer on the surface of the AlSb crystal. In another embodiment, a method for forming a non-conductive crystalline oxide layer on an AlSb crystal includes heat treating an AlSb crystal in a non-oxidizing atmosphere at a temperature conducive for decomposition of an amorphous oxidized surface layer and evaporation of elemental Sb from the AlSb crystal surface and forming stable oxides of Al and Sb from residual surface oxygen to form a crystalline oxide layer on the surface of the AlSb crystal.

摘要翻译： 在一个实施方案中，在AlSb晶体上形成非导电结晶氧化物层的方法包括在有利于空气吸附分子解吸的温度下，部分真空气氛中热处理AlSb晶体，表面分子基团分解，元素Sb 从AlSb晶体的表面蒸发并将AlSb晶体暴露于包含氧的气​​氛，以在AlSb晶体的表面上形成结晶氧化物层。 在另一个实施例中，在AlSb晶体上形成非导电结晶氧化物层的方法包括在非氧化性气氛中，在有助于分解无定形氧化表面层的温度下，将AlSb晶体从 AlSb晶体表面，并从残余表面氧形成稳定的Al和Sb的氧化物，以在AlSb晶体的表面上形成结晶氧化物层。