公开(公告)号：US07826295B2

公开(公告)日：2010-11-02

申请号：US12076063

申请日：2008-03-13

申请人： Atsushi Masumizu ,  Sadayuki Okuma

发明人： Atsushi Masumizu ,  Sadayuki Okuma

IPC分类号： G11C17/18

CPC分类号： G11C29/84 ,  G11C29/787

摘要： In a semiconductor memory device, a repair circuit includes mode fuses to select one of plural repair modes corresponding to plural kinds of defects, respectively. The semiconductor memory device can repair a defective memory cell having operational margin defect without using redundancy memory cells.

摘要翻译： 在半导体存储器件中，修复电路包括分别对应于多种缺陷的多种修复模式之一选择模式熔丝。 半导体存储器件可以在不使用冗余存储单元的情况下修复具有操作余量缺陷的缺陷存储单元。

公开(公告)号：US20080225620A1

公开(公告)日：2008-09-18

申请号：US12076063

申请日：2008-03-13

申请人： Atsushi Masumizu ,  Sadayuki Okuma

发明人： Atsushi Masumizu ,  Sadayuki Okuma

IPC分类号： G11C17/18

CPC分类号： G11C29/84 ,  G11C29/787

摘要： In a semiconductor memory device, a repair circuit includes mode fuses to select one of plural repair modes corresponding to plural kinds of defects, respectively. The semiconductor memory device can repair a defective memory cell having operational margin defect without using redundancy memory cells.

摘要翻译： 在半导体存储器件中，修复电路包括分别对应于多种缺陷的多种修复模式之一选择模式熔丝。 半导体存储器件可以在不使用冗余存储单元的情况下修复具有操作余量缺陷的缺陷存储单元。