公开(公告)号：US08268403B2

公开(公告)日：2012-09-18

申请号：US11596295

申请日：2005-04-28

申请人： Masahiro Akiyama ,  Hisashi Nakagawa ,  Tatsuya Yamanaka ,  Atsushi Shiota ,  Takahiko Kurosawa

发明人： Masahiro Akiyama ,  Hisashi Nakagawa ,  Tatsuya Yamanaka ,  Atsushi Shiota ,  Takahiko Kurosawa

IPC分类号： B05D3/02

CPC分类号： H01L21/31058 ,  C08G77/60 ,  C08J3/28 ,  C08J2383/04 ,  C08J2383/16 ,  C08L83/04 ,  C08L83/14 ,  C09D183/14 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31633 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31663 ,  C08L83/00

摘要： A method of forming an organic silica film includes forming a coating including a silicon compound having an —Si—O—Si— structure and an —Si—CH2—Si— structure on a substrate, heating the coating, and curing the coating by applying ultraviolet radiation.

摘要翻译： 形成有机二氧化硅膜的方法包括在基材上形成包含具有-Si-O-Si-结构和-Si-CH2-Si-结构的硅化合物的涂层，加热涂层，并通过涂覆固化涂层 紫外线辐射。

公开(公告)号：US07932295B2

公开(公告)日：2011-04-26

申请号：US12135594

申请日：2008-06-09

申请人： Hajime Tsuchiya ,  Hiromi Egawa ,  Terukazu Kokubo ,  Atsushi Shiota

发明人： Hajime Tsuchiya ,  Hiromi Egawa ,  Terukazu Kokubo ,  Atsushi Shiota

IPC分类号： C01B33/155 ,  C09K3/00 ,  H01L23/535 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L21/3122 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  Y10T428/31663

摘要： A method of forming an organic silica-based film, including: applying a composition for forming an insulating film for a semiconductor device, which is cured by using heat and ultraviolet radiation, to a substrate to form a coating; heating the coating; and applying heat and ultraviolet radiation to the coating to effect a curing treatment, wherein the composition includes organic silica sol having a carbon content of 11.8 to 16.7 mol %, and an organic solvent, the organic silica sol being a hydrolysis-condensation product produced by hydrolysis and condensation of a silane compound selected from compounds shown by the general formulae (1): R1Si(OR2)3, (2): Si(OR3)4, (3): (R4)2Si(OR5)2, and (4): R6b(R7O)3-bSi—(R10)d—Si(OR8)3-cR9c.

摘要翻译： 一种形成有机二氧化硅基膜的方法，包括：将通过使用热和紫外线辐射固化的用于形成用于半导体器件的绝缘膜的组合物施加到基底以形成涂层; 加热涂层; 并对涂层施加热和紫外线辐射以进行固化处理，其中所述组合物包含碳含量为11.8至16.7mol％的有机硅溶胶和有机溶剂，所述有机二氧化硅溶胶为水解缩合产物，其由 硅烷化合物的水解和缩合选自通式（1）所示的化合物：R1Si（OR2）3，（2）：Si（OR3）4，（3）：（R4）2Si（OR5）2和（ 4）：R6b（R7O）3-bSi-（R10）d-Si（OR8）3-cR9c。

公开(公告)号：US20100168327A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：US12717225

申请日：2010-03-04

申请人： Masahiro AKIYAMA ,  Takahiko Kurosawa ,  Hisashi Nakagawa ,  Atsushi Shiota

发明人： Masahiro AKIYAMA ,  Takahiko Kurosawa ,  Hisashi Nakagawa ,  Atsushi Shiota

IPC分类号： C08L83/04 ,  C08G77/38 ,  B05D3/02

CPC分类号： C08G77/42 ,  C08G77/48 ,  C09D183/14 ,  H01B3/30 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31633

摘要： A process for producing a polymer includes mixing (A) a polysiloxane compound and (B) a polycarbosilane compound in the presence of a catalyst, water, and an organic solvent, and heating the mixture.

摘要翻译： 制备聚合物的方法包括在催化剂，水和有机溶剂的存在下混合（A）聚硅氧烷化合物和（B）聚碳硅烷化合物，并加热该混合物。

公开(公告)号：US07291567B2

公开(公告)日：2007-11-06

申请号：US11184964

申请日：2005-07-20

申请人： Hajime Tsuchiya ,  Seitaro Hattori ,  Masahiro Akiyama ,  Atsushi Shiota

发明人： Hajime Tsuchiya ,  Seitaro Hattori ,  Masahiro Akiyama ,  Atsushi Shiota

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C09D183/10 ,  G03F7/0757 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/316

摘要： A method of forming a silica-based film includes:applying a composition for forming an insulating film for a semiconductor device, which is cured by using heat and ultraviolet radiation, to a substrate to form a coating; heating the coating; and applying heat and ultraviolet radiation to the coating to effect a curing treatment. The composition includes: a hydrolysis-condensation product produced by hydrolysis and condensation of at least one silane compound selected from the group consisting of compounds shown by the following general formula (A), and at least one silane compound selected from the group consisting of compounds shown by the following general formula (B) and compounds shown by the following general formula (C); and an organic solvent,

摘要翻译： 形成二氧化硅基膜的方法包括：将通过使用热和紫外线辐射固化的用于形成用于半导体器件的绝缘膜的组合物施加到基底以形成涂层; 加热涂层; 并向涂层施加热和紫外线辐射以进行固化处理。 该组合物包括：通过水解和缩合选自由以下通式（A）表示的化合物组成的组中的至少一种硅烷化合物和至少一种选自化合物的硅烷化合物产生的水解缩合产物 由以下通式（B）表示的化合物和由以下通式（C）表示的化合物： 和有机溶剂，

公开(公告)号：US20070021580A1

公开(公告)日：2007-01-25

申请号：US11485508

申请日：2006-07-13

申请人： Hisashi Nakagawa ,  Masahiro Akiyama ,  Takahiko Kurosawa ,  Atsushi Shiota

发明人： Hisashi Nakagawa ,  Masahiro Akiyama ,  Takahiko Kurosawa ,  Atsushi Shiota

IPC分类号： C08G77/60

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C09D183/14 ,  H01B3/30 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3122

摘要： A method of producing a polymer includes hydrolyzing and condensing a hydrolyzable-group-containing silane monomer (B) in the presence of one or more polycarbosilanes (A), at least one of the polycarbosilanes (A) being a polycarbosilane (I) having a weight average molecular weight of 500 or more and obtained by reacting a compound of the following general formula (1) in the presence of at least one of an alkali metal and an alkaline earth metal, R1mY3-mSiCR2nX3-n  (1) wherein R1 and R2 individually represent a monovalent organic group or a hydrogen atom, X represents a halogen atom, Y represents a halogen atom or an alkoxy group, and m and n individually represent integers from 0 to 2.

摘要翻译： 一种聚合物的制造方法，在一种或多种聚碳硅烷（A）的存在下水解和缩合含有水解性基团的硅烷单体（B），所述聚碳硅烷（A）中的至少一种为具有 通过在碱金属和碱土金属中的至少一种的存在下使下列通式（1）的化合物反应得到的重均分子量为500以上， 线公式“end =”lead“？> R 1> 3 3 3 SiCR 2 （1）<？in-line-formula description =“In-line Formulas”end =“tail”？>其中R 1 = SUP＆gt;和R 2各自独立地表示一价有机基团或氢原子，X表示卤素原子，Y表示卤素原子或烷氧基，m和n分别表示0〜2的整数 。

公开(公告)号：US20070015892A1

公开(公告)日：2007-01-18

申请号：US11484604

申请日：2006-07-12

申请人： Hisashi Nakagawa ,  Masahiro Akiyama ,  Takahiko Kurosawa ,  Atsushi Shiota

发明人： Hisashi Nakagawa ,  Masahiro Akiyama ,  Takahiko Kurosawa ,  Atsushi Shiota

IPC分类号： C08G77/04 ,  B05D3/02

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C09D183/14 ,  H01B3/30 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3122

摘要： A method for producing a polymer includes hydrolyzing and condensing (B) a hydrolyzable-group-containing silane monomer in the presence of (A) a polycarbosilane, the polycarbosilane (A) being a polymer (I) obtained by reacting (a) a compound shown by the following general formula (1) and (b) at least one compound selected from the group consisting of a compound shown by the following general formula (2) and a compound shown by the following general formula (3) in an organic solvent in the presence of at least one of an alkali metal and an alkaline earth metal, R1kCX4-k  (1) R2kSiY4-k  (2) R3mY3-mSiCR4nX3-n  (3) wherein R1 to R4 individually represent a monovalent organic group or a hydrogen atom, X represents a halogen atom, Y represents a halogen atom or an alkoxy group, k represents an integer from 0 to 3, and m and n individually represent integers from 0 to 2.

摘要翻译： 制备聚合物的方法包括在（A）聚碳硅烷存在下水解和缩合（B）含可水解基团的硅烷单体，所述聚碳硅烷（A）是通过使（a）化合物 由下述通式（1）和（b）表示的有机溶剂中的至少一种选自下述通式（2）表示的化合物和下述通式（3）所示的化合物的化合物 在碱金属和碱土金属中的至少一种的存在下，<？in-line-formula description =“In-line formula”end =“lead”？> R＆lt; SUB （1）<？in-line-formula description =“In-line Formulas”end =“tail”？> <？in-line-formula description =“在线公式”end =“lead”？> R 2> 2 （3） -formulae description =“In-line Formulas”end =“tail”？> <？in-line-formula description =“In-line Formulas”end =“lead”？> R <3> _{m 3-m SiCR 4 N 3-n（3）<？in-line-formula description =“ 其中R 1至R 4各自独立地表示一价有机基团或氢原子，X表示卤素原子，Y 表示卤素原子或烷氧基，k表示0〜3的整数，m和n分别表示0〜2的整数。}

公开(公告)号：US20060210812A1

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：US11393647

申请日：2006-03-31

申请人： Atsushi Shiota

发明人： Atsushi Shiota

IPC分类号： B32B27/00 ,  B32B37/00 ,  C08L83/00

CPC分类号： H01L21/02118 ,  C08L83/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  Y10T428/31663

摘要： A method of forming an insulating film includes: forming a polysiloxane insulating film on a substrate; forming a polycarbosilane insulating film on the polysiloxane insulating film; and forming an organic insulating film on the polycarbosilane insulating film. The polysiloxane insulating film is formed by hydrolysis and condensation of a silane compound, and the polycarbosilane insulating film is formed by applying a solution, obtained by dissolving a polycarbosilane compound in a solvent, to the polysiloxane insulating film, and heating the resulting coating,

摘要翻译： 形成绝缘膜的方法包括：在基板上形成聚硅氧烷绝缘膜; 在聚硅氧烷绝缘膜上形成聚碳硅烷绝缘膜; 并在聚碳硅烷绝缘膜上形成有机绝缘膜。 通过硅烷化合物的水解和缩合形成聚硅氧烷绝缘膜，通过将聚碳硅烷化合物溶解在溶剂中而得到的溶液涂布在聚硅氧烷绝缘膜上，加热所得到的涂层而形成聚碳硅烷绝缘膜，

公开(公告)号：US20060134336A1

公开(公告)日：2006-06-22

申请号：US11284944

申请日：2005-11-23

申请人： Hisashi Nakagawa ,  Masahiro Akiyama ,  Takahiko Kurosawa ,  Atsushi Shiota

发明人： Hisashi Nakagawa ,  Masahiro Akiyama ,  Takahiko Kurosawa ,  Atsushi Shiota

IPC分类号： B05D3/02 ,  C08F2/46 ,  C08G77/12

CPC分类号： C08G77/60

摘要： A method of producing a polycarbosilane includes reacting (A) a polycarbosilane having a silicon-hydrogen bond and (B) a compound having a carbon-carbon multiple bond to which a silicon-hydrogen bond may be added.

摘要翻译： 一种制备聚碳硅烷的方法包括使（A）具有硅 - 氢键的聚碳硅烷与（B）可以加入硅 - 氢键的具有碳 - 碳多重键的化合物反应。

公开(公告)号：US20060063905A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：US11227179

申请日：2005-09-16

申请人： Hisashi Nakagawa ,  Masahiro Akiyama ,  Takahiko Kurosawa ,  Atsushi Shiota

发明人： Hisashi Nakagawa ,  Masahiro Akiyama ,  Takahiko Kurosawa ,  Atsushi Shiota

IPC分类号： C08G77/06 ,  B32B9/04

CPC分类号： C08G77/60 ,  C08G77/50

摘要： A polycarbosilane, having a main chain in which silicon atoms and carbon atoms are alternately repeated, includes a repeating unit shown by a following general formula (1), a repeating unit shown by a following general formula (2), and a repeating unit shown by a following general formula (3).

摘要翻译： 具有交替重复硅原子和碳原子的主链的聚碳硅烷包括由以下通式（1）表示的重复单元，由以下通式（2）表示的重复单元和所示的重复单元 通过以下通式（3）。

公开(公告)号：US06902771B2

公开(公告)日：2005-06-07

申请号：US09770289

申请日：2001-01-29

申请人： Atsushi Shiota ,  Kouji Sumiya

发明人： Atsushi Shiota ,  Kouji Sumiya

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/312 ,  B01J19/08 ,  B32B9/04

CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3122 ,  Y10T428/31663

摘要： A process for producing a silica-based film which comprises irradiating a film comprising at least one siloxane compound with electron beams to thereby convert the film into a film having a dielectric constant of 3 or lower and having silicon carbide bonds represented by Si—C—Si is disclosed. The film has an even thickness, is excellent in storage stability, dielectric constant, mechanical strength, etc., has low hygroscopicity, and is suitable for use as a dielectric film in semiconductor devices and the like.

摘要翻译： 一种二氧化硅基膜的制造方法，其包括用电子束照射含有至少一种硅氧烷化合物的膜，由此将所述膜转印成介电常数为3以下且具有由Si-C- 披露了Si。 该膜具有均匀的厚度，储存稳定性，介电常数，机械强度等优异，吸湿性低，适用于半导体装置等中的电介质膜。