公开(公告)号：US08962437B2

公开(公告)日：2015-02-24

申请号：US13494400

申请日：2012-06-12

申请人： Beom-Yong Kim ,  Kee-Jeung Lee ,  Yun-Hyuck Ji ,  Seung-Mi Lee ,  Jae-Hyoung Koo ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park ,  Ji-Hoon Ahn ,  Woo-Young Park

发明人： Beom-Yong Kim ,  Kee-Jeung Lee ,  Yun-Hyuck Ji ,  Seung-Mi Lee ,  Jae-Hyoung Koo ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park ,  Ji-Hoon Ahn ,  Woo-Young Park

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10852

摘要： A method for fabricating a capacitor includes: forming a first silicon layer over a semiconductor substrate, where the first silicon layer is doped with a dopant; forming an undoped second silicon layer over the first silicon layer; forming an opening by etching the second silicon layer and the first silicon layer; forming a storage node in the opening; and removing the first silicon layer and the second silicon layer.

摘要翻译： 制造电容器的方法包括：在半导体衬底上形成第一硅层，其中所述第一硅层掺杂有掺杂剂; 在所述第一硅层上形成未掺杂的第二硅层; 通过蚀刻第二硅层和第一硅层形成开口; 在开口中形成存储节点; 以及去除所述第一硅层和所述第二硅层。

公开(公告)号：US08673754B2

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：US13494288

申请日：2012-06-12

申请人： Seung-Mi Lee ,  Yun Hyuck Ji ,  Beom-Yong Kim ,  Bong-Seok Jeon

发明人： Seung-Mi Lee ,  Yun Hyuck Ji ,  Beom-Yong Kim ,  Bong-Seok Jeon

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/7833

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes ion-implanting germanium into a monocrystalline silicon-containing substrate; forming a gate oxide layer over a surface of the monocrystalline silicon-containing substrate and forming, under the gate oxide layer, a germanium-rich region in which the germanium is concentrated, by performing a plasma oxidation process; and crystallizing the germanium-rich region by performing an annealing process.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括将锗离子注入到单晶硅的衬底中; 在所述单晶含硅衬底的表面上形成栅极氧化物层，并且在所述栅极氧化物层下，通过进行等离子体氧化处理，形成锗浓缩的锗富集区; 并通过进行退火处理使富锗的区域结晶。

公开(公告)号：US20140004679A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：US13617305

申请日：2012-09-14

申请人： Beom-Yong KIM ,  Yun-Hyuck Ji ,  Seung-Mi Lee

发明人： Beom-Yong KIM ,  Yun-Hyuck Ji ,  Seung-Mi Lee

IPC分类号： H01L49/02 ,  H01L29/66 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76864 ,  H01L28/60 ,  H01L28/92 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/94

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes forming a metal layer over a substrate, forming a capping layer over the metal layer, and densifying the metal layer through a heat treatment.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括在衬底上形成金属层，在金属层上形成覆盖层，并通过热处理使金属层致密化。

公开(公告)号：US20110266611A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：US12981298

申请日：2010-12-29

申请人： Beom-Yong KIM ,  Ki-Hong LEE

发明人： Beom-Yong KIM ,  Ki-Hong LEE

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7889 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7926

摘要： A nonvolatile memory device includes a plurality of interlayer dielectric layers and conductive layers for gate electrodes alternately stacked over a substrate, a channel trench passing through the interlayer dielectric layers and the conductive layers and exposing the substrate, a charge blocking layer and a charge trap or charge storage layer formed on sidewalls of the trench, a coupling prevention layer formed at the surface of the charge trap or charge storage layer, and a tunnel insulation layer formed over the coupling prevention layer.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括多个层间电介质层和用于交替层叠在衬底上的栅电极的导电层，通过层间电介质层和导电层的通道沟槽和暴露衬底，电荷阻挡层和电荷陷阱或 形成在沟槽的侧壁上的电荷存储层，形成在电荷阱或电荷存储层的表面处的耦合防止层，以及形成在耦合防止层上的隧道绝缘层。

公开(公告)号：US09337108B2

公开(公告)日：2016-05-10

申请号：US13339922

申请日：2011-12-29

申请人： Yun-Hyuck Ji ,  Beom-Yong Kim ,  Seung-Mi Lee

发明人： Yun-Hyuck Ji ,  Beom-Yong Kim ,  Seung-Mi Lee

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

摘要： A semiconductor device includes a gate dielectric layer over a substrate, a metal layer over the gate dielectric layer, a capping layer over the metal layer, wherein the capping layer includes a plurality of dipole forming elements concentrated at the interface between the metal layer and the capping layer.

摘要翻译： 半导体器件包括在衬底上的栅极介电层，栅极电介质层上的金属层，金属层上的覆盖层，其中覆盖层包括集中在金属层和金属层之间的界面处的多个偶极形成元件 盖层

公开(公告)号：US20130240957A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13494288

申请日：2012-06-12

申请人： Seung-Mi LEE ,  Yun Hyuck JI ,  Beom-Yong KIM ,  Bong-Seok JEON

发明人： Seung-Mi LEE ,  Yun Hyuck JI ,  Beom-Yong KIM ,  Bong-Seok JEON

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/7833

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes ion-implanting germanium into a monocrystalline silicon-containing substrate; forming a gate oxide layer over a surface of the monocrystalline silicon-containing substrate and forming, under the gate oxide layer, a germanium-rich region in which the germanium is concentrated, by performing a plasma oxidation process; and crystallizing the germanium-rich region by performing an annealing process.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括将锗离子注入到单晶硅的衬底中; 在所述单晶含硅衬底的表面上形成栅极氧化物层，并且在所述栅极氧化物层下，通过进行等离子体氧化处理，形成锗浓缩的锗富集区; 并通过进行退火处理使富锗的区域结晶。

公开(公告)号：US20130161710A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：US13468091

申请日：2012-05-10

申请人： Yun-Hyuck Ji ,  Kwan-Woo Do ,  Beom-Yong Kim ,  Seung-Mi Lee ,  Woo-Young Park

发明人： Yun-Hyuck Ji ,  Kwan-Woo Do ,  Beom-Yong Kim ,  Seung-Mi Lee ,  Woo-Young Park

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L27/10808 ,  H01L21/2018 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10885 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes: forming an insulation layer over a semiconductor substrate; forming a first conductive layer over the insulation layer; forming a plurality of buried bit lines and insulation layer patterns isolated by a plurality of trenches, wherein the plurality of trenches are formed by etching the first conductive layer and the insulation layer; forming a sacrificial layer to gap-fill the trenches; forming a second conductive layer over the buried bit lines and the sacrificial layer; and forming a plurality of pillars over each of the buried bit lines by etching the second conductive layer.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底上形成绝缘层; 在所述绝缘层上形成第一导电层; 形成由多个沟槽隔离的多个掩埋位线和绝缘层图案，其中所述多个沟槽通过蚀刻所述第一导电层和所述绝缘层而形成; 形成牺牲层以间隙填充沟槽; 在所述掩埋位线和所述牺牲层上形成第二导电层; 以及通过蚀刻所述第二导电层在每个所述掩埋位线上形成多个柱。

公开(公告)号：US20120289020A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13330639

申请日：2011-12-19

申请人： Beom-Yong KIM ,  Ki-Hong Lee

发明人： Beom-Yong KIM ,  Ki-Hong Lee

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16

摘要： A method for fabricating a variable resistance memory device includes forming a semiconductor pattern doped with impurities, forming a resistor over the semiconductor pattern, and forming a diode by performing microwave annealing to activate the impurities in the semiconductor pattern.

摘要翻译： 一种用于制造可变电阻存储器件的方法包括：形成掺杂有杂质的半导体图案，在半导体图案上形成电阻器，并通过微波退火形成二极管以激活半导体图案中的杂质。

公开(公告)号：US09159779B2

公开(公告)日：2015-10-13

申请号：US13617305

申请日：2012-09-14

申请人： Beom-Yong Kim ,  Yun-Hyuck Ji ,  Seung-Mi Lee

发明人： Beom-Yong Kim ,  Yun-Hyuck Ji ,  Seung-Mi Lee

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L49/02 ,  H01L29/66 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76864 ,  H01L28/60 ,  H01L28/92 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/94

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes forming a metal layer over a substrate, forming a capping layer over the metal layer, and densifying the metal layer through a heat treatment.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括在衬底上形成金属层，在金属层上形成覆盖层，并通过热处理使金属层致密化。

公开(公告)号：US08654579B2

公开(公告)日：2014-02-18

申请号：US13298591

申请日：2011-11-17

申请人： Beom Yong Kim ,  Kwon Hong ,  Kee Jeung Lee ,  Ki Hong Lee

发明人： Beom Yong Kim ,  Kwon Hong ,  Kee Jeung Lee ,  Ki Hong Lee

IPC分类号： G11C11/40 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L27/11524 ,  G11C16/14 ,  G11C16/28 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

摘要： A non-volatile memory device includes a plurality of memory cells stacked along a channel protruded from a substrate, a first select transistor connected to one end of the plurality of memory cells, a first interlayer dielectric layer for being coupled between a source line and the first select transistor, and a second interlayer dielectric layer disposed between the first select transistor and the one end of the plurality of memory cells, and configured to include a first recess region.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括沿着从衬底突出的通道堆叠的多个存储器单元，连接到多个存储器单元的一端的第一选择晶体管，用于耦合在源极线与源极之间的第一层间电介质层 第一选择晶体管和设置在第一选择晶体管和多个存储单元的一端之间的第二层间电介质层，并且被配置为包括第一凹部区域。