公开(公告)号：US20130082327A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：US13252284

申请日：2011-10-04

申请人： Cheol Ho CHO ,  Choul Joo Ko

发明人： Cheol Ho CHO ,  Choul Joo Ko

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

摘要： A semiconductor device including a first conductive epitaxial layer, a second conductive type first well provided in the first conductive epitaxial layer, a first conductive body provided in the first conductive epitaxial layer, a second conductive type drain extension region provided in the first conductive epitaxial layer and interposed between the first conductive body and the second conductive type first well, a second conductive type second well provided in the second conductive type first well, and a gate provided in the first conductive epitaxial layer.

摘要翻译： 一种半导体器件，包括第一导电外延层，设置在第一导电外延层中的第二导电类型第一阱，设置在第一导电外延层中的第一导电体，设置在第一导电外延层中的第二导电型漏极延伸区 并且介于所述第一导电体和所述第二导电型第一阱之间，设置在所述第二导电型第一阱中的第二导电型第二阱以及设置在所述第一导电外延层中的栅极。

公开(公告)号：US20100148258A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12633990

申请日：2009-12-09

申请人： CHEOL HO CHO

发明人： CHEOL HO CHO

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7816 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681

摘要： Disclosed are a semiconductor device and a method of manufacturing the same. The semiconductor device includes a substrate formed therein with a first conductive type well, and an LDMOS device formed on the substrate. The LDMOS device includes a gate electrode, gate oxides formed below the gate electrode, a source region formed in the substrate at one side of the gate electrode, and a drain region formed in the substrate at an opposite side of the gate electrode. The gate oxide includes first and second gate oxides disposed side-by-side and having thicknesses different from each other.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括在其中形成有第一导电类型阱的衬底和形成在衬底上的LDMOS器件。 LDMOS器件包括栅电极，形成在栅电极下方的栅极氧化物，形成在栅电极一侧的衬底中的源极区域和形成在栅极电极的相对侧的衬底中的漏极区域。 栅极氧化物包括并排设置并且具有彼此不同的厚度的第一和第二栅极氧化物。

公开(公告)号：US08637923B2

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：US12822936

申请日：2010-06-24

申请人： Cheol-Ho Cho

发明人： Cheol-Ho Cho

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： A transistor includes a substrate including a trench, an insulation layer filled in a portion of the trench, the insulation layer having a greater thickness over an edge portion of a bottom surface of the trench than over a middle portion of the bottom surface of the trench, a gate insulation layer formed over inner sidewalls of the trench, the gate insulation layer having a thickness smaller than the insulation layer, and a gate electrode filled in the trench.

摘要翻译： 晶体管包括：衬底，包括沟槽，填充在沟槽的一部分中的绝缘层，所述绝缘层在所述沟槽的底表面的边缘部分上比在所述沟槽的底表面的中间部分之上具有更大的厚度 ，形成在所述沟槽的内侧壁上的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层的厚度小于所述绝缘层，以及填充在所述沟槽中的栅电极。

公开(公告)号：US20130093014A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：US13438620

申请日：2012-04-03

申请人： Cheol Ho CHO

发明人： Cheol Ho CHO

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/8249

CPC分类号： H01L21/8249 ,  H01L27/0623

摘要： A semiconductor device includes a laterally double diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) transistor formed on a partial region of a epitaxial layer of a first conductive type, a bipolar transistor formed on another partial region of the epitaxial layer of the first conductive type, and a guard ring formed between the partial region and the another partial region. The guard ring serves to restrain electrons generated by a forward bias operation of the LDMOS transistor from being introduced into the bipolar transistor.

摘要翻译： 半导体器件包括形成在第一导电类型的外延层的部分区域上的横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管，形成在第一导电类型的外延层的另一部分区域上的双极晶体管，以及 保护环形成在部分区域和另一个部分区域之间。 保护环用于抑制由LDMOS晶体管的正向偏置操作产生的电子被引入双极晶体管。

公开(公告)号：US20120187484A1

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：US13216963

申请日：2011-08-24

申请人： Cheol-Ho CHO ,  Choul-Joo Ko

发明人： Cheol-Ho CHO ,  Choul-Joo Ko

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7816 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7835

摘要： A lateral double diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) device includes a first buried layer having a second conduction type formed in an epitaxial layer having a first conduction type, a first high-voltage well having the second conduction type formed above one region of the first buried layer, a first drain diffusion region having the first conduction type formed above another region of the first buried layer, a second drain diffusion region having the second conduction type formed in a partial region of the first drain diffusion region, the second drain diffusion region including a gate pattern and a drain region, and a first body having the first conduction type including a source region and having a surface in contact with the second drain diffusion region.

摘要翻译： 横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件包括具有形成在具有第一导电类型的外延层中的第二导电类型的第一掩埋层，具有第二导电类型的第一高电压阱形成在第一 第一漏极扩散区，形成在第一掩埋层的另一区域上方的具有第一导电类型的第一漏极扩散区域，形成在第一漏极扩散区域的部分区域中的具有第二导电类型的第二漏极扩散区域，第二漏极扩散区域 包括栅极图案和漏极区域，以及具有包括源极区域并且具有与第二漏极扩散区域接触的表面的第一导电类型的第一主体。

公开(公告)号：US08183632B2

公开(公告)日：2012-05-22

申请号：US12633990

申请日：2009-12-09

申请人： Cheol Ho Cho

发明人： Cheol Ho Cho

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7816 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681

摘要： Disclosed are a semiconductor device and a method of manufacturing the same. The semiconductor device includes a substrate formed therein with a first conductive type well, and an LDMOS device formed on the substrate. The LDMOS device includes a gate electrode, gate oxides formed below the gate electrode, a source region formed in the substrate at one side of the gate electrode, and a drain region formed in the substrate at an opposite side of the gate electrode. The gate oxide includes first and second gate oxides disposed side-by-side and having thicknesses different from each other.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括其中形成有第一导电类型阱的衬底和形成在衬底上的LDMOS器件。 LDMOS器件包括栅电极，形成在栅电极下方的栅极氧化物，形成在栅电极一侧的衬底中的源极区域和形成在栅极电极的相对侧的衬底中的漏极区域。 栅极氧化物包括并排设置并且具有彼此不同的厚度的第一和第二栅极氧化物。

公开(公告)号：US08105939B2

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：US12614768

申请日：2009-11-09

申请人： Cheol Ho Cho

发明人： Cheol Ho Cho

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76895 ,  H01L21/76802 ,  H01L23/53295 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7816 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A LDMOS transistor and a method for manufacturing the same are disclosed. A lateral double diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) transistor includes a first dielectric layer formed on a top surface of a substrate; a plurality of second dielectric layers on a top surface of the first dielectric layer; a plurality of contact plugs spaced apart by a predetermined distance in an active region of the substrate, passing through the first and second dielectric layers; and a bridge metal line formed in the second dielectric layers, inter-connecting the contact plugs in a horizontal direction. The bridge metal line formed to inter-connect the contact plugs allows for more current to flow in the presently disclosed LDMOS transistor than in a conventional LDMOS transistor of identical size.

摘要翻译： 公开了一种LDMOS晶体管及其制造方法。 横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管包括形成在衬底的顶表面上的第一介电层; 在所述第一电介质层的顶表面上的多个第二电介质层; 多个接触插塞，其在所述衬底的有源区域中间隔开预定距离，穿过所述第一和第二电介质层; 以及形成在所述第二电介质层中的桥接金属线，使所述接触插塞沿水平方向相互连接。 形成为将接触插塞相互连接的桥接金属线，允许当前公开的LDMOS晶体管中的电流比相同尺寸的常规LDMOS晶体管中更多的电流流动。

公开(公告)号：US07767530B2

公开(公告)日：2010-08-03

申请号：US11898991

申请日：2007-09-18

申请人： Cheol-Ho Cho

发明人： Cheol-Ho Cho

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： A transistor includes a substrate including a trench, an insulation layer filled in a portion of the trench, the insulation layer having a greater thickness over an edge portion of a bottom surface of the trench than over a middle portion of the bottom surface of the trench, a gate insulation layer formed over inner sidewalls of the trench, the gate insulation layer having a thickness smaller than the insulation layer, and a gate electrode filled in the trench.

摘要翻译： 晶体管包括：衬底，包括沟槽，填充在沟槽的一部分中的绝缘层，所述绝缘层在所述沟槽的底表面的边缘部分上比在所述沟槽的底表面的中间部分之上具有更大的厚度 ，形成在所述沟槽的内侧壁上的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层的厚度小于所述绝缘层，以及填充在所述沟槽中的栅电极。

公开(公告)号：US08796766B2

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US13438620

申请日：2012-04-03

申请人： Cheol Ho Cho

发明人： Cheol Ho Cho

IPC分类号： H01L21/8249 ,  H01L27/06

CPC分类号： H01L21/8249 ,  H01L27/0623

摘要： A semiconductor device includes a laterally double diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) transistor formed on a partial region of a epitaxial layer of a first conductive type, a bipolar transistor formed on another partial region of the epitaxial layer of the first conductive type, and a guard ring formed between the partial region and the another partial region. The guard ring serves to restrain electrons generated by a forward bias operation of the LDMOS transistor from being introduced into the bipolar transistor.

摘要翻译： 半导体器件包括形成在第一导电类型的外延层的部分区域上的横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管，形成在第一导电类型的外延层的另一部分区域上的双极晶体管，以及 保护环形成在部分区域和另一个部分区域之间。 保护环用于抑制由LDMOS晶体管的正向偏置操作产生的电子被引入双极晶体管。

公开(公告)号：US08692327B2

公开(公告)日：2014-04-08

申请号：US13476207

申请日：2012-05-21

申请人： Choul Joo Ko ,  Cheol Ho Cho

发明人： Choul Joo Ko ,  Cheol Ho Cho

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/1083 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

摘要： An LDMOS device may include at least one of a second conduction type buried layer and a first conduction type drain extension region. An LDMOS device may include a second conduction type drain extension region configured to be formed in a portion of the first conduction type drain extension region. The second conduction type drain extension region may include a gate pattern and a drain region. An LDMOS device may include a first conduction type body having surface contact with the second conduction type drain extension region and may include a source region. An LDMOS device may include a first guard ring formed around the second conduction type drain extension region. An LDMOS device may include a second guard ring configured to be formed around the first guard ring and configured to be connected to a different region of the second conduction type buried layer.

摘要翻译： LDMOS器件可以包括第二导电型掩埋层和第一导电型漏极延伸区域中的至少一个。 LDMOS器件可以包括被配置为形成在第一导电类型漏极延伸区域的一部分中的第二导电类型漏极延伸区域。 第二导电类型漏极延伸区域可以包括栅极图案和漏极区域。 LDMOS器件可以包括与第二导电型漏极延伸区域具有表面接触的第一导电型体，并且可以包括源极区域。 LDMOS器件可以包括围绕第二导电类型漏极延伸区域形成的第一保护环。 LDMOS器件可以包括第二保护环，其被配置为围绕第一保护环形成并被配置为连接到第二导电型掩埋层的不同区域。