公开(公告)号：US08450860B2

公开(公告)日：2013-05-28

申请号：US13025344

申请日：2011-02-11

申请人： Thomas Jacke ,  Christian Foerster ,  Timm Hoehr ,  Holger Heinisch ,  Christian Pluntke ,  Joachim Joos

发明人： Thomas Jacke ,  Christian Foerster ,  Timm Hoehr ,  Holger Heinisch ,  Christian Pluntke ,  Joachim Joos

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A power switch component having a semiconductor switch and a contacting applied to a contact zone of the semiconductor switch is introduced. The contact zone has a semiconductor layer and a metal plating applied to the semiconductor layer. The semiconductor layer has at least one conducting region and at least one non-conducting region situated directly under the metal plating.

摘要翻译： 引入具有半导体开关和施加到半导体开关的接触区域的接触的功率开关部件。 接触区具有施加到半导体层的半导体层和金属电镀。 半导体层具有至少一个导电区域和位于金属电镀板正下方的至少一个非导电区域。

公开(公告)号：US6028470A

公开(公告)日：2000-02-22

申请号：US930669

申请日：1997-10-14

申请人： Hartmut Michel ,  Christian Pluntke

发明人： Hartmut Michel ,  Christian Pluntke

IPC分类号： H03K17/14 ,  H02H5/04 ,  H02H9/00 ,  H03K17/08 ,  H03K17/0812 ,  H03K17/60 ,  H02H7/20

CPC分类号： H03K17/08126 ,  H02H5/042 ,  H02H9/001 ,  H03K2017/0806

摘要： An integrated circuit comprising a power transistor and a circuit arrangement. The circuit arrangement is thermally coupled to the power transistor and operates in a temperature-dependent fashion. The integrated circuit includes a pnp or npn transistor with a temperature dependent resistor coupled between the base and emitter of the transistor. The off-state current of the transistor changes as a function of temperature and initiates a change in a base current of the power transistor.

摘要翻译： PCT No.PCT / DE96 / 00689。 371日期1997年10月14日第 102（e）日期1997年10月14日PCT 1996年4月20日PCT PCT。 第WO96 / 37955号公报 日期：1996年11月28日包括功率晶体管和电路装置的集成电路。 电路装置热耦合到功率晶体管并以温度依赖的方式工作。 集成电路包括具有耦合在晶体管的基极和发射极之间的温度依赖电阻器的pnp或npn晶体管。 晶体管的截止电流随温度的变化而变化，并引发功率晶体管的基极电流的变化。

公开(公告)号：US08074631B2

公开(公告)日：2011-12-13

申请号：US12316298

申请日：2008-12-10

申请人： Shike Hu ,  Rainer Topp ,  Thomas Jacke ,  Christian Pluntke

发明人： Shike Hu ,  Rainer Topp ,  Thomas Jacke ,  Christian Pluntke

IPC分类号： F02P3/05

CPC分类号： F02P3/0435 ,  F02D2041/2058 ,  F02D2041/2075

摘要： A circuit configuration for switching current flow through an ignition coil, in which the switching process is able to be executed by at least one first transistor that is controllable by a control signal which is able to be supplied via a control signal input of the circuit configuration, and the control signal input is connected to at least one variable resistor.

摘要翻译： 一种用于切换通过点火线圈的电流的电路配置，其中开关处理能够由能够经由电路配置的控制信号输入提供的控制信号控制的至少一个第一晶体管执行 ，并且控制信号输入连接到至少一个可变电阻器。

公开(公告)号：US5343069A

公开(公告)日：1994-08-30

申请号：US27162

申请日：1993-02-26

申请人： Christian Pluntke ,  Alfred Goerlach

发明人： Christian Pluntke ,  Alfred Goerlach

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L21/331 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/73 ,  H01L29/732 ,  H01L29/72 ,  H01L29/90

CPC分类号： H01L29/1004

摘要： An electronic switch, in particularly a transistor, has at least one barrier layer extending between regions of different doping concentrations within a semiconductor and is characterized in that the barrier layer has at least one voltage limiting zone (Z) having a radius of curvature (R) less than or at most equal to the diffusion depth (x.sub.JB) of the diffused junction.

摘要翻译： 特别是晶体管的电子开关具有至少一个在半导体内不同掺杂浓度的区域之间延伸的阻挡层，其特征在于阻挡层具有至少一个具有曲率半径（R）的限压区（Z） ）小于或至多等于扩散结的扩散深度（xJB）。

公开(公告)号：US20090241924A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：US12316298

申请日：2008-12-10

申请人： Shike Hu ,  Rainer Topp ,  Thomas Jacke ,  Christian Pluntke

发明人： Shike Hu ,  Rainer Topp ,  Thomas Jacke ,  Christian Pluntke

IPC分类号： F02P9/00

CPC分类号： F02P3/0435 ,  F02D2041/2058 ,  F02D2041/2075

摘要： A circuit configuration for switching current flow through an ignition coil, in which the switching process is able to be executed by at least one first transistor that is controllable by a control signal which is able to be supplied via a control signal input of the circuit configuration, and the control signal input is connected to at least one variable resistor.

摘要翻译： 一种用于切换通过点火线圈的电流的电路配置，其中开关处理能够由能够经由电路配置的控制信号输入提供的控制信号控制的至少一个第一晶体管执行 ，并且控制信号输入连接到至少一个可变电阻器。

公开(公告)号：US06597556B1

公开(公告)日：2003-07-22

申请号：US09424478

申请日：2000-06-01

申请人： Hartmut Michel ,  Christian Pluntke ,  Manfred Thanner ,  Bernd Bireckoven

发明人： Hartmut Michel ,  Christian Pluntke ,  Manfred Thanner ,  Bernd Bireckoven

IPC分类号： H02H504

CPC分类号： H03K17/16 ,  H03K17/0826 ,  H03K2017/0806

摘要： An integrated circuit having a power transistor and a circuit arrangement functioning in a temperature dependant manner and thermally coupled to the power transitor. The integrated circuit is used to reliably disconnect the power transistor in the event of overheating., particularly in the case of inductive loads, and does not reactivate the power transistor until, for example, an edge change has occurred at the base terminal of the integrated circuit.

摘要翻译： 一种具有功率晶体管和电路装置的集成电路，其以温度依赖的方式工作并热耦合到功率转换器。 集成电路用于在过热的情况下可靠地断开功率晶体管，特别是在感性负载的情况下，并且不会重新激活功率晶体管，直到例如在集成的基极端子上发生边缘变化 电路。

公开(公告)号：US5952705A

公开(公告)日：1999-09-14

申请号：US981985

申请日：1998-01-09

申请人： Hartmut Michel ,  Christian Pluntke ,  Alfred Goerlach

发明人： Hartmut Michel ,  Christian Pluntke ,  Alfred Goerlach

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/732 ,  H01L29/78 ,  H01L29/70 ,  H01L29/735

CPC分类号： H01L29/402 ,  H01L27/0211 ,  H01L29/7813

摘要： A semiconductor, where a region is introduced into a semiconductor substrate and, together with this substrate, forms a p-n junction. Provision is made in the vicinity of the space charge region being formed for a covering electrode and a heavily doped region. The covering electrode is coupled to a voltage divider, through which the potential of the covering electrode is adjusted with temperature compensation.

摘要翻译： PCT No.PCT / DE96 / 01073 Sec。 371日期1998年1月9日 102（e）1998年1月9日PCT PCT 1996年6月18日PCT公布。 出版物WO97 / 04486 日期1997年2月6日一种半导体，其中将区域引入半导体衬底中，并与该衬底一起形成p-n结。 在为覆盖电极和重掺杂区域形成的空间电荷区域附近进行设置。 覆盖电极耦合到分压器，通过该分压器，覆盖电极的电位通过温度补偿进行调节。

公开(公告)号：US5479046A

公开(公告)日：1995-12-26

申请号：US263951

申请日：1994-06-22

申请人： Peter Flohrs ,  Christian Pluntke

发明人： Peter Flohrs ,  Christian Pluntke

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L29/402 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/7813

摘要： The invention relates to a monolithically integrated semiconductor arrangement, where from the first main surface a first zone (p) and a second zone (n.sup.+) are diffused into a substrate (2), which is weakly doped (substrate region n.sup.-) under a first main surface (3) and is more strongly doped (substrate region n.sup.+) under a second main surface (4). An insulating passivation layer is attached to the first main surface (3), on top of which a metallic cover electrode (D) is located, which covers adjacent substrate regions (n.sup.-) and the edge areas of the first zone (p) and the second zone (n.sup.+). In accordance with the invention, at least one additional zone (.nu.) of the same type of conductivity as the associated zone (n.sup.+), but with weaker doping, is diffused in for increasing the break-through voltage, and is connected to the zone (n.sup.+), does not contact the other zone (p) and prevents the zone (n.sup.+) from directly bordering the substrate (n.sup.-) underneath the cover electrode (D).

摘要翻译： 本发明涉及一种单片集成半导体装置，其中从第一主表面将第一区（p）和第二区（n +）扩散到基底（2）内，该衬底（2）是弱掺杂（衬底区n- 第一主表面（3）并且在第二主表面（4）下更强掺杂（衬底区域n +）。 绝缘钝化层附着到第一主表面（3）上，其上面设有覆盖相邻衬底区域（n-）和第一区域（p）的边缘区域的金属覆盖电极（D）和 第二区（n +）。 根据本发明，与相关区（n +）具有相同类型导电性但具有较弱掺杂的至少一个附加区（nu）被扩散用于增加突破电压，并连接到区 （n +）不接触另一区域（p），并且防止区域（n +）直接与覆盖电极（D）下方的衬底（n-）接壤。

公开(公告)号：US20110260341A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US13025344

申请日：2011-02-11

申请人： Thomas Jacke ,  Christian Foerster ,  Timm Hoehr ,  Holger Heinisch ,  Christian Pluntke ,  Joachim Joos

发明人： Thomas Jacke ,  Christian Foerster ,  Timm Hoehr ,  Holger Heinisch ,  Christian Pluntke ,  Joachim Joos

IPC分类号： H01L23/49

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A power switch component having a semiconductor switch and a contacting applied to a contact zone of the semiconductor switch is introduced. The contact zone has a semiconductor layer and a metal plating applied to the semiconductor layer. The semiconductor layer has at least one conducting region and at least one non-conducting region situated directly under the metal plating.

摘要翻译： 引入具有半导体开关和施加到半导体开关的接触区域的接触的功率开关部件。 接触区具有施加到半导体层的半导体层和金属电镀。 半导体层具有至少一个导电区域和位于金属电镀板正下方的至少一个非导电区域。

公开(公告)号：US6137124A

公开(公告)日：2000-10-24

申请号：US963447

申请日：1997-11-03

申请人： Hartmut Michel ,  Peter Flohrs ,  Christian Pluntke ,  Alfred Goerlach ,  Anton Mindl ,  Ning Qu

发明人： Hartmut Michel ,  Peter Flohrs ,  Christian Pluntke ,  Alfred Goerlach ,  Anton Mindl ,  Ning Qu

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L29/80 ,  H01L29/8605 ,  H01L29/772 ,  H01L29/745 ,  H01L29/808

CPC分类号： H01L29/8605

摘要： A vertical semiconductor component has an integrated switching device, which delivers an electric value correlating with the rear potential. The semiconductor component includes a doping region with a hole, which is free of the doping atoms of the doping region. The hole, when properly sized and contacted, can supply an electric current correlating with the rear potential.

摘要翻译： 垂直半导体部件具有集成开关器件，其提供与后部电势相关的电气值。 半导体元件包括具有空穴的掺杂区，其没有掺杂区的掺杂原子。 该孔在适当的尺寸和接触时可以提供与后方电位相关的电流。