公开(公告)号：US20100267224A1

公开(公告)日：2010-10-21

申请号：US12758167

申请日：2010-04-12

申请人： DONGWON CHOI ,  DONG HYUNG LEE ,  TZE POON ,  MANOJ VELLAIKAL ,  PETER PORSHNEV ,  MAJEED FOAD

发明人： DONGWON CHOI ,  DONG HYUNG LEE ,  TZE POON ,  MANOJ VELLAIKAL ,  PETER PORSHNEV ,  MAJEED FOAD

IPC分类号： H01L21/22

CPC分类号： H01J37/32467 ,  C23C16/4404 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32862 ,  H01J37/32871 ,  H01L21/2236

摘要： Methods and apparatus for processing a substrate are provided herein. In some embodiments, an apparatus for substrate processing includes a process chamber having a chamber body defining an inner volume; and a silicon containing coating disposed on an interior surface of the chamber body, wherein an outer surface of the silicon containing coating is at least 35 percent silicon (Si) by atom. In some embodiments, a method for forming a silicon containing coating in a process chamber includes providing a first process gas comprising a silicon containing gas to an inner volume of the process chamber; and forming a silicon containing coating on an interior surface of the process chamber, wherein an outer surface of the silicon containing coating is at least 35 percent silicon.

摘要翻译： 本文提供了用于处理衬底的方法和设备。 在一些实施例中，一种用于衬底处理的装置包括具有限定内容积的室主体的处理室; 以及设置在所述室主体的内表面上的含硅涂层，其中所述含硅涂层的外表面为原子上至少35％的硅（Si）。 在一些实施例中，在处理室中形成含硅涂层的方法包括向处理室的内部容积提供包括含硅气体的第一工艺气体; 以及在所述处理室的内表面上形成含硅涂层，其中所述含硅涂层的外表面为至少35％的硅。

公开(公告)号：US07204888B2

公开(公告)日：2007-04-17

申请号：US10428967

申请日：2003-05-01

申请人： Toan Q. Tran ,  Daniel S. Herkalo ,  Yen-Kun V. Wang ,  Jin Ho Lee ,  Dong Hyung Lee ,  Jang Seok Oh ,  Won B. Bang

发明人： Toan Q. Tran ,  Daniel S. Herkalo ,  Yen-Kun V. Wang ,  Jin Ho Lee ,  Dong Hyung Lee ,  Jang Seok Oh ,  Won B. Bang

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/68742

摘要： Embodiments of the present invention provide an apparatus for constraining and supporting the lift pins to prevent or minimize lateral movement of the lift pins that causes substrate hand-off problems and associated degradation in substrate processing characteristics and results. In one embodiment, a lift pin assembly for manipulating a substrate above a support surface of a substrate support comprises a plurality of lift pins movable between an up position and a down position. The lift pins include top ends and bottom ends. The top ends are configured to be lifted above the support surface of the substrate support to contact a bottom surface of the substrate in the up position. The top ends are configured to be positioned at or below the support surface of the substrate support in the down position. A lift pin connecting member is attached to the plurality of lift pins at attachment locations at or near the bottom ends of the lift pins to maintain fixed relative distances between the lift pins at the attachment locations and to move with the lift pins between the up position and the down position.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了一种用于约束和支撑提升销的装置，以防止或最小化提升销的横向移动，这导致基板切换问题以及相关的基板处理特性和结果的退化。 在一个实施例中，用于在衬底支撑件的支撑表面上方操作衬底的提升销组件包括可在上升位置和下降位置之间移动的多个提升销。 提升销包括顶端和底端。 顶端构造成被提升在基板支撑件的支撑表面上方以在上方位置接触基板的底表面。 顶端构造成位于下方位置处的基板支撑件的支撑表面上或下方。 提升销连接构件在提升销的底端处或附近的附接位置处附接到多个提升销，以在附接位置处保持提升销之间的固定的相对距离，并且随着提升销在上部位置之间移动 和下降位置。

公开(公告)号：USD477016S1

公开(公告)日：2003-07-08

申请号：US29159569

申请日：2002-04-25

申请人： Dong-Hyung Lee

设计人： Dong-Hyung Lee

公开(公告)号：US20080138967A1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：US11608357

申请日：2006-12-08

申请人： Shijian Li ,  Kartik Ramaswamy ,  Biagio Gallo ,  Dong Hyung Lee ,  Majeed A. Foad

发明人： Shijian Li ,  Kartik Ramaswamy ,  Biagio Gallo ,  Dong Hyung Lee ,  Majeed A. Foad

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L21/2236 ,  H01L29/66575

摘要： Methods for implanting ions into a substrate by a plasma immersion ion implanting process are provided. In one embodiment, the method for implanting ions into a substrate by a plasma immersion ion implantation process includes providing a substrate into a processing chamber, supplying a gas mixture including a reacting gas and a reducing gas into the chamber, and implanting ions from the gas mixture into the substrate. In another embodiment, the method includes providing a substrate into a processing chamber, supplying a gas mixture including reacting gas and a hydrogen containing reducing gas into the chamber, and implanting ions from the gas mixture into the substrate.

摘要翻译： 提供了通过等离子体浸没离子注入工艺将离子注入衬底的方法。 在一个实施例中，通过等离子体浸入离子注入工艺将离子注入衬底的方法包括将衬底提供到处理室中，将包括反应气体和还原气体的气体混合物供应到室中，以及从气体中注入离子 混合物进入底物。 在另一个实施例中，该方法包括将衬底提供到处理室中，将包括使气体和含氢还原气体反应的气体混合物供应到腔室中，以及将离子从气体混合物注入到衬底中。

公开(公告)号：US08642128B2

公开(公告)日：2014-02-04

申请号：US12758167

申请日：2010-04-12

申请人： Dongwon Choi ,  Dong Hyung Lee ,  Tze Poon ,  Manoj Vellaikal ,  Peter Porshnev ,  Majeed Foad

发明人： Dongwon Choi ,  Dong Hyung Lee ,  Tze Poon ,  Manoj Vellaikal ,  Peter Porshnev ,  Majeed Foad

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： H01J37/32467 ,  C23C16/4404 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32862 ,  H01J37/32871 ,  H01L21/2236

摘要： Methods and apparatus for processing a substrate are provided herein. In some embodiments, an apparatus for substrate processing includes a process chamber having a chamber body defining an inner volume; and a silicon containing coating disposed on an interior surface of the chamber body, wherein an outer surface of the silicon containing coating is at least 35 percent silicon (Si) by atom. In some embodiments, a method for forming a silicon containing coating in a process chamber includes providing a first process gas comprising a silicon containing gas to an inner volume of the process chamber; and forming a silicon containing coating on an interior surface of the process chamber, wherein an outer surface of the silicon containing coating is at least 35 percent silicon.

摘要翻译： 本文提供了用于处理衬底的方法和设备。 在一些实施例中，一种用于衬底处理的装置包括具有限定内容积的室主体的处理室; 以及设置在所述室主体的内表面上的含硅涂层，其中所述含硅涂层的外表面为原子上至少35％的硅（Si）。 在一些实施例中，在处理室中形成含硅涂层的方法包括向处理室的内部容积提供包括含硅气体的第一工艺气体; 以及在所述处理室的内表面上形成含硅涂层，其中所述含硅涂层的外表面为至少35％的硅。

公开(公告)号：US20110117728A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：US12868899

申请日：2010-08-26

申请人： Jie Su ,  Lori D. Washington ,  Sandeep Nijhawan ,  Olga Kryliouk ,  Jacob Grayson ,  Sang Won Kang ,  Dong Hyung Lee ,  Hua Chung

发明人： Jie Su ,  Lori D. Washington ,  Sandeep Nijhawan ,  Olga Kryliouk ,  Jacob Grayson ,  Sang Won Kang ,  Dong Hyung Lee ,  Hua Chung

IPC分类号： H01L21/20 ,  B08B9/00

CPC分类号： C23C16/4405 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/67115

摘要： A method and apparatus for removing deposition products from internal surfaces of a processing chamber, and for preventing or slowing growth of such deposition products. A halogen containing gas is provided to the chamber to etch away deposition products. A halogen scavenging gas is provided to the chamber to remove any residual halogen. The halogen scavenging gas is generally activated by exposure to electromagnetic energy, either inside the processing chamber by thermal energy, or in a remote chamber by electric field, UV, or microwave. A deposition precursor may be added to the halogen scavenging gas to form a deposition resistant film on the internal surfaces of the chamber. Additionally, or alternately, a deposition resistant film may be formed by sputtering a deposition resistant metal onto internal components of the processing chamber in a PVD process.

摘要翻译： 一种用于从处理室的内表面去除沉积产物并用于防止或减缓这种沉积产物的生长的方法和装置。 将含卤素气体提供到室以蚀刻掉沉积产物。 将卤素清除气体提供到室以除去任何残留的卤素。 卤素清除气体通常通过暴露于电磁能（通过热能在处理室内）或通过电场，UV或微波在远程室中而被激活。 可以将沉积前体添加到卤素清除气体中，以在室的内表面上形成耐沉积膜。 另外，或者也可以通过在PVD工艺中将耐沉积金属溅射到处理室的内部部件上来形成耐沉积膜。

公开(公告)号：US07732309B2

公开(公告)日：2010-06-08

申请号：US11608357

申请日：2006-12-08

申请人： Shijian Li ,  Kartik Ramaswamy ,  Biagio Gallo ,  Dong Hyung Lee ,  Majeed A. Foad

发明人： Shijian Li ,  Kartik Ramaswamy ,  Biagio Gallo ,  Dong Hyung Lee ,  Majeed A. Foad

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L21/2236 ,  H01L29/66575

摘要： Methods for implanting ions into a substrate by a plasma immersion ion implanting process are provided. In one embodiment, the method for implanting ions into a substrate by a plasma immersion ion implantation process includes providing a substrate into a processing chamber, supplying a gas mixture including a reacting gas and a reducing gas into the chamber, and implanting ions from the gas mixture into the substrate. In another embodiment, the method includes providing a substrate into a processing chamber, supplying a gas mixture including reacting gas and a hydrogen containing reducing gas into the chamber, and implanting ions from the gas mixture into the substrate.

摘要翻译： 提供了通过等离子体浸没离子注入工艺将离子注入衬底的方法。 在一个实施例中，通过等离子体浸入离子注入工艺将离子注入衬底的方法包括将衬底提供到处理室中，将包括反应气体和还原气体的气体混合物供应到室中，以及从气体中注入离子 混合物进入底物。 在另一个实施例中，该方法包括将衬底提供到处理室中，将包括使气体和含氢还原气体反应的气体混合物供应到腔室中，以及将离子从气体混合物注入到衬底中。