公开(公告)号：US20110197814A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：US12982843

申请日：2010-12-30

申请人： JONGHOON BAEK ,  Edwin C. Suarez ,  Tsutomu Tanaka ,  Edward P. Hammond, IV ,  Jeonghoon Oh

发明人： JONGHOON BAEK ,  Edwin C. Suarez ,  Tsutomu Tanaka ,  Edward P. Hammond, IV ,  Jeonghoon Oh

IPC分类号： C23C4/00

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/3244

摘要： Embodiments of the present invention generally relate to apparatus for reducing arcing and parasitic plasma in substrate processing chambers. The apparatus generally include a processing chamber having a substrate support, a backing plate, and a showerhead disposed therein. A showerhead suspension electrically couples the backing plate to the showerhead. An electrically conductive bracket is coupled to the backing plate and spaced apart from the showerhead. The electrically conductive bracket may include a plate, a lower portion, an upper portion, and a vertical extension. The electrically conductive bracket contacts an electrical isolator.

摘要翻译： 本发明的实施例一般涉及用于减少衬底处理室中的电弧和寄生等离子体的装置。 该设备通常包括处理室，其具有设置在其中的基板支撑件，背板和喷头。 喷头悬挂将背板电连接到喷头。 导电支架联接到背板并与喷头间隔开。 导电支架可以包括板，下部，上部和垂直延伸部。 导电支架接触电隔离器。

公开(公告)号：US07674394B2

公开(公告)日：2010-03-09

申请号：US11679122

申请日：2007-02-26

申请人： Alexander Paterson ,  Valentin N. Todorov ,  Theodoros Panagopoulos ,  Brian K. Hatcher ,  Dan Katz ,  Edward P. Hammond, IV ,  John P. Holland

发明人： Alexander Paterson ,  Valentin N. Todorov ,  Theodoros Panagopoulos ,  Brian K. Hatcher ,  Dan Katz ,  Edward P. Hammond, IV ,  John P. Holland

IPC分类号： G01L21/30 ,  H01L21/00 ,  C23F1/00

CPC分类号： H01J37/32082 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244

摘要： A method of processing a workpiece in the chamber of a plasma reactor includes capacitively coupling plasma source power using a ceiling gas distribution plate as the electrode while inductively coupling plasma source power through the ceiling gas distribution plate, and flowing process gas through the gas distribution plate from a gas input to plural gas injection orifices, distributing the gas flow within the gas distribution plate through a succession of arcuate paths joined at respective junctions, dividing gas flow at each junction from a first respective one of said gas flow paths into a respective pair of said gas flow paths in opposite gas flow directions, and restricting the arcuate length of each of the arcuate paths to less than half-circles.

摘要翻译： 在等离子体反应器的室中处理工件的方法包括使用天花板气体分配板作为电极电容耦合等离子体源功率，同时通过天花板气体分配板感应耦合等离子体源功率，并且使处理气体通过气体分配板 从气体输入到多个气体注入孔，通过在各个接合处连接的一系列弧形路径将气流分布在气体分布板内，将每个连接处的气流从第一相应的一个气流通道分成相应的对 的所述气体流动路径在相反的气体流动方向上，并且将每个弧形路径的弓形长度限制为小于半圈。

公开(公告)号：US20090275206A1

公开(公告)日：2009-11-05

申请号：US12143146

申请日：2008-06-20

申请人： Dan Katz ,  David Palagashvili ,  Brian K. Hatcher ,  Theodoros Panagopoulos ,  Valentin N. Todorow ,  Edward P. Hammond, IV ,  Alexander M. Paterson ,  Rodolfo P. Belen

发明人： Dan Katz ,  David Palagashvili ,  Brian K. Hatcher ,  Theodoros Panagopoulos ,  Valentin N. Todorow ,  Edward P. Hammond, IV ,  Alexander M. Paterson ,  Rodolfo P. Belen

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

摘要： A passivation species precursor gas is furnished to an inner zone at a first flow rate, while flowing an etchant species precursor gas an annular intermediate zone at a second flow rate. Radial distribution of etch rate is controlled by the ratio of the first and second flow rates. The radial distribution of etch critical dimension bias on the wafer is controlled by flow rate of passivation gas to the wafer edge.

摘要翻译： 钝化物质前体气体以第一流速被提供到内部区域，同时以蚀刻剂物质前体气体以第二流速流动环形中间区域。 蚀刻速率的径向分布由第一和第二流速的比率控制。 蚀刻临界尺寸偏置在晶片上的径向分布由通向晶片边缘的钝化气体的流速来控制。

公开(公告)号：US20090272492A1

公开(公告)日：2009-11-05

申请号：US12143092

申请日：2008-06-20

申请人： Dan Katz ,  David Palagashvili ,  Brain K. Hatcher ,  Theodoros Panagopoulos ,  Valentin N. Todorow ,  Edward P. Hammond, IV ,  Alexander M. Paterson ,  Rodolfo P. Belen

发明人： Dan Katz ,  David Palagashvili ,  Brain K. Hatcher ,  Theodoros Panagopoulos ,  Valentin N. Todorow ,  Edward P. Hammond, IV ,  Alexander M. Paterson ,  Rodolfo P. Belen

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

摘要： A gas distribution assembly for the ceiling of a plasma reactor includes a center fed hub and an equal path length distribution gas manifold underlying the center fed hub.

摘要翻译： 用于等离子体反应器的天花板的气体分配组件包括中心供给的轮毂和位于中心供给轮毂下方的相等路径长度的分配气体歧管。

公开(公告)号：US20090236447A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：US12053105

申请日：2008-03-21

申请人： THEODOROS PANAGOPOULOS ,  ALEXANDER PATERSON ,  JOHN P. HOLLAND ,  DAN KATZ ,  EDWARD P. HAMMOND, IV

发明人： THEODOROS PANAGOPOULOS ,  ALEXANDER PATERSON ,  JOHN P. HOLLAND ,  DAN KATZ ,  EDWARD P. HAMMOND, IV

IPC分类号： B05B1/14 ,  H01L21/306 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

摘要： Methods and apparatus for processing substrates are provided herein. In some embodiments, a gas distribution apparatus may include a plurality of gas inlets configured to deliver a process gas to a process chamber; and a plurality of flow controllers having outlets coupled to the plurality of gas inlets for independently controlling the flow rate through each of the plurality of gas inlets. The gas distribution apparatus may be coupled to a process chamber for controlling the delivery of one or more process gases thereto.

摘要翻译： 本文提供了处理衬底的方法和装置。 在一些实施例中，气体分配装置可以包括多个气体入口，其构造成将处理气体输送到处理室; 以及多个流量控制器，其具有联接到所述多个气体入口的出口，用于独立地控制通过所述多个气体入口中的每一个的流量。 气体分配装置可以联接到处理室，用于控制一种或多种处理气体的输送。

公开(公告)号：US20090156011A1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：US12001986

申请日：2007-12-12

申请人： Rodolfo P. Belen ,  Edward P. Hammond, IV ,  Dan Katz ,  Valentin N. Todorow ,  Brian K. Hatcher ,  Alexander M. Paterson

发明人： Rodolfo P. Belen ,  Edward P. Hammond, IV ,  Dan Katz ,  Valentin N. Todorow ,  Brian K. Hatcher ,  Alexander M. Paterson

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/32137 ,  H01L22/20

摘要： In a plasma etch process, critical dimension (CD), CD bias and CD bias microloading are controlled independently of plasma process conditions or parameters, such as RF power levels, pressure and gas flow rate, by depressing or elevating the workpiece support pedestal to vary the gap between the workpiece and the chamber ceiling facing the workpiece, using an axially adjustable workpiece support.

摘要翻译： 在等离子体蚀刻工艺中，临时尺寸（CD），CD偏压和CD偏压微载荷独立于等离子体工艺条件或参数（例如RF功率水平，压力和气体流量）被控制，通过按压或升高工件支撑座以改变 使用可轴向调节的工件支撑件，工件与室顶面之间的工件间隙。

公开(公告)号：US20130171757A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：US13732662

申请日：2013-01-02

申请人： HARI K. PONNEKANTI ,  Alexander S. Polyak ,  James L'Heureux ,  Michael S. Cox ,  Christopher T. Lane ,  Edward P. Hammond, IV ,  Hemant P. Mungekar ,  Susanne Schlaefer ,  Wolfgang Buschbeck ,  Juergen Henrich ,  Andreas Lopp

发明人： HARI K. PONNEKANTI ,  Alexander S. Polyak ,  James L'Heureux ,  Michael S. Cox ,  Christopher T. Lane ,  Edward P. Hammond, IV ,  Hemant P. Mungekar ,  Susanne Schlaefer ,  Wolfgang Buschbeck ,  Juergen Henrich ,  Andreas Lopp

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/18 ,  C23C14/568 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6776

摘要： The present invention generally provides a high throughput substrate processing system that is used to form one or more regions of a solar cell device. In one configuration of a processing system, one or more solar cell passivating or dielectric layers are deposited and further processed within one or more processing chambers contained within the high throughput substrate processing system. The processing chambers may be, for example, plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) chambers, low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) chambers, atomic layer deposition (ALD) chambers, physical vapor deposition (PVD) or sputtering chambers, thermal processing chambers (e.g., RTA or RTO chambers), substrate reorientation chambers (e.g., flipping chambers) and/or other similar processing chambers.

摘要翻译： 本发明通常提供用于形成太阳能电池器件的一个或多个区域的高通量衬底处理系统。 在处理系统的一种配置中，一个或多个太阳能电池钝化或电介质层被沉积并在包含在高通量衬底处理系统内的一个或多个处理室内进一步处理。 处理室可以是例如等离子体增强化学气相沉积（PECVD）室，低压化学气相沉积（LPCVD）室，原子层沉积（ALD）室，物理气相沉积（PVD）或溅射室，热处理室 （例如，RTA或RTO室），基板重新定向室（例如，翻转室）和/或其它类似的处理室。

公开(公告)号：US07727413B2

公开(公告)日：2010-06-01

申请号：US11410717

申请日：2006-04-24

申请人： Alexander Paterson ,  Valentin N. Todorow ,  Theodoros Panagopoulos ,  Brian K. Hatcher ,  Dan Katz ,  Edward P. Hammond, IV ,  John P. Holland ,  Alexander Matyushkin

发明人： Alexander Paterson ,  Valentin N. Todorow ,  Theodoros Panagopoulos ,  Brian K. Hatcher ,  Dan Katz ,  Edward P. Hammond, IV ,  John P. Holland ,  Alexander Matyushkin

IPC分类号： G01L21/30

CPC分类号： H01J37/321 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165

摘要： A method of processing a workpiece in the chamber of a plasma reactor includes introducing a process gas into the chamber, simultaneously (a) capacitively coupling VHF plasma source power into a process region of the chamber that overlies the wafer, and (b) inductively coupling RF plasma source power into the process region, and controlling plasma ion density by controlling the effective frequency of the VHF source power. In a preferred embodiment, the step of coupling VHF source power is performed by coupling VHF source power from different generators having different VHF frequencies, and the step of controlling the effective frequency is performed by controlling the ratio of power coupled by the different generators.

摘要翻译： 在等离子体反应器的腔室中处理工件的方法包括将工艺气体引入到腔室中，同时（a）将VHF等离子体源功率电容耦合到覆盖在晶片上的腔室的工艺区域中，以及（b）电感耦合 RF等离子体源功率进入工艺区域，并通过控制VHF源功率的有效频率来控制等离子体离子密度。 在优选实施例中，通过耦合具有不同VHF频率的不同发生器的VHF源功率来执行耦合VHF源功率的步骤，并且通过控制由不同发生器耦合的功率比来执行控制有效频率的步骤。

公开(公告)号：US20090218317A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：US12039350

申请日：2008-02-28

申请人： RODOLFO P. BELEN ,  Edward P. Hammond, IV ,  Brian K. Hatcher ,  Dan Katz ,  Alexander M. Paterson ,  Valentin N. Todorow

发明人： RODOLFO P. BELEN ,  Edward P. Hammond, IV ,  Brian K. Hatcher ,  Dan Katz ,  Alexander M. Paterson ,  Valentin N. Todorow

IPC分类号： C23F1/08 ,  C23F1/00

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

摘要： Embodiments of the present invention provide apparatus and method for processing a substrate with increased uniformity. One embodiment of the present invention provides an apparatus for processing a substrate. The apparatus comprises a chamber body defining a processing volume, a substrate support disposed in the processing volume, a showerhead disposed in the processing volume opposite to the substrate support, and a plasma generation assembly configured to ignite a plasma from the processing gases in the processing gas in the processing volume. The showerhead is configured to provide one or more processing gases to the processing volume. The showerhead has two or more distribution zones each independently controllable.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了用于以均匀性增加来处理衬底的装置和方法。 本发明的一个实施例提供一种用于处理衬底的装置。 该装置包括限定处理体积的室主体，设置在处理容积中的基板支撑件，设置在与基板支撑件相对的处理体积中的喷头，以及等离子体产生组件，其被配置为在处理中点燃来自处理气体的等离子体 气体处理量。 喷头构造成为处理量提供一种或多种处理气体。 喷头具有两个或更多个分配区，每个分配区可独立控制。

公开(公告)号：US20090142930A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：US11998829

申请日：2007-11-30

申请人： Edward P. Hammond, IV ,  Rodolfo P. Belen ,  Alexander M. Paterson ,  Brian K. Hatcher ,  Valentin N. Todorow ,  Dan Katz

发明人： Edward P. Hammond, IV ,  Rodolfo P. Belen ,  Alexander M. Paterson ,  Brian K. Hatcher ,  Valentin N. Todorow ,  Dan Katz

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/32137 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/28035

摘要： A method of processing a wafer in a plasma, in which target values of two different plasma process parameters are simultaneously realized under predetermined process conditions by setting respective power levels of VHF and HF power simultaneously coupled to the wafer to respective optimum levels.

摘要翻译： 一种在等离子体中处理晶片的方法，其中通过将同时耦合到晶片的VHF和HF功率的相应功率电平设置为相应的最佳电平，在预定的工艺条件下同时实现两个不同等离子体工艺参数的目标值。