公开(公告)号：US07956519B2

公开(公告)日：2011-06-07

申请号：US12662617

申请日：2010-04-26

申请人： Eiji Natori ,  Takeshi Kijima ,  Koichi Furuyama ,  Yuzo Tasaki

发明人： Eiji Natori ,  Takeshi Kijima ,  Koichi Furuyama ,  Yuzo Tasaki

IPC分类号： H01L41/187

CPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/01 ,  C04B35/16 ,  C04B35/42 ,  C04B35/4521 ,  C04B35/465 ,  C04B35/472 ,  C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

摘要： A method of manufacturing a ceramic includes forming a film which includes a complex oxide material having an oxygen octahedral structure and a paraelectric material having a catalytic effect for the complex oxide material in a mixed state, and performing a heat treatment to the film, wherein the paraelectric material is one of a layered catalytic substance which includes Si in the constituent elements and a layered catalytic substance which includes Si and Ge in the constituent elements. The heat treatment includes sintering and post-annealing. At least the post-annealing is performed in a pressurized atmosphere including at least one of oxygen and ozone. A ceramic is a complex oxide having an oxygen octahedral structure, and has Si and Ge in the oxygen octahedral structure.

摘要翻译： 一种制造陶瓷的方法包括：形成包含具有氧八面体结构的复合氧化物材料和对复合氧化物材料具有催化作用的顺电性材料的混合状态的膜，并对膜进行热处理，其中， 顺电材料是构成元素中包含Si的层状催化物质和构成元素中包含Si和Ge的层状催化物质之一。 热处理包括烧结和后退火。 至少在包括氧和臭氧中的至少一种的加压气氛中进行后退火。 陶瓷是具有氧八面体结构的复合氧化物，并且具有氧八面体结构中的Si和Ge。

公开(公告)号：US07255941B2

公开(公告)日：2007-08-14

申请号：US10690021

申请日：2003-10-22

申请人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Eiji Natori ,  Koji Ohashi

发明人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Eiji Natori ,  Koji Ohashi

IPC分类号： B32B9/00

CPC分类号： C01G33/006 ,  C01G35/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  H01B1/08 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

摘要： A ferroelectric film is formed by an oxide that is described by a general formula AB1−xNbxO3. An A element includes at least Pb, and a B element includes at least one of Zr, Ti, V, W, Hf and Ta. The ferroelectric film includes Nb within the range of: 0.05≦x

摘要翻译： 铁氧体膜由通式AB 1-x N x O 3 O 3所描述的氧化物形成。 A元素至少包含Pb，B元素包括Zr，Ti，V，W，Hf和Ta中的至少一种。 铁电体膜包括在0.05 <= x <1的范围内的Nb。 铁电薄膜可用于1T1C，2T2C和简单矩阵类型的铁电存储器。

公开(公告)号：US07205056B2

公开(公告)日：2007-04-17

申请号：US10166781

申请日：2002-06-12

申请人： Eiji Natori ,  Takeshi Kijima ,  Koichi Furuyama ,  Yuzo Tasaki

发明人： Eiji Natori ,  Takeshi Kijima ,  Koichi Furuyama ,  Yuzo Tasaki

IPC分类号： B32B9/00

CPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/01 ,  C04B35/16 ,  C04B35/42 ,  C04B35/4521 ,  C04B35/465 ,  C04B35/472 ,  C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

摘要： A method of manufacturing a ceramic film includes forming the ceramic film by crystallizing a ceramic raw material liquid which includes a first raw material liquid and a second raw material liquid. The first raw material liquid and the second raw material liquid are different types of liquids, the first raw material liquid is a raw material liquid for producing a ferroelectric, the second raw material liquid is a raw material liquid for producing an oxide such as an ABO-type oxide, a solvent included in the first raw material liquid and a solvent included in the second raw material liquid have different polarities, and the ceramic film is formed in a state in which the first raw material liquid and the second raw material liquid are phase separated so that first crystals formed of the first raw material liquid are intermittently formed in a surface direction of the ceramic film and second crystals formed of the second raw material liquid are formed so as to interpose between the first crystals.

摘要翻译： 制造陶瓷膜的方法包括通过使包含第一原料液体和第二原料液体的陶瓷原料液体结晶来形成陶瓷膜。 第一原料液体和第二原料液体是不同种类的液体，第一原料液体是用于生产铁电体的原料液体，第二原料液体是用于生产诸如ABO的氧化物的原料液体 型氧化物，包含在第一原料液体中的溶剂和包含在第二原料液体中的溶剂具有不同的极性，并且陶瓷膜形成为第一原料液体和第二原料液体为 相分离，使得在陶瓷膜的表面方向间歇地形成由第一原料液形成的第一晶体，并且形成由第二原料液形成的第二晶体，以便介于第一晶体之间。

公开(公告)号：US07196457B2

公开(公告)日：2007-03-27

申请号：US10970697

申请日：2004-10-21

申请人： Hiromu Miyazawa ,  Takeshi Kijima ,  Eiji Natori ,  Taku Aoyama ,  Setsuya Iwashita ,  Takamitsu Higuchi

发明人： Hiromu Miyazawa ,  Takeshi Kijima ,  Eiji Natori ,  Taku Aoyama ,  Setsuya Iwashita ,  Takamitsu Higuchi

IPC分类号： H01L41/187 ,  B41J2/045

CPC分类号： H03H9/0542 ,  B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  F04B43/046 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/02984 ,  H03H9/173 ,  H03H9/174 ,  H03H9/64

摘要： A piezoelectric film is provided having good piezoelectric properties. The piezoelectric film is represented by the following general formula: A1−bB1−aXaO3 wherein A contains Pb; B is at least one of Zr and Ti; X is at least one of V, Nb, Ta, Cr, Mo and W; a satisfies 0.05≦a≦0.3; and b satisfies 0.025≦b≦0.15.

摘要翻译： 提供具有良好的压电性能的压电膜。 压电膜由以下通式表示：A 1-b B 1-a X a O 3 3 / >其中A含有Pb; B是Zr和Ti中的至少一种; X是V，Nb，Ta，Cr，Mo和W中的至少一种; a满足0.05 <= a <= 0.3; 并且b满足0.025≤b≤0.15。

公开(公告)号：US07186570B2

公开(公告)日：2007-03-06

申请号：US10722422

申请日：2003-11-28

申请人： Takeshi Kijima ,  Eiji Natori

发明人： Takeshi Kijima ,  Eiji Natori

IPC分类号： H01L21/00 ,  C30B1/00

CPC分类号： H01L21/02356 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/491 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/781 ,  H01G4/1209 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28291 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L29/516

摘要： A lower electrode is formed over a substrate, and a raw material including a complex oxide is heated in an atmosphere pressurized to two atmospheres or more and containing oxygen at a volume ratio of 10% or less at a temperature raising rate of 100° C./min or less, thereby forming a lower alloy film of a compound of a first metal which makes up the complex oxide, and a second metal, which makes up the lower electrode, over the lower electrode. A ceramic film in which the raw material is crystallized is formed over the lower alloy film, and an upper electrode is formed over the ceramic film.

摘要翻译： 在基板上形成下电极，将包含复合氧化物的原料在加压至2个大气压以上的气氛中以100℃的升温速度以10体积％以下的体积比进行加热。 /分钟以下，由此在下电极上形成构成复合氧化物的第一金属的化合物和构成下电极的第二金属的下合金膜。 在下合金膜上形成原料结晶的陶瓷膜，在陶瓷膜上形成上电极。

公开(公告)号：US07169621B2

公开(公告)日：2007-01-30

申请号：US10780572

申请日：2004-02-19

申请人： Kazumasa Hasegawa ,  Eiji Natori ,  Takao Nishikawa ,  Koichi Oguchi ,  Tatsuya Shimoda

发明人： Kazumasa Hasegawa ,  Eiji Natori ,  Takao Nishikawa ,  Koichi Oguchi ,  Tatsuya Shimoda

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159

摘要： A ferroelectric memory device of the present invention includes a memory cell array in which memory cells are arranged in a matrix having first signal electrodes, second signal electrodes arranged in a direction intersecting the first signal electrodes, and a ferroelectric layer disposed at least in intersection regions between the first signal electrodes and the second signal electrodes, and a peripheral circuit section for selectively writing information into or reading information from the memory cell. The memory cell array and the peripheral circuit section are formed in different layers. The peripheral circuit section is formed in a region outside the memory cell array.

摘要翻译： 本发明的铁电体存储装置具备存储单元阵列，其中存储单元配置成具有第一信号电极的矩阵，第二信号电极沿与第一信号电极交叉的方向排列，以及至少设置在交叉区域的铁电层 在第一信号电极和第二信号电极之间，以及用于选择性地将信息写入或从存储单元读取信息的外围电路部分。 存储单元阵列和外围电路部分形成在不同的层中。 外围电路部分形成在存储单元阵列外部的区域中。

公开(公告)号：US07037731B2

公开(公告)日：2006-05-02

申请号：US10807278

申请日：2004-03-24

申请人： Takeshi Kijima ,  Koji Ohashi ,  Eiji Natori

发明人： Takeshi Kijima ,  Koji Ohashi ,  Eiji Natori

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/11502 ,  C01G33/006 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  H01B1/08 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

摘要： A method of manufacturing a ferroelectric capacitor. In this method, a lower electrode is formed on a base at first. A ferroelectric film which includes a PZTN complex oxide including lead, zirconium, titanium, and niobium on the lower electrode is formed, and then an upper electrode is formed on the ferroelectric film. A protective film is then formed to cover the lower electrode, the ferroelectric film, and the upper electrode, and heat treatment for crystallizing the PZTN complex oxide is performed at least after forming the protective film.

摘要翻译： 一种制造铁电电容器的方法。 在该方法中，首先在基底上形成下电极。 在下电极上形成包括铅，锆，钛和铌的PZTN复合氧化物的铁电体膜，然后在强电介质膜上形成上电极。 然后形成保护膜以覆盖下电极，铁电体膜和上电极，并且至少在形成保护膜之后进行用于结晶PZTN复合氧化物的热处理。

公开(公告)号：US20060088731A1

公开(公告)日：2006-04-27

申请号：US11286284

申请日：2005-11-25

申请人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Eiji Natori ,  Koji Ohashi

发明人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Eiji Natori ,  Koji Ohashi

IPC分类号： B05D5/12

CPC分类号： C01G33/006 ,  C01G35/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  H01B1/08 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

摘要： A ferroelectric film is formed by an oxide that is described by a general formula AB1-xNbxO3. An A element includes at least Pb, and a B element includes at least one of Zr, Ti, V, W, Hf and Ta. The ferroelectric film includes Nb within the range of: 0.05≦x

公开(公告)号：US20060051601A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：US11214740

申请日：2005-08-31

申请人： Eiji Natori ,  Takeshi Kijima ,  Koichi Furuyama ,  Yuzo Tasaki

发明人： Eiji Natori ,  Takeshi Kijima ,  Koichi Furuyama ,  Yuzo Tasaki

IPC分类号： B32B15/04 ,  H01G4/06

CPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/01 ,  C04B35/16 ,  C04B35/42 ,  C04B35/4521 ,  C04B35/465 ,  C04B35/472 ,  C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

摘要： A method of manufacturing a ceramic film includes forming the ceramic film by crystallizing a ceramic raw material liquid which includes a first raw material liquid and a second raw material liquid. The first raw material liquid and the second raw material liquid are different types of liquids, the first raw material liquid is a raw material liquid for producing a ferroelectric, the second raw material liquid is a raw material liquid for producing an oxide such as an ABO-type oxide, a solvent included in the first raw material liquid and a solvent included in the second raw material liquid have different polarities, and the ceramic film is formed in a state in which the first raw material liquid and the second raw material liquid are phase separated so that first crystals formed of the first raw material liquid are intermittently formed in a surface direction of the ceramic film and second crystals formed of the second raw material liquid are formed so as to interpose between the first crystals.

摘要翻译： 制造陶瓷膜的方法包括通过使包含第一原料液体和第二原料液体的陶瓷原料液体结晶来形成陶瓷膜。 第一原料液体和第二原料液体是不同种类的液体，第一原料液体是用于生产铁电体的原料液体，第二原料液体是用于生产诸如ABO的氧化物的原料液体 型氧化物，包含在第一原料液体中的溶剂和包含在第二原料液体中的溶剂具有不同的极性，并且陶瓷膜形成为第一原料液体和第二原料液体为 相分离，使得在陶瓷膜的表面方向间歇地形成由第一原料液形成的第一晶体，并且形成由第二原料液形成的第二晶体，以便介于第一晶体之间。

公开(公告)号：US20050263809A1

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：US11147279

申请日：2005-06-08

申请人： Eiji Natori ,  Tatsuya Shimoda ,  Takeshi Kijima

发明人： Eiji Natori ,  Tatsuya Shimoda ,  Takeshi Kijima

IPC分类号： G11C11/22 ,  H01L21/00 ,  H01L21/68 ,  H01L21/84 ,  H01L21/98 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/12 ,  H01L29/76 ,  H01L31/062

CPC分类号： H01L25/0657 ,  G11C11/22 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/84 ,  H01L24/73 ,  H01L25/50 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/1203 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A ferroelectric memory includes a substrate and a sheet-shaped device formed over the substrate through an adhesive layer. The sheet-shaped device includes a memory cell array in which a ferroelectric layer is disposed at least in intersecting regions of a plurality of lower electrodes and a plurality of upper electrodes which are formed in the shape of lines, and a peripheral circuit section for the memory cell array.