公开(公告)号：US4432035A

公开(公告)日：1984-02-14

申请号：US387315

申请日：1982-06-11

申请人： Ning Hsieh ,  Eugene A. Irene ,  Mousa H. Ishaq ,  Stanley Roberts

发明人： Ning Hsieh ,  Eugene A. Irene ,  Mousa H. Ishaq ,  Stanley Roberts

IPC分类号： C01B33/12 ,  B05D5/12 ,  C01B33/113 ,  H01B3/02 ,  H01G2/12 ,  H01G4/06 ,  H01G4/08 ,  H01G4/10 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01G2/12

摘要： An improved method of fabricating a stable high dielectric constant and low leakage dielectric material includes oxidizing at a temperature of about 400.degree. C. or higher a layer of a transition metal-silicon alloy having 40% to 90% transition metal by atomic weight to produce a silicate or homogeneous mixture. The mixture includes an oxide of the transition metal and silicon dioxide. The alloy may be deposited on, e.g., a semiconductor or an electrically conductive layer that is oxidation resistant, and the thickness of the mixture or oxidized alloy should be within the range of 5 to 50 nanometers. By depositing an electrically conductive layer on the homogeneous mixture, a capacitor having a high dielectric, low leakage dielectric medium is provided.

摘要翻译： 制造稳定的高介电常数和低泄漏介电材料的改进方法包括在约400℃或更高的温度下氧化具有40％至90％过渡金属的过渡金属 - 硅合金的原子量以产生 硅酸盐或均质混合物。 该混合物包括过渡金属和二氧化硅的氧化物。 合金可以沉积在例如耐氧化的半导体或导电层上，并且混合物或氧化合金的厚度应在5至50纳米的范围内。 通过在均匀混合物上沉积导电层，提供具有高电介质，低漏电介质的电容器。

公开(公告)号：US3974003A

公开(公告)日：1976-08-10

申请号：US607420

申请日：1975-08-25

申请人： Stanley Zirinsky ,  Eugene A. Irene ,  Victor J. Silvestri

发明人： Stanley Zirinsky ,  Eugene A. Irene ,  Victor J. Silvestri

IPC分类号： H01L27/112 ,  C23C16/22 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/318 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/51 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/513 ,  C23C16/22 ,  C23C16/34 ,  H01L21/318 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： Method for depositing a layer containing Al; N, and Si on a substrate which comprises providing a substrate to be coated, a carrier gas, and a gaseous mixture of nitrogen source compounds, aluminum source compounds and silicon source material and heating the substrate to a temperature in the range of about 500.degree. to about 1,300.degree. C to thereby cause formation on the substrate of a layer containing Al, N, and Si; and products obtained by the method.

摘要翻译： 沉积含有Al的层的方法 N和Si在衬底上，其包括提供待涂覆的衬底，载气和氮源化合物，铝源化合物和硅源材料的气体混合物，并将衬底加热到​​约500℃的温度 至约1300℃，从而在基材上形成含有Al，N和Si的层; 和通过该方法获得的产品。