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    Method and system for controlling copper chemical mechanical polish uniformity
    1.
    发明授权
    Method and system for controlling copper chemical mechanical polish uniformity 有权
    控制铜化学机械抛光均匀性的方法和系统

    公开(公告)号：US08409993B2

    公开(公告)日：2013-04-02

    申请号：US11810720

    申请日：2007-06-07

    申请人： Francis Ko ,  Chun-Hsien Lin ,  Jean Wang ,  Chih-Wei Lai ,  Ping-Hsu Chen ,  Henry Lo

    发明人： Francis Ko ,  Chun-Hsien Lin ,  Jean Wang ,  Chih-Wei Lai ,  Ping-Hsu Chen ,  Henry Lo

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L21/3212 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A system and method for controlling resistivity uniformity in a Copper trench structure by controlling the CMP process is provided. A preferred embodiment comprises a system and a method in which a plurality of CMP process recipes may be created comprising at least a slurry arm position. A set of metrological data for at least one layer of the semiconductor substrate may be estimated, and an optimum CMP process recipe may be selected based on the set of metrological data. The optimum CMP process recipe may be implemented on the semiconductor substrate.

    摘要翻译： 提供了一种通过控制CMP工艺来控制铜沟槽结构中的电阻率均匀性的系统和方法。 优选实施例包括系统和方法，其中可以创建包括至少浆料臂位置的多个CMP工艺配方。 可以估计用于至少一层半导体衬底的一组计量数据，并且可以基于该组计量数据来选择最佳CMP工艺配方。 可以在半导体衬底上实现最佳CMP工艺配方。

    METHOD AND SYSTEM FOR YIELD AND PRODUCTIVITY IMPROVEMENTS IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
    2.
    发明申请
    METHOD AND SYSTEM FOR YIELD AND PRODUCTIVITY IMPROVEMENTS IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 失效
    半导体加工中的生产率和生产率改进方法与系统

    公开(公告)号：US20080064127A1

    公开(公告)日：2008-03-13

    申请号：US11559781

    申请日：2006-11-14

    申请人： Chen-Hua Yu ,  Lawrance Sheu ,  Yi-Li Hsiao ,  Francis Ko

    发明人： Chen-Hua Yu ,  Lawrance Sheu ,  Yi-Li Hsiao ,  Francis Ko

    IPC分类号： H01L21/66

    CPC分类号： H01L22/14 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor processing method includes processing a first substrate while detecting at least one first processing parameter value in a first apparatus. The first processing parameter is analyzed, thereby yielding at least one first predicted parameter value. The first predicted parameter value is compared with a first pre-defined parameter value, thereby yielding at least one first comparison result. A first recipe is applied corresponding to the first comparison result for processing a second substrate in the first apparatus.

    摘要翻译： 半导体处理方法包括在检测第一装置中的至少一个第一处理参数值的同时处理第一基板。 分析第一处理参数，从而产生至少一个第一预测参数值。 将第一预测参数值与第一预定义参数值进行比较，从而产生至少一个第一比较结果。 对应于用于处理第一装置中的第二基板的第一比较结果应用第一配方。

    Method for argon plasma induced ultraviolet light curing step for increasing silicon-containing photoresist selectivity
    3.
    发明授权
    Method for argon plasma induced ultraviolet light curing step for increasing silicon-containing photoresist selectivity 失效
    氩等离子体诱导紫外光固化步骤的方法，用于提高含硅光刻胶的选择性

    公开(公告)号：US07160671B2

    公开(公告)日：2007-01-09

    申请号：US09894230

    申请日：2001-06-27

    申请人： Francis Ko ,  Richard Chen ,  Charlie Lee

    发明人： Francis Ko ,  Richard Chen ,  Charlie Lee

    IPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/36 ,  G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/075 ,  G03F7/094

    摘要： A method for increasing etching selectivity of a developed silicon-containing photoresist layer on a non-silicon containing photoresist layer on a substrate. The developed silicon-containing photoresist layer includes polymer chains containing silicon. Next, the developed silicon-containing photoresist layer and uncovered portions of the non-silicon containing photoresist layer are exposed to an ultraviolet (UV) light, where the UV light emanates from a UV generating agent, such as neon, xenon, helium, hydrogen, or krypton gas in an inert gas (e.g., argon, etc.) plasma. A top portion of the developed silicon-containing photoresist layer is then converted to a hardened layer, where the hardened layer is created by cross-linking the polymer chains containing silicon and the cross-linking is activated by the UV light. Next, an etch is performed on the uncovered portions of the non-silicon containing photoresist layer and the substrate using the hardened layer.

    摘要翻译： 一种用于提高显影的含硅光致抗蚀剂层在基底上的非硅含光致抗蚀剂层上的蚀刻选择性的方法。 显影的含硅光致抗蚀剂层包括含硅的聚合物链。 接下来，将显影的含硅光致抗蚀剂层和非含硅光致抗蚀剂层的未覆盖部分暴露于紫外线（UV）光，其中UV光从UV发生剂如氖，氙，氦，氢发出 ，或惰性气体（如氩气等）中的氪气。 然后将显影的含硅光致抗蚀剂层的顶部转化为硬化层，其中通过交联含硅聚合物链产生硬化层，并且交联通过UV光活化。 接下来，使用硬化层​​对含硅的光致抗蚀剂层和基板的未覆盖部分进行蚀刻。

    Prediction of uniformity of a wafer
    5.
    发明授权
    Prediction of uniformity of a wafer 失效
    预测晶圆的均匀性

    公开(公告)号：US07634325B2

    公开(公告)日：2009-12-15

    申请号：US11744107

    申请日：2007-05-03

    申请人： Jean Wang ,  Francis Ko ,  Ping-Hsu Chen ,  Henry Lo ,  Chih-Wei Lai

    发明人： Jean Wang ,  Francis Ko ,  Ping-Hsu Chen ,  Henry Lo ,  Chih-Wei Lai

    IPC分类号： G06F19/00

    CPC分类号： H01L22/20 ,  G01N21/9501 ,  H01L22/12

    摘要： A method of monitoring uniformity of a wafer is provided. A wafer parameter is selected. Manufacturing data is collected. The manufacturing data includes measurements of the selected wafer parameter. An average offset profile of the wafer parameter for a first and second wafer is determined using the manufacturing data. The first and second wafer are associated with a product type and were processed by a processing tool. An offset profile for a third wafer is predicted for a wafer using the average offset profile. The third wafer is associated with the product type and was processed by the processing tool.

    摘要翻译： 提供了一种监测晶片均匀性的方法。 选择晶圆参数。 收集制造数据。 制造数据包括所选晶片参数的测量。 使用制造数据确定第一和第二晶片的晶片参数的平均偏移轮廓。 第一和第二晶片与产品类型相关联并且由处理工具处理。 使用平均偏移轮廓为晶片预测第三晶片的偏移轮廓。 第三个晶片与产品类型相关联，并由加工工具处理。

    Method and system for controlling copper chemical mechanical polish uniformity
    6.
    发明申请
    Method and system for controlling copper chemical mechanical polish uniformity 有权
    控制铜化学机械抛光均匀性的方法和系统

    公开(公告)号：US20080305563A1

    公开(公告)日：2008-12-11

    申请号：US11810720

    申请日：2007-06-07

    申请人： Francis Ko ,  Chun-Hsien Lin ,  Jean Wang ,  Chih-Wei Lai ,  Ping-Hsu Chen ,  Henry Lo

    发明人： Francis Ko ,  Chun-Hsien Lin ,  Jean Wang ,  Chih-Wei Lai ,  Ping-Hsu Chen ,  Henry Lo

    IPC分类号： H01L21/306

    CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L21/3212 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A system and method for controlling resistivity uniformity in a Copper trench structure by controlling the CMP process is provided. A preferred embodiment comprises a system and a method in which a plurality of CMP process recipes may be created comprising at least a slurry arm position. A set of metrological data for at least one layer of the semiconductor substrate may be estimated, and an optimum CMP process recipe may be selected based on the set of metrological data. The optimum CMP process recipe may be implemented on the semiconductor substrate.

    摘要翻译： 提供了一种通过控制CMP工艺来控制铜沟槽结构中的电阻率均匀性的系统和方法。 优选实施例包括系统和方法，其中可以创建包括至少浆料臂位置的多个CMP工艺配方。 可以估计用于至少一层半导体衬底的一组计量数据，并且可以基于该组计量数据来选择最佳CMP工艺配方。 可以在半导体衬底上实现最佳CMP工艺配方。

    METHODOLOGY TO ENABLE WAFER RESULT PREDICTION OF BATCH TOOLS
    7.
    发明申请
    METHODOLOGY TO ENABLE WAFER RESULT PREDICTION OF BATCH TOOLS 有权
    使用批量工具的波形结果预测方法

    公开(公告)号：US20080275676A1

    公开(公告)日：2008-11-06

    申请号：US11941518

    申请日：2007-11-16

    申请人： Chun-Hsien Lin ,  Amy Wang ,  Francis Ko ,  Jean Wang

    发明人： Chun-Hsien Lin ,  Amy Wang ,  Francis Ko ,  Jean Wang

    IPC分类号： G06N7/00

    CPC分类号： G05B19/41875 ,  G05B2219/32187 ,  G05B2219/32188 ,  G05B2219/32194 ,  Y02P90/22 ,  Y10S430/146

    摘要： A method to enable wafer result prediction from a batch processing tool, includes collecting manufacturing data from a batch of wafers processed in batch in the batch processing tool, to form a batch processing result; defining a degree of freedom of the batch processing result based on the manufacturing data; and performing an optimal curve fitting by trial and error for an optimal function model of the batch processing result based on the batch processing result.

    摘要翻译： 一种能够从批量处理工具中进行晶片结果预测的方法包括从批量处理工具中批量处理的一批晶片收集制造数据，以形成批处理结果; 基于制造数据定义批量处理结果的自由度; 并根据批次处理结果对批处理结果的最优函数模型进行试验和误差拟合。

    Near non-adaptive virtual metrology and chamber control
    8.
    发明授权
    Near non-adaptive virtual metrology and chamber control 有权
    近非自适应虚拟计量和室控制

    公开(公告)号：US08433434B2

    公开(公告)日：2013-04-30

    申请号：US12766626

    申请日：2010-04-23

    申请人： Amy Wang ,  Chen-Hua Yu ,  Jean Wang ,  Henry Lo ,  Francis Ko ,  Chih-Wei Lai ,  Kewei Zuo

    发明人： Amy Wang ,  Chen-Hua Yu ,  Jean Wang ,  Henry Lo ,  Francis Ko ,  Chih-Wei Lai ,  Kewei Zuo

    IPC分类号： G06F19/00

    CPC分类号： G05B13/048

    摘要： Embodiments of the present invention relate to a method for a near non-adaptive virtual metrology for wafer processing control. In accordance with an embodiment of the present invention, a method for processing control comprises diagnosing a chamber of a processing tool that processes a wafer to identify a key chamber parameter, and controlling the chamber based on the key chamber parameter if the key chamber parameter can be controlled, or compensating a prediction model by changing to a secondary prediction model if the key chamber parameter cannot be sufficiently controlled.

    摘要翻译： 本发明的实施例涉及一种用于晶片处理控制的近非自适应虚拟测量方法。 根据本发明的实施例，一种用于处理控制的方法包括：诊断处理工具的室，其处理晶片以识别密钥室参数，以及如果密钥室参数可以基于密钥室参数来控制室 如果密钥室参数不能被充分地控制，则通过改变为次级预测模型来控制或补偿预测模型。

    Near Non-Adaptive Virtual Metrology and Chamber Control
    10.
    发明申请
    Near Non-Adaptive Virtual Metrology and Chamber Control 有权
    近非自适应虚拟计量和室控制

    公开(公告)号：US20110009998A1

    公开(公告)日：2011-01-13

    申请号：US12766626

    申请日：2010-04-23

    申请人： Amy Wang ,  Chen-Hua Yu ,  Jean Wang ,  Henry Lo ,  Francis Ko ,  Chih-Wei Lai ,  Kewei Zuo

    发明人： Amy Wang ,  Chen-Hua Yu ,  Jean Wang ,  Henry Lo ,  Francis Ko ,  Chih-Wei Lai ,  Kewei Zuo

    IPC分类号： G05B13/04

    CPC分类号： G05B13/048

    摘要： Embodiments of the present invention relate to a method for a near non-adaptive virtual metrology for wafer processing control. In accordance with an embodiment of the present invention, a method for processing control comprises diagnosing a chamber of a processing tool that processes a wafer to identify a key chamber parameter, and controlling the chamber based on the key chamber parameter if the key chamber parameter can be controlled, or compensating a prediction model by changing to a secondary prediction model if the key chamber parameter cannot be sufficiently controlled.

    摘要翻译： 本发明的实施例涉及一种用于晶片处理控制的近非自适应虚拟测量方法。 根据本发明的实施例，一种用于处理控制的方法包括：诊断处理工具的室，其处理晶片以识别密钥室参数，以及如果密钥室参数可以基于密钥室参数来控制室 如果密钥室参数不能被充分地控制，则通过改变为次级预测模型来控制或补偿预测模型。