公开(公告)号：US08664657B2

公开(公告)日：2014-03-04

申请号：US11577070

申请日：2005-10-11

申请人： Georg Duesberg ,  Franz Kreupl ,  Robert Seidel ,  Gernot Steinlesberger

发明人： Georg Duesberg ,  Franz Kreupl ,  Robert Seidel ,  Gernot Steinlesberger

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L29/04 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L51/0048 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0021

摘要： A circuit is disclosed. The circuit includes at least one nanostructure and a carbon interconnect formed by a substantially carbon layer, wherein the nanostructure and the carbon interconnect are directly coupled to one another.

摘要翻译： 公开了一种电路。 电路包括由基本上碳层形成的至少一个纳米结构和碳互连，其中纳米结构和碳互连彼此直接耦合。

公开(公告)号：US20090045161A1

公开(公告)日：2009-02-19

申请号：US11839890

申请日：2007-08-16

申请人： Maik Liebau ,  Thomas Betzl ,  Olaf Storbeck ,  Georg Duesberg ,  Guenther Aichmayr

发明人： Maik Liebau ,  Thomas Betzl ,  Olaf Storbeck ,  Georg Duesberg ,  Guenther Aichmayr

IPC分类号： H01B13/00

CPC分类号： H01L27/1211 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/845 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/10891 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： A method of making an integrated circuit comprises providing a substrate and forming a structure on the substrate comprising a first enclosed portion of a carbon material and a second portion of the carbon material, wherein an intersection of the first and second portion of the carbon material has a defined dimension. The method further comprises processing the substrate with a plasma comprising hydrogen in order to etch the second portion of the carbon material, wherein the defined dimension of the intersection of the first and second portion of the carbon material substantially suppresses etching of the first enclosed portion of the carbon material in a self-limiting way.

摘要翻译： 一种制造集成电路的方法包括提供基板并在基板上形成包括碳材料的第一封闭部分和碳材料的第二部分的结构，其中碳材料的第一和第二部分的交点具有 一个定义的维度。 该方法还包括用包括氢的等离子体处理衬底以蚀刻碳材料的第二部分，其中碳材料的第一和第二部分的相交的限定尺寸基本上抑制了第一封闭部分的蚀刻 碳材料以自限制的方式。

公开(公告)号：US07935634B2

公开(公告)日：2011-05-03

申请号：US11839890

申请日：2007-08-16

申请人： Maik Liebau ,  Thomas Betzl ,  Olaf Storbeck ,  Georg Duesberg ,  Guenther Aichmayr

发明人： Maik Liebau ,  Thomas Betzl ,  Olaf Storbeck ,  Georg Duesberg ,  Guenther Aichmayr

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L27/1211 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/845 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/10891 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： A method of making an integrated circuit comprises providing a substrate and forming a structure on the substrate comprising a first enclosed portion of a carbon material and a second portion of the carbon material, wherein an intersection of the first and second portion of the carbon material has a defined dimension. The method further comprises processing the substrate with a plasma comprising hydrogen in order to etch the second portion of the carbon material, wherein the defined dimension of the intersection of the first and second portion of the carbon material substantially suppresses etching of the first enclosed portion of the carbon material in a self-limiting way.

摘要翻译： 一种制造集成电路的方法包括提供基板并在基板上形成包括碳材料的第一封闭部分和碳材料的第二部分的结构，其中碳材料的第一和第二部分的交点具有 一个定义的维度。 该方法还包括用包括氢的等离子体处理衬底以蚀刻碳材料的第二部分，其中碳材料的第一和第二部分的相交的限定尺寸基本上抑制了第一封闭部分的蚀刻 碳材料以自限制的方式。

公开(公告)号：US07910210B2

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：US11602460

申请日：2006-11-20

申请人： Franz Kreupl ,  Maik Liebau ,  Georg Duesberg ,  Christian Kapteyn

发明人： Franz Kreupl ,  Maik Liebau ,  Georg Duesberg ,  Christian Kapteyn

IPC分类号： B32B9/00 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L23/53276 ,  C23C16/26 ,  C23C16/32 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/30 ,  H01L2924/00

摘要： In a method of producing a layer arrangement, a substantially carbon-comprising, electrically conductive carbon layer is formed. A protective layer is formed on the carbon layer. An electrically insulating layer is formed on the protective layer, the protective layer protecting the carbon layer from damage during the formation of the electrically insulating layer. Furthermore, a layer arrangement is provided, having a substantially carbon-comprising, electrically conductive carbon layer, a protective layer formed on the carbon layer, and an electrically insulating layer formed on the protective layer, the protective layer being used to avoid damage to the carbon layer by the electrically insulating layer.

摘要翻译： 在制备层布置的方法中，形成基本上含碳的导电碳层。 在碳层上形成保护层。 在保护层上形成电绝缘层，保护层在形成电绝缘层期间保护碳层免受损坏。 此外，提供了一种层布置，其具有基本上包含碳的导电碳层，形成在碳层上的保护层，以及形成在保护层上的电绝缘层，保护层用于避免损坏 碳层由电绝缘层。

公开(公告)号：US20090213830A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：US11577070

申请日：2005-10-11

申请人： Georg Duesberg ,  Franz Kreupl ,  Robert Seidel ,  Gernot Steinlesberger

发明人： Georg Duesberg ,  Franz Kreupl ,  Robert Seidel ,  Gernot Steinlesberger

IPC分类号： H04J3/00 ,  H04B1/38 ,  G08B13/14

CPC分类号： H01L51/0048 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0021

摘要： A communication system is disclosed. In one embodiment, the communication system includes a communication device set up to execute a process, configured to put itself into an activated state or into a deactivated state at alternate times, receive time information in a first operating state of the activated state, take the received time information as a basis for ascertaining the later time at which useful information is transmitted to the communication device, receive the useful information at the later time in a second operating state of the activated state. Individual components of the communication device are able to be put into an activated state or into a deactivated state independently of one another.

摘要翻译： 公开了一种电路。 该电路包括由基本上碳层形成的至少一个纳米结构和碳互连，其中纳米结构和碳互连彼此直接耦合。

公开(公告)号：US08216639B2

公开(公告)日：2012-07-10

申请号：US11303639

申请日：2005-12-16

申请人： Maik Liebau ,  Franz Kreupl ,  Georg Duesberg ,  Eugen Unger

发明人： Maik Liebau ,  Franz Kreupl ,  Georg Duesberg ,  Eugen Unger

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/0227 ,  C23C16/26

摘要： One embodiment of the present invention provides a method for the deposition of a Carbon containing layer on a Silicon surface wherein a (i) substantially Silicon-oxide-free or reduced oxide interface results between Silicon and the Carbon containing layer during the deposition. In another embodiment, the present invention provides a method for deposition of a Carbon containing layer wherein the deposition process is substantially soot (particle)-free or reduction of soot.

摘要翻译： 本发明的一个实施方案提供了一种用于在硅表面上沉积含碳层的方法，其中在沉积期间在硅和含碳层之间产生（i）基本上不含氧化硅的氧化物或还原氧化物界面。 在另一个实施方案中，本发明提供了一种用于沉积含碳层的方法，其中沉积过程基本上是烟灰（无颗粒）或烟灰的还原。

公开(公告)号：US20070248523A1

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：US11569900

申请日：2005-04-21

申请人： Georg Duesberg ,  Maik Liebau ,  Eugen Unger

发明人： Georg Duesberg ,  Maik Liebau ,  Eugen Unger

IPC分类号： C01B33/00

CPC分类号： C09C1/44 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B32/168 ,  C01B2202/06 ,  C01P2004/13

摘要： A process for silanizing carbon nanotubes, wherein the carbon nanotubes are oxidized and subsequently exposed to a saturated gas phase including one or more organosilane derivatives which form covalent bonds to the carbon nanotubes with siloxane formation.

摘要翻译： 一种使碳纳米管硅烷化的方法，其中碳纳米管被氧化并随后暴露于包含一个或多个有机硅烷衍生物的饱和气相，该有机硅烷衍生物与形成硅氧烷的碳纳米管共价键。

公开(公告)号：US07731928B2

公开(公告)日：2010-06-08

申请号：US11569900

申请日：2005-04-21

申请人： Georg Duesberg ,  Maik Liebau ,  Eugen Unger

发明人： Georg Duesberg ,  Maik Liebau ,  Eugen Unger

IPC分类号： D01F9/12

CPC分类号： C09C1/44 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B32/168 ,  C01B2202/06 ,  C01P2004/13

摘要： A process for silanizing carbon nanotubes, wherein the carbon nanotubes are oxidized and subsequently exposed to a saturated gas phase including one or more organosilane derivatives which form covalent bonds to the carbon nanotubes with siloxane formation.

摘要翻译： 一种使碳纳米管硅烷化的方法，其中碳纳米管被氧化并随后暴露于包含一个或多个有机硅烷衍生物的饱和气相，该有机硅烷衍生物与形成硅氧烷的碳纳米管共价键。

公开(公告)号：US20070122621A1

公开(公告)日：2007-05-31

申请号：US11602460

申请日：2006-11-20

申请人： Franz Kreupl ,  Maik Liebau ,  Georg Duesberg ,  Christian Kapteyn

发明人： Franz Kreupl ,  Maik Liebau ,  Georg Duesberg ,  Christian Kapteyn

IPC分类号： B32B9/00 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L23/53276 ,  C23C16/26 ,  C23C16/32 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/30 ,  H01L2924/00

摘要： In a method of producing a layer arrangement, a substantially carbon-comprising, electrically conductive carbon layer is formed. A protective layer is formed on the carbon layer. An electrically insulating layer is formed on the protective layer, the protective layer protecting the carbon layer from damage during the formation of the electrically insulating layer. Furthermore, a layer arrangement is provided, having a substantially carbon-comprising, electrically conductive carbon layer, a protective layer formed on the carbon layer, and an electrically insulating layer formed on the protective layer, the protective layer being used to avoid damage to the carbon layer by the electrically insulating layer.

摘要翻译： 在制备层布置的方法中，形成基本上含碳的导电碳层。 在碳层上形成保护层。 在保护层上形成电绝缘层，保护层在形成电绝缘层期间保护碳层免受损坏。 此外，提供了一种层布置，其具有基本上包含碳的导电碳层，形成在碳层上的保护层，以及形成在保护层上的电绝缘层，保护层用于避免损坏 碳层由电绝缘层。

公开(公告)号：US20070001208A1

公开(公告)日：2007-01-04

申请号：US11170886

申请日：2005-06-30

申请人： Andrew Graham ,  Georg Duesberg ,  Werner Steinhoegl

发明人： Andrew Graham ,  Georg Duesberg ,  Werner Steinhoegl

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L27/10852

摘要： A DRAM stack capacitor and a fabrication method thereof is disclosed. The DRAM stack capacitor is formed with a first capacitor electrode comprising a conductive carbon layer, a capacitor dielectric layer and a second capacitor electrode.

摘要翻译： 公开了一种DRAM堆叠电容器及其制造方法。 DRAM叠层电容器由包括导电碳层，电容器介电层和第二电容器电极的第一电容器电极形成。