公开(公告)号：US09037778B2

公开(公告)日：2015-05-19

申请号：US13212404

申请日：2011-08-18

申请人： Han Bin Yoon ,  Dong Gi Lee ,  Hyuck-Sun Kwon

发明人： Han Bin Yoon ,  Dong Gi Lee ,  Hyuck-Sun Kwon

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F3/06

CPC分类号： G06F3/0616 ,  G06F3/0638 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0679

摘要： A method and apparatus to interface a semiconductor storage device and a host in order to provide performance throttling of the semiconductor storage device. In the method, the semiconductor storage can receive a setting request command from the host. The semiconductor storage device sets a performance throttling parameter to a particular value in response to the setting request command. The semiconductor storage device can send to the host a setting response signal indicating completion of the setting of the performance throttling parameter.

摘要翻译： 一种用于将半导体存储设备和主机接口以便提供半导体存储设备的性能调节的方法和设备。 在该方法中，半导体存储器可以从主机接收设置请求命令。 半导体存储装置响应于设置请求命令将性能调节参数设置为特定值。 半导体存储装置可以向主机发送指示性能调节参数的设置的完成的设置响应信号。

公开(公告)号：US20150019801A1

公开(公告)日：2015-01-15

申请号：US14504568

申请日：2014-10-02

申请人： Han Bin YOON ,  Yeong-Jae WOO ,  Dong Gi LEE ,  Kwang Ho KIM ,  Hyuck-Sun KWON

发明人： Han Bin YOON ,  Yeong-Jae WOO ,  Dong Gi LEE ,  Kwang Ho KIM ,  Hyuck-Sun KWON

IPC分类号： G06F3/06

CPC分类号： G06F3/0616 ,  G06F3/0613 ,  G06F3/0653 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0679 ,  G06F13/1668 ,  G06F2206/1014

摘要： A semiconductor storage device and a method of throttling performance of the same are provided. The semiconductor storage device includes a non-volatile memory device; and a controller configured to receive a write command from a host and program write data received from the host to the non-volatile memory device in response to the write command. The controller inserts idle time after receiving the write data from the host and/or after programming the write data to the non-volatile memory device.

摘要翻译： 提供半导体存储装置及其节流方法。 半导体存储装置包括非易失性存储装置; 以及控制器，被配置为从主机接收写入命令，并且响应于写入命令将程序写入从主机接收到非易失性存储器设备的数据。 控制器在接收到来自主机的写入数据和/或在将写入数据编程到非易失性存储器件之后插入空闲时间。

公开(公告)号：US08856424B2

公开(公告)日：2014-10-07

申请号：US13166216

申请日：2011-06-22

申请人： Han Bin Yoon ,  Yeong-Jae Woo ,  Dong Gi Lee ,  Kwang Ho Kim ,  Hyuck-Sun Kwon

发明人： Han Bin Yoon ,  Yeong-Jae Woo ,  Dong Gi Lee ,  Kwang Ho Kim ,  Hyuck-Sun Kwon

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F13/16 ,  G06F3/06

CPC分类号： G06F3/0616 ,  G06F3/0613 ,  G06F3/0653 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0679 ,  G06F13/1668 ,  G06F2206/1014

摘要： A semiconductor storage device and a method of throttling performance of the same are provided. The semiconductor storage device includes a non-volatile memory device, and a controller configured to receive a write command from a host and program and to write data received from the host to the non-volatile memory device in response to the write command. The controller inserts idle time after receiving the write data from the host and/or after programming the write data to the non-volatile memory device.

摘要翻译： 提供半导体存储装置及其节流方法。 半导体存储装置包括非易失性存储装置，以及控制器，被配置为从主机和程序接收写入命令，并且响应写入命令将从主机接收到的数据写入到非易失性存储器装置。 控制器在接收到来自主机的写入数据和/或在将写入数据编程到非易失性存储器件之后插入空闲时间。

公开(公告)号：US08612836B2

公开(公告)日：2013-12-17

申请号：US13025463

申请日：2011-02-11

申请人： Han Bin Yoon ,  Mi Kyoung Jang ,  Jin-Hyuk Lee

发明人： Han Bin Yoon ,  Mi Kyoung Jang ,  Jin-Hyuk Lee

IPC分类号： H03M13/00

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F11/1068 ,  G06F2212/1032 ,  G06F2212/7207 ,  H03M13/05

摘要： The non-volatile memory system includes a non-volatile memory and a controller. The non-volatile memory includes a data region including a sector region for storing sector data, and an uncorrectable information region for storing uncorrectable sector information on the sector region. The controller includes an information generation unit for generating the uncorrectable sector information that indicates whether the sector region is assigned to an uncorrectable sector region, according to a command output from a host.

摘要翻译： 非易失性存储器系统包括非易失性存储器和控制器。 非易失性存储器包括包括用于存储扇区数据的扇区区域的数据区域和用于在扇区区域上存储不可校正扇区信息的不可校正信息区域。 控制器包括信息生成单元，用于根据从主机输出的命令，生成指示扇区是否分配给不可校正扇区的不可校正扇区信息。

公开(公告)号：US20120047319A1

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：US13166257

申请日：2011-06-22

申请人： Han Bin YOON ,  Yeong-Jae Woo ,  Dong Gi Lee ,  Young Kug Moon ,  Hyuck-Sun Kwon

发明人： Han Bin YOON ,  Yeong-Jae Woo ,  Dong Gi Lee ,  Young Kug Moon ,  Hyuck-Sun Kwon

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F3/0613 ,  G06F3/0653 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0679 ,  G06F2206/1014

摘要： A semiconductor storage device (SSD) and a method of throttling performance of the SSD. The method can include gathering at least two workload data items related with a workload of the semiconductor storage device, estimating the workload using the at least two workload data items, and throttling the performance of the semiconductor storage device according to the estimated workload. Accordingly, a workload that the semiconductor storage device will undergo can be estimated.

摘要翻译： 一种半导体存储设备（SSD）和一种节制SSD性能的方法。 该方法可以包括收集与半导体存储设备的工作负载相关的至少两个工作负载数据项，使用至少两个工作负载数据项估计工作量，以及根据所估计的工作量来调节半导体存储设备的性能。 因此，可以估计半导体存储装置将经历的工作量。

公开(公告)号：US20100138595A1

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：US12629268

申请日：2009-12-02

申请人： Han-bin YOON ,  Young-goo KO ,  Jung-been IM ,  Hwan-jin YONG ,  Chang-Hee LEE

发明人： Han-bin YOON ,  Young-goo KO ,  Jung-been IM ,  Hwan-jin YONG ,  Chang-Hee LEE

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F12/02

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F2212/7201

摘要： A semiconductor device with flash memory includes; a log type determining unit configured to select log type from among a plurality of log types with respect to a log block storing program data requested to be programmed in the flash memory and generate a control signal indicating information indicating the selected log type, and a plurality of log units configured to store program data in the log block having a corresponding log type in response to the control signal, wherein the log type determining unit converts a first type log block formed by a first log type and included in a first type log unit from among the plurality of log units into second type log block formed by a second log type and converts the log block included in a second type log unit from among the plurality of log units into the first type log blocks, the first loge type being different from the second log type.

摘要翻译： 具有闪存的半导体器件包括： 日志类型确定单元，被配置为相对于存储请求在闪存中编程的程序数据的日志块从多个日志类型中选择日志类型，并生成指示指示所选择的日志类型的信息的控制信号，以及多个 配置为响应于控制信号将程序数据存储在具有对应日志类型的日志块中的日志单元，其中日志类型确定单元将由第一日志类型形成并包括在第一类型日志单元中的第一类型日志块 从多个日志单元中的第二日志单元形成为由第二日志类型形成的第二类型日志块，并且将包括在第二类型日志单元中的日志块从多个日志单元中转换成第一类型日志块，第一类型不同 从第二个日志类型。

公开(公告)号：US08239616B2

公开(公告)日：2012-08-07

申请号：US12629268

申请日：2009-12-02

申请人： Han-bin Yoon ,  Young-goo Ko ,  Jung-been Im ,  Hwan-jin Yong ,  Chang-Hee Lee

发明人： Han-bin Yoon ,  Young-goo Ko ,  Jung-been Im ,  Hwan-jin Yong ,  Chang-Hee Lee

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F2212/7201

摘要： A semiconductor device with flash memory includes; a log type determining unit configured to select log type from among a plurality of log types with respect to a log block storing program data requested to be programmed in the flash memory and generate a control signal indicating information indicating the selected log type, and a plurality of log units configured to store program data in the log block having a corresponding log type in response to the control signal, wherein the log type determining unit converts a first type log block formed by a first log type and included in a first type log unit from among the plurality of log units into second type log block formed by a second log type and converts the log block included in a second type log unit from among the plurality of log units into the first type log blocks, the first log type being different from the second log type.

摘要翻译： 具有闪存的半导体器件包括： 日志类型确定单元，被配置为相对于存储请求在闪存中编程的程序数据的日志块从多个日志类型中选择日志类型，并生成指示指示所选择的日志类型的信息的控制信号，以及多个 配置为响应于控制信号将程序数据存储在具有对应日志类型的日志块中的日志单元，其中日志类型确定单元将由第一日志类型形成并包括在第一类型日志单元中的第一类型日志块 从所述多个日志单元中，将所述多个日志单元中的所述日志块从所述多个日志单元中变换为由所述第一日志单元形成的第二类型日志块，并将所述第二类型日志单元中包含的所述日志块转换为所述第一类型日志块， 从第二个日志类型。

公开(公告)号：US20110202818A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：US13025463

申请日：2011-02-11

申请人： Han Bin YOON ,  Mi Kyoung Jang ,  Jin-Hyuk Lee

发明人： Han Bin YOON ,  Mi Kyoung Jang ,  Jin-Hyuk Lee

IPC分类号： H03M13/05 ,  G06F12/08 ,  G06F11/10

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F11/1068 ,  G06F2212/1032 ,  G06F2212/7207 ,  H03M13/05

摘要： The non-volatile memory system includes a non-volatile memory and a controller. The non-volatile memory includes a data region including a sector region for storing sector data, and an uncorrectable information region for storing uncorrectable sector information on the sector region. The controller includes an information generation unit for generating the uncorrectable sector information that indicates whether the sector region is assigned to an uncorrectable sector region, according to a command output from a host.

摘要翻译： 非易失性存储器系统包括非易失性存储器和控制器。 非易失性存储器包括包括用于存储扇区数据的扇区区域的数据区域和用于在扇区区域上存储不可校正扇区信息的不可校正信息区域。 控制器包括信息生成单元，用于根据从主机输出的命令，生成指示扇区是否分配给不可校正扇区的不可校正扇区信息。

公开(公告)号：US20120066438A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：US13233744

申请日：2011-09-15

申请人： Han Bin YOON ,  Jang Hwan Kim ,  Jung Been Im

发明人： Han Bin YOON ,  Jang Hwan Kim ,  Jung Been Im

IPC分类号： G06F12/02

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F2212/7205

摘要： A memory device includes a control module to determine first data blocks needing a garbage collection, to determine second data blocks needing memory refresh among the determined first data blocks, and to execute the garbage collection first on the second data blocks.

摘要翻译： 存储装置包括：控制模块，用于确定需要垃圾收集的第一数据块，确定需要在所确定的第一数据块之间进行存储器刷新的第二数据块，并且首先在第二数据块上执行垃圾收集。

公开(公告)号：US20110199822A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：US13028313

申请日：2011-02-16

申请人： Han Bin YOON ,  Yeong-Jae WOO ,  Jung Been IM

发明人： Han Bin YOON ,  Yeong-Jae WOO ,  Jung Been IM

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C16/10

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/3418

摘要： A method of managing a page buffer of a non-volatile memory device comprises programming least significant bit (LSB) page data from an LSB page buffer into a page of memory cells, and retaining the LSB page data in the LSB page buffer until most significant bit (MSB) page data corresponding to the LSB page data is programmed in the page.

摘要翻译： 管理非易失性存储器件的页面缓冲器的方法包括将LSB页面缓冲器中的最低有效位（LSB）页数据编程到存储器单元的页中，并将LSB页数据保留在LSB页缓冲器中，直到最高 在页面中编程对应于LSB页数据的位（MSB）页数据。