公开(公告)号：US20120007219A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：US13240983

申请日：2011-09-22

申请人： Jong-Bum PARK ,  Han-Sang SONG ,  Jong-Kook PARK

发明人： Jong-Bum PARK ,  Han-Sang SONG ,  Jong-Kook PARK

IPC分类号： H01L29/41

CPC分类号： H01L27/10855 ,  H01L21/7687 ,  H01L28/90

摘要： A semiconductor device, includes: a first storage node contact plug penetrating a first interlayer insulation layer and partially protruding above the first interlayer insulation layer; a second storage node contact plug contacting the first storage node contact plug that protrudes above the first interlayer insulation layer; a storage node contacting a top surface of the second storage node contact plug; and a second interlayer insulation layer formed over the first interlayer insulation layer, wherein the second interlayer insulation layer surrounds an outer sidewall at a bottom region of the first storage node, and the second storage node contact plug, and wherein the first storage node contact plug protruding above the first interlayer insulation layer and the second storage node contact plug.

摘要翻译： 一种半导体器件，包括：穿过第一层间绝缘层并部分地突出在第一层间绝缘层上方的第一存储节点接触插塞; 与所述第一存储节点接触插头接触的第二存储节点接触插塞，所述第一存储节点接触插头突出在所述第一层间绝缘层之上; 接触所述第二存储节点接触插塞的顶表面的存储节点; 以及形成在所述第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层，其中所述第二层间绝缘层围绕所述第一存储节点的底部区域处的外侧壁和所述第二存储节点接触插塞，并且其中所述第一存储节点接触插塞 突出在第一层间绝缘层和第二存储节点接触插塞上方。

公开(公告)号：US20110171808A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：US13069294

申请日：2011-03-22

申请人： Jae-Sung ROH ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim

发明人： Jae-Sung ROH ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/65

摘要： A method for fabricating a capacitor includes forming an isolation layer over a cell region and a peripheral region of a substrate. The isolation layer forms a plurality of open regions in the cell region. Storage nodes are formed on surfaces of the open regions. A sacrificial pattern is formed over the isolation layer and covers the cell region. The isolation layer is etched in the peripheral region to expose side portions of the resulting structure obtained after forming the sacrificial pattern in the cell region. With the sacrificial pattern supporting the storage nodes, the isolation layer in the cell region is removed. The sacrificial pattern is then removed.

摘要翻译： 制造电容器的方法包括在衬底的单元区域和周边区域上形成隔离层。 隔离层在单元区域中形成多个开放区域。 存储节点形成在开放区域的表面上。 在隔离层上形成牺牲图案并覆盖单元区域。 在外围区域中蚀刻隔离层，以暴露在单元区域中形成牺牲图案之后获得的所得结构的侧面部分。 利用支持存储节点的牺牲图案，移除单元区域中的隔离层。 然后去除牺牲图案。

公开(公告)号：US07910428B2

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：US12164073

申请日：2008-06-29

申请人： Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park

发明人： Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do ,  Kyung-Woong Park

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90

摘要： A capacitor includes a pillar-type storage node, a supporter filling an inner empty crevice of the storage node, a dielectric layer over the storage node, and a plate node over the dielectric layer.

摘要翻译： 电容器包括柱状存储节点，填充存储节点的内部空缝隙的支撑体，存储节点上方的电介质层，以及介电层上的板状节点。

公开(公告)号：US07835134B2

公开(公告)日：2010-11-16

申请号：US12569769

申请日：2009-09-29

申请人： Deok-Sin Kil ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Ki-Seon Park ,  Jae-Sung Roh

发明人： Deok-Sin Kil ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Ki-Seon Park ,  Jae-Sung Roh

IPC分类号： H01G4/06

CPC分类号： H01L21/02189 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31641 ,  H01L28/40 ,  H01L28/56

摘要： A capacitor includes a lower electrode, a dielectric structure over the lower electrode, the dielectric structure including at least one crystallized zirconium oxide (ZrO2) layer and at least one amorphous aluminum oxide (Al2O3) layer, and an upper electrode formed over the dielectric structure. A method for fabricating a capacitor includes forming a lower electrode over a certain structure, forming a dielectric structure including at least one crystallized zirconium oxide (ZrO2) layer and at least one amorphous aluminum oxide (Al2O3) layer over the lower electrode, and forming an upper electrode over the dielectric structure.

摘要翻译： 电容器包括下电极，下电极上的电介质结构，所述电介质结构包括至少一个结晶的氧化锆（ZrO 2）层和至少一个无定形氧化铝（Al 2 O 3）层，以及形成在电介质结构上的上电极 。 一种制造电容器的方法包括在一定结构上形成下电极，在下电极上形成包括至少一个结晶氧化锆（ZrO 2）层和至少一个非晶形氧化铝（Al 2 O 3）层的电介质结构， 介电结构上的上电极。

公开(公告)号：US20090291542A1

公开(公告)日：2009-11-26

申请号：US12344154

申请日：2008-12-24

申请人： Han-Sang SONG ,  Jong-Bum PARK ,  Jong-Kook PARK

发明人： Han-Sang SONG ,  Jong-Bum PARK ,  Jong-Kook PARK

IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/76804 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes: forming an etch stop pattern over a conductive layer, the etch stop pattern having a first opening exposing a top surface of the conductive layer; forming an insulation layer over the etch stop pattern; selectively etching the insulation layer to form a second opening exposing the top surface of the conductive layer; and enlarging the second opening until the etch stop pattern is exposed.

摘要翻译： 一种用于制造半导体器件的方法包括：在导电层上形成蚀刻停止图案，所述蚀刻停止图案具有暴露所述导电层顶表面的第一开口; 在所述蚀刻停止图案上形成绝缘层; 选择性地蚀刻绝缘层以形成暴露导电层的顶表面的第二开口; 并扩大第二个开口，直到蚀刻停止图案被曝光。

公开(公告)号：US20090289326A1

公开(公告)日：2009-11-26

申请号：US12318504

申请日：2008-12-30

申请人： Jong-Bum Park ,  Han-Sang Song ,  Jong-Kook Park

发明人： Jong-Bum Park ,  Han-Sang Song ,  Jong-Kook Park

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L27/10855 ,  H01L21/7687 ,  H01L28/90

摘要： A semiconductor device, includes: a first storage node contact plug penetrating a first interlayer insulation layer and partially protruding above the first interlayer insulation layer; a second storage node contact plug contacting the first storage node contact plug that protrudes above the first interlayer insulation layer; a storage node contacting a top surface of the second storage node contact plug; and a second interlayer insulation layer formed over the first interlayer insulation layer, wherein the second interlayer insulation layer surrounds an outer sidewall at a bottom region of the first storage node, and the second storage node contact plug, and wherein the first storage node contact plug protruding above the first interlayer insulation layer and the second storage node contact plug.

摘要翻译： 一种半导体器件，包括：穿过第一层间绝缘层并部分地突出在第一层间绝缘层上方的第一存储节点接触插塞; 与所述第一存储节点接触插头接触的第二存储节点接触插塞，所述第一存储节点接触插头突出在所述第一层间绝缘层之上; 接触所述第二存储节点接触插塞的顶表面的存储节点; 以及形成在所述第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层，其中所述第二层间绝缘层围绕所述第一存储节点的底部区域处的外侧壁和所述第二存储节点接触插塞，并且其中所述第一存储节点接触插塞 突出在第一层间绝缘层和第二存储节点接触插塞上方。

公开(公告)号：US20080272490A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：US11978604

申请日：2007-10-30

申请人： Jin-Hyock Kim ,  Jae-Sung Roh ,  Seung-Jin Yeom ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim

发明人： Jin-Hyock Kim ,  Jae-Sung Roh ,  Seung-Jin Yeom ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/32136 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L28/65

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor substrate, an insulation pattern on the semiconductor substrate, and an etch stop layer on the insulating pattern, the insulation pattern and the etch stop layer defining a contact hole that exposes the substrate, a first plug filled in a portion of the contact hole, a diffusion barrier layer formed above the first plug and in a bottom portion and on sidewalls of a remaining portion of the contact hole, a second plug formed on the diffusion barrier layer and filled in the contact hole, and a storage node coupled to and formed on the second plug.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体衬底，半导体衬底上的绝缘图案和绝缘图案上的蚀刻停止层，绝缘图案和蚀刻停止层限定暴露衬底的接触孔，第一插头填充在部分 在所述第一插头上形成的扩散阻挡层，在所述接触孔的剩余部分的底部和侧壁上形成的扩散阻挡层，形成在所述扩散阻挡层上并填充在所述接触孔中的第二插塞， 耦合到并形成在第二插头上的节点。

公开(公告)号：US20080157278A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：US11965016

申请日：2007-12-27

申请人： Kwan-Woo Do ,  Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kyung-Woong Park ,  Han-Sang Song

发明人： Kwan-Woo Do ,  Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kyung-Woong Park ,  Han-Sang Song

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L28/65

摘要： A capacitor includes a lower electrode, a dielectric layer, an upper electrode, and a ruthenium oxide layer. At least one of the lower electrode and the upper electrode is formed of a ruthenium layer, and the ruthenium oxide layer is disposed next to the ruthenium layer.

摘要翻译： 电容器包括下电极，电介质层，上电极和氧化钌层。 下电极和上电极中的至少一个由钌层形成，氧化钌层设置在钌层的旁边。

公开(公告)号：US20080003741A1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：US11646481

申请日：2006-12-28

申请人： Ki-Seon Park ,  Jae-Sung Roh ,  Deok-Sin Kil ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Jin-Hyock Kim ,  Kee-Jeung Lee

发明人： Ki-Seon Park ,  Jae-Sung Roh ,  Deok-Sin Kil ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Jin-Hyock Kim ,  Kee-Jeung Lee

IPC分类号： H01L21/8244

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10852

摘要： A method for fabricating a cylindrical capacitor. The method includes forming an isolation structure including an interlayer on a substrate, the substrate having a plurality of contact plugs formed therein, forming a plurality of opening regions by etching the isolation structure, thereby exposing selected portions of the contact plugs, forming storage nodes on a surface of the opening regions, etching selected portions of the isolation structure to form a patterned interlayer that encompasses selected portions of the storage nodes, thereby supporting the storage nodes, removing remaining portions of the isolation structure, and removing the patterned interlayer to expose inner and outer walls of the storage nodes.

摘要翻译： 一种制造圆柱形电容器的方法。 所述方法包括在基板上形成包括中间层的隔离结构，所述基板具有形成在其中的多个接触塞，通过蚀刻隔离结构形成多个开口区域，从而暴露接触塞的选定部分，形成储存节点 蚀刻开口区域的表面，蚀刻隔离结构的选定部分以形成包围存储节点的选定部分的图案化中间层，从而支撑存储节点，去除隔离结构的剩余部分，以及去除图案化中间层以暴露内部 和存储节点的外壁。

公开(公告)号：US07670903B2

公开(公告)日：2010-03-02

申请号：US11646481

申请日：2006-12-28

申请人： Ki-Seon Park ,  Jae-Sung Roh ,  Deok-Sin Kil ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Jin-Hyock Kim ,  Kee-Jeung Lee

发明人： Ki-Seon Park ,  Jae-Sung Roh ,  Deok-Sin Kil ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Jin-Hyock Kim ,  Kee-Jeung Lee

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10852

摘要： A method for fabricating a cylindrical capacitor. The method includes forming an isolation structure including an interlayer on a substrate, the substrate having a plurality of contact plugs formed therein, forming a plurality of opening regions by etching the isolation structure, thereby exposing selected portions of the contact plugs, forming storage nodes on a surface of the opening regions, etching selected portions of the isolation structure to form a patterned interlayer that encompasses selected portions of the storage nodes, thereby supporting the storage nodes, removing remaining portions of the isolation structure, and removing the patterned interlayer to expose inner and outer walls of the storage nodes.

摘要翻译： 一种制造圆柱形电容器的方法。 所述方法包括在基板上形成包括中间层的隔离结构，所述基板具有形成在其中的多个接触塞，通过蚀刻隔离结构形成多个开口区域，从而暴露接触塞的选定部分，形成储存节点 蚀刻开口区域的表面，蚀刻隔离结构的选定部分以形成包围存储节点的选定部分的图案化中间层，从而支撑存储节点，去除隔离结构的剩余部分，以及去除图案化中间层以暴露内部 和存储节点的外壁。