公开(公告)号：US6153696A

公开(公告)日：2000-11-28

申请号：US59861

申请日：1993-05-10

申请人： Gregory Breyta ,  Daniel Joseph Dawson ,  Moahmoud Mostafa Khojasteh ,  Ranee Wai-Ling Kwong ,  Elwood Herbert Macy ,  David Paul Merritt ,  Wayne Martin Moreau ,  Stanley Eugene Perreault ,  Harbans Singh Sachdev ,  Robert Lavin Wood ,  Hiroshi Ito

发明人： Gregory Breyta ,  Daniel Joseph Dawson ,  Moahmoud Mostafa Khojasteh ,  Ranee Wai-Ling Kwong ,  Elwood Herbert Macy ,  David Paul Merritt ,  Wayne Martin Moreau ,  Stanley Eugene Perreault ,  Harbans Singh Sachdev ,  Robert Lavin Wood ,  Hiroshi Ito

IPC分类号： B01J31/02 ,  C07B61/00 ,  C07C68/06 ,  C07C69/96 ,  C08F8/00 ,  C08F12/24 ,  C08G8/28

CPC分类号： C08G8/28 ,  C08F8/14

摘要： A process for the stoichiometric carbonation of a hydroxyaromatic material is provided which comprises the steps of (a) mixing together in a reaction vessel (1) a hydroxyaromatic material, (2) a sufficient amount of a dialkyl dicarbonate to give the desired degree of substitution, (3) a catalytic amount of an unhindered tertiary amine, and (4) a solvent, (b) stirring the reaction mixture, (c) precipitating the alkyl carbonate of the hydroxyaromatic material, and (d) recovering the alkyl carbonate of the hydroxyaromatic material.

摘要翻译： 提供了一种用于羟基芳族化合物的化学计量碳酸化的方法，其包括以下步骤：（a）在反应容器（1）中将羟基芳族化合物混合在一起，（2）足够量的二碳酸二烷基酯以产生所需的取代度 ，（3）催化量的不受阻碍的叔胺，和（4）溶剂，（b）搅拌反应混合物，（c）沉淀羟基芳族物质的碳酸烷基酯，和（d）回收碳酸烷基酯 羟基芳族化合物。

公开(公告)号：US07964542B2

公开(公告)日：2011-06-21

申请号：US11330922

申请日：2006-01-12

申请人： Krishna G. Sachdev ,  Harbans Singh Sachdev, legal representative ,  Mark S. Chace ,  Normand Cote ,  David L. Gardell ,  Jeffrey D. Gelorme ,  Sushumna Iruvanti ,  G. John Lawson ,  Tuknekah M. Noble

发明人： Krishna G. Sachdev ,  Mark S. Chace ,  Normand Cote ,  David L. Gardell ,  Jeffrey D. Gelorme ,  Sushumna Iruvanti ,  G. John Lawson ,  Tuknekah M. Noble

IPC分类号： C10M141/10 ,  C10M137/04 ,  C10M129/68

CPC分类号： C10M129/10 ,  C09K5/10 ,  C10M137/02 ,  C10M2205/0285 ,  C10M2207/024 ,  C10M2207/026 ,  C10M2215/064 ,  C10M2223/049 ,  C10N2230/08 ,  C10N2230/10 ,  C10N2240/201

摘要： Liquid compositions containing a specific hindered phenol or a hindered phenol in combination with an aromatic phosphite are provided which are used as a thermal interface between a heatsink and a chip during a test procedure for electronic components which compositions enhance the thermal conductivity between the heatsink and the chip, are easily removed from the heatsink and the chip after the test procedure without any deleterious residue and which allow the use of high temperatures for extended periods during the test procedure without any significant degradation of the composition. A method for using the compositions in electronic component test procedures such as burn-in procedures is also provided.

摘要翻译： 提供了含有特定受阻酚或受阻酚与芳族亚磷酸酯组合的液体组合物，其用于在电子部件的测试过程期间用作散热器和芯片之间的热界面，该组合物增强了散热器和 芯片，在测试程序之后容易地从散热器和芯片上移除而没有任何有害的残留物，并且允许在测试过程中长时间使用高温而没有组合物的任何显着降解。 还提供了一种在诸如老化程序的电子部件测试程序中使用组合物的方法。

公开(公告)号：US07670961B2

公开(公告)日：2010-03-02

申请号：US11629058

申请日：2005-06-08

申请人： Harbans Singh Sachdev ,  Howard Shillingford ,  Garkay Joseph Leung ,  Mary Matera-Longo ,  John Rapp

发明人： Harbans Singh Sachdev ,  Howard Shillingford ,  Garkay Joseph Leung ,  Mary Matera-Longo ,  John Rapp

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/3124 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention relates to a process that minimizes the cracking of low-k dielectric polymers. In an example embodiment, on a semiconductor substrate (200), there is a method of forming a composite dielectric disposed on a metal layer passivated with plasma deposited silicon oxide SiOx. The method comprises depositing a first layer of a first predetermined thickness of a spin-on dielectric on the metal layer protected with a plasma deposited silicon oxide SiOx. Next a thin stress relief layer of a second predetermined thickness is disposed on the first layer of spin-on-dielectric. Upon the thin stress-relief layer, a second layer of a third predetermined thickness of spin-on dielectric is deposited. Low-k spin-on dielectrics may include hydrogen silsequioxane (HSQ) and methyl silsequioxane (MSQ).

摘要翻译： 本发明涉及使低k电介质聚合物的开裂最小化的方法。 在一个示例性实施例中，在半导体衬底（200）上，存在一种形成复合电介质的方法，该复合电介质设置在用等离子体沉积氧化硅SiO x钝化的金属层上。 该方法包括在用等离子体沉积氧化硅SiO x保护的金属层上沉积第一预定厚度的旋涂电介质的第一层。 接下来，将第二预定厚度的薄的应力消除层设置在第一层旋涂电介质上。 在薄的应力消除层上沉积第二预定厚度的旋涂电介质层。 低k自旋电介质可以包括氢三硅氧烷（HSQ）和甲基硅二恶烷（MSQ）。