公开(公告)号：US08591647B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US12367013

申请日：2009-02-06

申请人： Seiji Sarayama ,  Masahiko Shimada ,  Hisanori Yamane ,  Hirokazu Iwata

发明人： Seiji Sarayama ,  Masahiko Shimada ,  Hisanori Yamane ,  Hirokazu Iwata

IPC分类号： H01L21/322

CPC分类号： C30B7/105 ,  C09K11/62 ,  C30B7/00 ,  C30B9/00 ,  C30B11/00 ,  C30B15/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7783 ,  Y10T117/1092 ,  Y10T117/1096 ,  Y10T428/2982

摘要： A method is provided for producing a single crystal body of a group III nitride, comprising the steps of forming a molten flux of a volatile metal in a reaction vessel and causing a growth of a GaN single crystal from the molten flux, wherein the growth is continued while replenishing a compound containing N from a source outside the reaction vessel, and wherein a seed crystal is disposed in the reaction vessel.

摘要翻译： 提供一种用于制造III族氮化物的单晶体的方法，包括以下步骤：在反应容器中形成挥发性金属的熔融焊剂，并使来自熔融焊剂的GaN单晶生长，其中生长是 在从反应容器外部的源补充含有N的化合物的同时继续，并且其中在反应容器中设置晶种。

公开(公告)号：US20130264482A1

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：US13885026

申请日：2011-12-15

申请人： Hisanori Yamane ,  Tetsuya Kawano ,  Akira Yoshikawa ,  Takayuki Yanagida ,  Yui Yokota ,  Yutaka Fujimoto ,  Kentaro Fukuda ,  Noriaki Kawaguchi

发明人： Hisanori Yamane ,  Tetsuya Kawano ,  Akira Yoshikawa ,  Takayuki Yanagida ,  Yui Yokota ,  Yutaka Fujimoto ,  Kentaro Fukuda ,  Noriaki Kawaguchi

IPC分类号： C09K11/57 ,  G01T3/06

CPC分类号： C09K11/57 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C09K11/63 ,  G01T3/06 ,  G21K4/00

摘要： Provided is a scintillator for neutrons that allows the detection of neutrons with superb sensitivity and that is little affected by background noise derived from γ-rays, and a neutron detector that uses the neutron scintillator.The scintillator for neutrons comprises borate that contains at least Mg and a divalent transition element.

摘要翻译： 提供了一种用于中子的闪烁体，其允许以极高的灵敏度检测中子，并且几乎不受来自伽马射线的背景噪声的影响，以及使用中子闪烁体的中子检测器。 用于中子的闪烁体包括含有至少Mg和二价过渡元素的硼酸盐。

公开(公告)号：US20090120354A1

公开(公告)日：2009-05-14

申请号：US12353608

申请日：2009-01-14

申请人： Seiji Sarayama ,  Hisanori Yamane ,  Masahiko Shimada ,  Masafumi Kumano ,  Hirokazu Iwata ,  Takashi Araki

发明人： Seiji Sarayama ,  Hisanori Yamane ,  Masahiko Shimada ,  Masafumi Kumano ,  Hirokazu Iwata ,  Takashi Araki

IPC分类号： C30B19/06

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B9/00 ,  C30B11/00 ,  C30B29/406 ,  H01L33/007 ,  H01S5/32341 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1012 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1052 ,  Y10T117/106

摘要： A group-III nitride crystal growth method comprises the steps of: a) preparing a mixed molten liquid of an alkaline material and a substance at least containing a group-III metal; b) causing growth of a group-III nitride crystal from the mixed molten liquid prepared in the step a) and a substance at least containing nitrogen; and c) creating a state in which nitrogen can be introduced into the molten liquid prepared by the step a).

摘要翻译： III族氮化物晶体生长方法包括以下步骤：a）制备碱性材料和至少含有III族金属的物质的混合熔融液; b）从步骤a）中制备的混合熔融液体和至少含有氮的物质引起III族氮化物晶体的生长; 和c）产生可以将氮气引入到由步骤a）制备的熔融液体中的状态。

公开(公告)号：US07508003B2

公开(公告)日：2009-03-24

申请号：US11408656

申请日：2006-04-20

申请人： Seiji Sarayama ,  Masahiko Shimada ,  Hisanori Yamane ,  Hirokazu Iwata

发明人： Seiji Sarayama ,  Masahiko Shimada ,  Hisanori Yamane ,  Hirokazu Iwata

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L29/167 ,  H01L33/00 ,  C01B21/06

CPC分类号： C30B7/105 ,  C09K11/62 ,  C30B7/00 ,  C30B9/00 ,  C30B11/00 ,  C30B15/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7783 ,  Y10T117/1092 ,  Y10T117/1096 ,  Y10T428/2982

摘要： A crystal has a diameter of 1 cm or more and shows a strongest peak in cathode luminescent spectrum at a wavelength of 360 nm in correspondence to a band edge.

摘要翻译： 晶体具有1cm或更大的直径，并且对应于带边缘，在360nm波长处的阴极发光光谱中显示出最强峰。

公开(公告)号：US06949140B2

公开(公告)日：2005-09-27

申请号：US10308149

申请日：2002-12-03

申请人： Seiji Sarayama ,  Hirokazu Iwata ,  Masahiko Shimada ,  Hisanori Yamane ,  Masato Aoki

发明人： Seiji Sarayama ,  Hirokazu Iwata ,  Masahiko Shimada ,  Hisanori Yamane ,  Masato Aoki

IPC分类号： C30B9/00 ,  C30B11/00 ,  C30B17/00

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B9/00 ,  C30B11/00 ,  C30B29/406 ,  Y10T117/1092

摘要： A group-III nitride crystal growth method, comprising the steps of: a) preparing a mixed molten liquid of an alkaline metal and a material at least comprising a group-III metal; b) growing a group-III nitride crystal of the group-III metal and nitrogen from the mixed molten liquid and a material at least comprising nitrogen; and c) setting a predetermined crystal growth condition according to a zone defined by a pressure and a temperature in said step b).

摘要翻译： III族氮化物晶体生长方法，包括以下步骤：a）制备碱金属和至少包含III族金属的材料的混合熔融液; b）从混合的熔融液体中生长III族金属的III族氮化物晶体和至少包含氮的材料; 以及c）根据由所述步骤b）中的压力和温度限定的区域来设定预定的晶体生长条件。

公开(公告)号：US5868837A

公开(公告)日：1999-02-09

申请号：US6431

申请日：1998-01-13

申请人： Francis J. DiSalvo ,  Hisanori Yamane ,  Jay Molstad

发明人： Francis J. DiSalvo ,  Hisanori Yamane ,  Jay Molstad

IPC分类号： C30B9/00 ,  C30B19/02 ,  C30B29/38

CPC分类号： C30B9/00 ,  C30B19/02 ,  C30B29/406

摘要： A low temperature method for preparing GaN single crystals for use, for example, for blue light emitting diodes and laser diodes, comprises using sodium as a flux in a reaction system containing only gallium, sodium and nitrogen, e.g., by thermally decomposing sodium azide in a closed reaction zone containing gallium or by reacting gallium with nitrogen supplied from a tank in a closed reaction zone containing sodium, optionally in the presence of a catalytic amount of an alkaline earth metal.

摘要翻译： 用于制备用于蓝色发光二极管和激光二极管的GaN单晶的低温方法包括在仅含有镓，钠和氮的反应体系中使用钠作为助熔剂，例如通过热分解叠氮化钠 包含镓的封闭反应区或者通过使镓与氮在由含有钠的封闭反应区中提供的氮反应，任选地在催化量的碱土金属的存在下反应。

公开(公告)号：US4920014A

公开(公告)日：1990-04-24

申请号：US161101

申请日：1988-02-26

申请人： Toshio Hirai ,  Hisanori Yamane

发明人： Toshio Hirai ,  Hisanori Yamane

IPC分类号： C03C17/23 ,  C23C16/40 ,  C30B25/02 ,  H01M8/12 ,  C03C17/25

CPC分类号： H01M8/1253 ,  C03C17/23 ,  C23C16/405 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  C03C2217/22 ,  C03C2218/152 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56

摘要： A zirconia film formed on a substrate and having substantially one or two kinds of particular planes such as (200), (111) or (111) planes only oriented in parallel to the surface of the substrate, and a process for preparing it. This zirconia film is dense, and improved in the thermal resistance, thermal insulation properties and corrosion resistance.

摘要翻译： 形成在基板上并且具有基本上一个或两种特定平面（例如仅平行于基板的表面定向的（200），（111）或（＆上升和111））平面的氧化锆膜及其制备方法。 该氧化锆薄膜致密，耐热性，绝热性和耐蚀性得到改善。

公开(公告)号：US09255010B2

公开(公告)日：2016-02-09

申请号：US13817646

申请日：2011-08-17

申请人： Haruhiko Morito ,  Hisanori Yamane

发明人： Haruhiko Morito ,  Hisanori Yamane

IPC分类号： C01B35/02 ,  C01B35/04 ,  C04B14/32 ,  C01D13/00 ,  C04B35/58 ,  C04B35/64 ,  C30B9/10 ,  C30B29/10

CPC分类号： C01B35/04 ,  C01D13/00 ,  C04B14/321 ,  C04B35/5805 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C30B9/10 ,  C30B29/10

摘要： Provided are: a novel bonds useful as a highly-functional material; and a novel production method for a polycrystalline sintered product of a bonds, of which the energy cost is low, which does not require a sintering promoter, which enables the product to be worked into complicated forms and which enables a development to a polynary boride.Provided are a boride having a composition Na—Si—B, and a polycrystalline reaction-sintered product thereof. A mixed compact of boron and an element, M (M means Si and/or C) is heated along with metal sodium to give a polycrystalline reaction-sintered product.

摘要翻译： 提供：可用作高功能材料的新型键; 以及能量成本低，不需要烧结促进剂的键的多晶烧结体的新型制造方法，能够使产品加工成复杂的形式，能够显现多元硼化物。 提供具有组成Na-Si-B的硼化物及其多晶反应烧结产物。 硼和元素的混合物M（M表示Si和/或C）与金属钠一起加热，得到多晶反应烧结产品。

公开(公告)号：US08623138B2

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US12353608

申请日：2009-01-14

申请人： Seiji Sarayama ,  Hisanori Yamane ,  Masahiko Shimada ,  Masafumi Kumano ,  Hirokazu Iwata ,  Takashi Araki

发明人： Seiji Sarayama ,  Hisanori Yamane ,  Masahiko Shimada ,  Masafumi Kumano ,  Hirokazu Iwata ,  Takashi Araki

IPC分类号： C30B9/06

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B9/00 ,  C30B11/00 ,  C30B29/406 ,  H01L33/007 ,  H01S5/32341 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1012 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1052 ,  Y10T117/106

摘要： A group-III nitride crystal growth method comprises the steps of: a) preparing a mixed molten liquid of an alkaline material and a substance at least containing a group-III metal; b) causing growth of a group-III nitride crystal from the mixed molten liquid prepared in the step a) and a substance at least containing nitrogen; and c) creating a state in which nitrogen can be introduced into the molten liquid prepared by the step a).

摘要翻译： III族氮化物晶体生长方法包括以下步骤：a）制备碱性材料和至少含有III族金属的物质的混合熔融液; b）从步骤a）中制备的混合熔融液体和至少含有氮的物质引起III族氮化物晶体的生长; 和c）产生可以将氮气引入到由步骤a）制备的熔融液体中的状态。

公开(公告)号：US20130266499A1

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：US13817646

申请日：2011-08-17

申请人： Haruhiko Morito ,  Hisanori Yamane

发明人： Haruhiko Morito ,  Hisanori Yamane

IPC分类号： C01B35/04

CPC分类号： C01B35/04 ,  C01D13/00 ,  C04B14/321 ,  C04B35/5805 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C30B9/10 ,  C30B29/10

摘要： Provided are: a novel bonds useful as a highly-functional material; and a novel production method for a polycrystalline sintered product of a bonds, of which the energy cost is low, which does not require a sintering promoter, which enables the product to be worked into complicated forms and which enables a development to a polynary boride.Provided are a boride having a composition Na—Si—B, and a polycrystalline reaction-sintered product thereof. A mixed compact of boron and an element, M (M means Si and/or C) is heated along with metal sodium to give a polycrystalline reaction-sintered product.

摘要翻译： 提供：可用作高功能材料的新型键; 以及能量成本低，不需要烧结促进剂的键的多晶烧结体的新型制造方法，能够使产品加工成复杂的形式，能够显现多元硼化物。 提供具有组成Na-Si-B的硼化物及其多晶反应烧结产物。 硼和元素的混合物M（M表示Si和/或C）与金属钠一起加热，得到多晶反应烧结产品。