公开(公告)号：US20130286530A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：US13651967

申请日：2012-10-15

申请人： Xing Lin ,  Jennifer Y. Sun ,  Sumanth Banda

发明人： Xing Lin ,  Jennifer Y. Sun ,  Sumanth Banda

IPC分类号： H02N13/00 ,  B32B3/08 ,  B32B7/12

CPC分类号： B32B7/12 ,  B32B3/04 ,  B32B3/08 ,  H01L21/6833 ,  Y10T428/23 ,  Y10T428/239 ,  Y10T428/31504

摘要： Embodiments of the present invention provide chamber components having a protective element for shielding bonding material from processing environments in a processing environment. The protective element may include protective seals, protective structures, erosion resistive fillers, or combinations thereof. Embodiments of the present invention reduce erosion of bonding material used in a processing chamber, thus, improving processing quality and reducing maintenance costs.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了具有用于在处理环境中将结合材料从处理环境中遮蔽的保护元件的腔室部件。 保护元件可以包括保护性密封件，保护结构，耐腐蚀性填料或其组合。 本发明的实施例减少了处理室中使用的接合材料的侵蚀，从而提高了加工质量并降低了维护成本。

公开(公告)号：US20130284374A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：US13793512

申请日：2013-03-11

申请人： Dmitry LUBOMIRSKY ,  Jennifer Y. SUN ,  Senh THACH ,  Xing LIN ,  Michael D. WILLWERTH ,  Konstantin MAKHRATCHEV

发明人： Dmitry LUBOMIRSKY ,  Jennifer Y. SUN ,  Senh THACH ,  Xing LIN ,  Michael D. WILLWERTH ,  Konstantin MAKHRATCHEV

IPC分类号： H02N13/00

CPC分类号： H02N13/00 ,  B23B31/28 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68792

摘要： Embodiments of the present invention provide electrostatic chucks for operating at elevated temperatures. One embodiment of the present invention provides a dielectric chuck body for an electrostatic chuck. The dielectric chuck body includes a substrate supporting plate having a top surface for receiving a substrate and a back surface opposing the top surface, an electrode embedded in the substrate supporting plate, and a shaft having a first end attached to the back surface of the substrate supporting plate and a second end opposing the first end. The second end is configured to contact a cooling base and provide temperature control to the substrate supporting plate. The shaft is hollow having a sidewall enclosing a central opening, and two or more channels formed through the sidewall and extending from the first end to the second end.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了用于在升高的温度下操作的静电卡盘。 本发明的一个实施例提供了一种用于静电卡盘的电介质卡盘体。 电介质卡盘体包括：基板支撑板，具有用于接收基板的顶表面和与顶表面相对的后表面;嵌入在基板支撑板中的电极;以及轴，其具有连接到基板的背面的第一端 支撑板和与第一端相对的第二端。 第二端构造成接触冷却基座并且向衬底支撑板提供温度控制。 轴是中空的，具有封闭中心开口的侧壁，以及穿过侧壁形成并且从第一端延伸到第二端的两个或更多个通道。

公开(公告)号：US20120255635A1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：US13442813

申请日：2012-04-09

申请人： Sumanth BANDA ,  Jennifer Y. SUN ,  Ren-Guan DUAN ,  Thomas J. Graves ,  Wendell G. BOYD, JR. ,  Randolph William DUDLEY, JR. ,  Khoi DOAN ,  William M. LU

发明人： Sumanth BANDA ,  Jennifer Y. SUN ,  Ren-Guan DUAN ,  Thomas J. Graves ,  Wendell G. BOYD, JR. ,  Randolph William DUDLEY, JR. ,  Khoi DOAN ,  William M. LU

IPC分类号： B32B38/16 ,  B24B1/00 ,  B32B38/10

CPC分类号： B24B37/042 ,  B08B1/04 ,  B24B27/033 ,  B24B37/107 ,  B24B37/245 ,  B24B37/26 ,  C23C16/4407 ,  Y10T137/85938 ,  Y10T156/11

摘要： Embodiments described herein generally relate to methods and apparatus for refurbishing a gas distribution plate assembly utilized in a deposition chamber or etch chamber. In one embodiment, a method for refurbishing a gas distribution plate assembly is provided. The method includes urging a faceplate of a gas distribution plate assembly against a polishing pad of a polishing device, the faceplate having a plurality of gas distribution holes disposed therein, providing relative motion between the faceplate and the polishing pad, and polishing the faceplate against the polishing pad.

摘要翻译： 本文描述的实施例一般涉及用于翻新在沉积室或蚀刻室中使用的气体分配板组件的方法和装置。 在一个实施例中，提供了一种用于翻新气体分配板组件的方法。 该方法包括将气体分配板组件的面板推压到抛光装置的抛光垫上，该面板具有设置在其中的多个气体分配孔，提供面板和抛光垫之间的相对运动，并且将面板抵靠 抛光垫

公开(公告)号：US08206829B2

公开(公告)日：2012-06-26

申请号：US12268196

申请日：2008-11-10

申请人： Jennifer Y. Sun ,  Xiao-Ming He ,  Senh Thach

发明人： Jennifer Y. Sun ,  Xiao-Ming He ,  Senh Thach

IPC分类号： B32B15/04 ,  B32B17/06 ,  C23C14/28 ,  H05H1/24

CPC分类号： H01J37/32477 ,  Y10T428/31678

摘要： Plasma resistant coating materials, plasma resistant coatings and methods of forming such coatings on hardware components. In one embodiment, hardware component is an electrostatic chuck (ESC) and the plasma resistant coating is formed on a surface of the ESC. The plasma resistant coatings are formed by methods other than thermal spraying to provide plasma resistant coatings having advantageous material properties.

摘要翻译： 等离子体涂层材料，等离子体涂层以及在硬件部件上形成这种涂层的方法。 在一个实施例中，硬件部件是静电卡盘（ESC），等离子体涂层形成在ESC的表面上。 耐等离子涂层通过热喷涂以外的方法形成，以提供具有有利材料特性的等离子体涂层。

公开(公告)号：US20120125488A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US13374980

申请日：2012-01-25

申请人： Jennifer Y. Sun ,  Li Xu ,  Kenneth S. Collins ,  Thomas Graves ,  Ren-Guan Duan ,  Senh Thach

发明人： Jennifer Y. Sun ,  Li Xu ,  Kenneth S. Collins ,  Thomas Graves ,  Ren-Guan Duan ,  Senh Thach

IPC分类号： C23C8/10

CPC分类号： C23C16/4404 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32477

摘要： A method of creating a plasma-resistant thermal oxide coating on a surface of an article, where the article is comprised of a metal or metal alloy which is typically selected from the group consisting of yttrium, neodymium, samarium, terbium, dysprosium, erbium, ytterbium, scandium, hafnium, niobium or combinations thereof. The oxide coating is formed using a time-temperature profile which includes an initial rapid heating rage, followed by a gradual decrease in heating rate, to produce an oxide coating structure which is columnar in nature. The grain size of the crystals which make up the oxide coating is larger at the surface of the oxide coating than at the interface between the oxide coating and the metal or metal alloy substrate, and the oxide coating is in compression at the interface between the oxide coating and the metal or metal alloy substrate.

摘要翻译： 一种在制品的表面上产生耐等离子体热氧化物涂层的方法，其中制品由金属或金属合金组成，金属或金属合金通常选自钇，钕，钐，铽，镝，铒， 镱，钪，铪，铌或其组合。 使用时间 - 温度曲线形成氧化物涂层，其包括初始的快速加热，然后逐渐降低加热速率，以产生本质上为柱状的氧化物涂层结构。 构成氧化物涂层的晶体的晶粒尺寸在氧化物涂层的表面比在氧化物涂层和金属或金属合金衬底之间的界面处大，并且氧化物涂层在氧化物之间的界面处被压缩 涂层和金属或金属合金基材。

公开(公告)号：US08076247B2

公开(公告)日：2011-12-13

申请号：US11733770

申请日：2007-04-11

申请人： Kenneth S. Collins ,  Hiroji Hanawa ,  Kartik Ramaswamy ,  Douglas A. Buchberger, Jr. ,  Shahid Rauf ,  Kallol Bera ,  Lawrence Wong ,  Walter R. Merry ,  Matthew L. Miller ,  Steven C. Shannon ,  Andrew Nguyen ,  James P. Cruse ,  James Carducci ,  Troy S. Detrick ,  Subhash Deshmukh ,  Jennifer Y. Sun

发明人： Kenneth S. Collins ,  Hiroji Hanawa ,  Kartik Ramaswamy ,  Douglas A. Buchberger, Jr. ,  Shahid Rauf ,  Kallol Bera ,  Lawrence Wong ,  Walter R. Merry ,  Matthew L. Miller ,  Steven C. Shannon ,  Andrew Nguyen ,  James P. Cruse ,  James Carducci ,  Troy S. Detrick ,  Subhash Deshmukh ,  Jennifer Y. Sun

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C23C16/45574 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831

摘要： A method is provided for processing a workpiece in a plasma reactor chamber. The method includes coupling, to a plasma in the chamber, power of an RF frequency via a ceiling electrode and coupling, to the plasma, power of at least approximately the same RF frequency via a workpiece support electrode. The method also includes providing an edge ground return path. The method further includes adjusting the proportion between (a) current flow between said electrodes and (b) current flow to the edge ground return path from said electrodes, to control plasma ion density distribution uniformity over the workpiece.

摘要翻译： 提供了一种用于在等离子体反应器室中处理工件的方法。 该方法包括通过天线电极将等离子体耦合到腔室中的等离子体，并通过工件支撑电极将等离子体的功率耦合到至少近似相同的RF频率。 该方法还包括提供边缘接地返回路径。 该方法还包括调节（a）所述电极之间的电流之间的比例和（b）从所述电极到达边缘接地返回路径的电流，以控制工件上的等离子体离子密度分布均匀性。

公开(公告)号：US08034734B2

公开(公告)日：2011-10-11

申请号：US12660068

申请日：2010-02-19

申请人： Jennifer Y. Sun ,  Ren-Guan Duan ,  Jie Yuan ,  Li Xu ,  Kenneth S. Collins

发明人： Jennifer Y. Sun ,  Ren-Guan Duan ,  Jie Yuan ,  Li Xu ,  Kenneth S. Collins

IPC分类号： C04B35/505 ,  C04B35/486

CPC分类号： C04B35/505 ,  B32B18/00 ,  C04B35/486 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/668 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9669 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32504 ,  Y10T428/31678

摘要： A solid solution-comprising ceramic article useful in semiconductor processing, which is resistant to erosion by halogen-containing plasmas. The solid solution-comprising ceramic article is formed from a combination of yttrium oxide and zirconium oxide. In a first embodiment, the ceramic article includes ceramic which is formed from yttrium oxide at a molar concentration ranging from about 90 mole % to about 70 mole %, and zirconium oxide at a molar concentration ranging from about 10 mole % to about 30 mole %. In a second embodiment, the ceramic article includes ceramic which is formed from zirconium oxide at a molar concentration ranging from about 96 mole % to about 94 mole %, and yttrium oxide at a molar concentration ranging from about 4 mole % to about 6 mole %.

摘要翻译： 用于半导体加工的固体溶液陶瓷制品，其耐受含卤素等离子体侵蚀。 含固溶体的陶瓷制品由氧化钇和氧化锆的组合形成。 在第一个实施方案中，陶瓷制品包括由摩尔浓度为约90摩尔％至约70摩尔％的氧化钇形成的陶瓷，摩尔浓度为约10摩尔％至约30摩尔％的氧化锆， 。 在第二个实施方案中，陶瓷制品包括由摩尔浓度为约96摩尔％至约94摩尔％的氧化锆形成的陶瓷，摩尔浓度为约4摩尔％至约6摩尔％的氧化钇 。

公开(公告)号：US07846264B2

公开(公告)日：2010-12-07

申请号：US11592905

申请日：2006-11-03

申请人： Xikun Wang ,  Li Xu ,  Jennifer Y. Sun

发明人： Xikun Wang ,  Li Xu ,  Jennifer Y. Sun

IPC分类号： B08B3/00

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5353 ,  C04B41/91 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4407 ,  C30B35/00 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32862 ,  Y10T428/24273 ,  Y10T428/24314 ,  C04B35/505

摘要： Disclosed herein is a gas distribution plate for use in a gas distribution assembly for a processing chamber, where the gas distribution plate is fabricated from a solid yttrium oxide-comprising substrate, which may also include aluminum oxide. The gas distribution plate includes a plurality of through-holes, which are typically crescent-shaped. Through-holes which have been formed in the solid yttrium oxide-comprising substrate by ultrasonic drilling perform particularly well. The solid yttrium oxide-comprising substrate typically comprises at least 99.9% yttrium oxide, and has a density of at least 4.92 g/cm3, a water absorbency of about 0.02% or less, and an average grain size within the range of about 10 μm to about 25 μm. Also disclosed herein are methods for fabricating and cleaning the yttrium oxide-comprising gas distribution plate.

摘要翻译： 本文公开了一种用于处理室的气体分配组件中的气体分配板，其中气体分配板由可能还包括氧化铝的固体含氧化钇衬底制成。 气体分配板包括通常为月牙形的多个通孔。 通过超声波钻孔在固体含氧化钇基质中形成的通孔特别好。 固体含氧化钇的基材通常包含至少99.9％的氧化钇，并且具有至少4.92g / cm 3的密度，约0.02％或更低的吸水率，以及在约10μm的范围内的平均晶粒尺寸 至约25μm。 本文还公开了用于制造和清洁含氧化钇气体分配板的方法。

公开(公告)号：US20100119844A1

公开(公告)日：2010-05-13

申请号：US12291747

申请日：2008-11-12

申请人： Jennifer Y. Sun ,  Ren-Guan Duan ,  Kenneth S. Collins

发明人： Jennifer Y. Sun ,  Ren-Guan Duan ,  Kenneth S. Collins

IPC分类号： B32B18/00 ,  C09D1/00 ,  B32B37/00

CPC分类号： C03C10/16 ,  C03C3/247 ,  C03C3/325 ,  C03C8/24 ,  C03C2204/00 ,  C04B35/119 ,  C04B37/005 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/80 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/064 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/10 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/60 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  H01L21/6719

摘要： Embodiments of the invention relate to component structures which are useful as apparatus in plasma processing chambers. Portions of the component structures are bonded together using oxyfluoride-comprising glazes, glass ceramics, and combinations thereof. The bonding material is resistant to halogen-containing plasmas and exhibits desirable mechanical properties.

摘要翻译： 本发明的实施例涉及可用作等离子体处理室中的装置的部件结构。 使用含氟氟化物的釉料，玻璃陶瓷及其组合将部件结构的部分粘结在一起。 粘合材料对含卤素等离子体具有耐受性，并且具有所需的机械性能。

公开(公告)号：US20100018648A1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：US12178032

申请日：2008-07-23

申请人： KENNETH S. COLLINS ,  Douglas A. Buchberger, JR. ,  Kartik Ramaswamy ,  Shahid Rauf ,  Hiroji Hanawa ,  Jennifer Y. Sun ,  Andrew Nguyen ,  Thorsten B. Lill ,  Meihua Shen

发明人： KENNETH S. COLLINS ,  Douglas A. Buchberger, JR. ,  Kartik Ramaswamy ,  Shahid Rauf ,  Hiroji Hanawa ,  Jennifer Y. Sun ,  Andrew Nguyen ,  Thorsten B. Lill ,  Meihua Shen

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32642 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32623 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/6833

摘要： In an electrostatic chuck, RF bias power is separately applied to a workpiece and to a process kit collar surrounding the workpiece. At least one variable impedance element governed by a system controller adjusts the apportionment of RF bias power between the workpiece and the process kit collar, allowing dynamic adjustment of the plasma sheath electric field at the extreme edge of the workpiece, for optimum electric field uniformity under varying plasma conditions, for example.

摘要翻译： 在静电卡盘中，RF偏置功率分别施加到工件和围绕工件的处理套件套环。 由系统控制器控制的至少一个可变阻抗元件调节工件和工艺套件套环之间的RF偏置功率的分配，允许动态调整工件最末端处的等离子体护套电场，以获得最佳的电场均匀度 改变等离子体条件。