公开(公告)号：US6083344A

公开(公告)日：2000-07-04

申请号：US865432

申请日：1997-05-29

申请人： Hiroji Hanawa ,  Tetsuya Ishikawa ,  Manus Wong ,  Shijian Li ,  Kaveh Niazi ,  Kenneth Smyth ,  Fred C. Redeker ,  Troy Detrick ,  Jay Dee Pinson, II

发明人： Hiroji Hanawa ,  Tetsuya Ishikawa ,  Manus Wong ,  Shijian Li ,  Kaveh Niazi ,  Kenneth Smyth ,  Fred C. Redeker ,  Troy Detrick ,  Jay Dee Pinson, II

IPC分类号： H01J37/32 ,  H05H1/00

CPC分类号： H01J37/32174 ,  H01J37/321

摘要： The present invention provides an HDP-CVD tool using simultaneous deposition and sputtering of doped and undoped silicon dioxide capable of excellent gap fill and blanket film deposition on wafers. The tool of the present invention includes: a dual RF zone inductively coupled plasma source; a dual zone gas distribution system; temperature controlled surfaces within the tool; a symmetrically shaped turbomolecular pumped chamber body; a dual cooling zone electrostatic chuck; an all ceramic/aluminum alloy chamber; and a remote plasma chamber cleaning system.

摘要翻译： 本发明提供一种HDP-CVD工具，其使用能够在晶片上具有优异的间隙填充和覆盖膜沉积的掺杂和未掺杂的二氧化硅的同时沉积和溅射。 本发明的工具包括：双RF区电感耦合等离子体源; 双区气体分配系统; 工具内的温度控制表面; 对称成形的涡轮分子抽水室体; 双冷却区静电吸盘; 全陶瓷/铝合金室; 和远程等离子体室清洁系统。

公开(公告)号：US06182602B2

公开(公告)日：2001-02-06

申请号：US08865018

申请日：1997-05-29

申请人： Fred C. Redeker ,  Romuald Nowak ,  Tetsuya Ishikawa ,  Troy Detrick ,  Jay Dee Pinson, II

发明人： Fred C. Redeker ,  Romuald Nowak ,  Tetsuya Ishikawa ,  Troy Detrick ,  Jay Dee Pinson, II

IPC分类号： C23C1600

CPC分类号： H01J37/32449 ,  C23C16/507 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32862

摘要： The present invention provides an HDP-CVD tool using simultaneous deposition and sputtering of doped and undoped silicon dioxide capable of excellent gap fill and blanket film deposition on wafers. The tool of the present invention includes: a dual RF zone inductively coupled plasma source; a dual zone gas distribution system; temperature controlled surfaces within the tool; a symmetrically shaped turbomolecular pumped chamber body; a dual cooling zone electrostatic chuck; an all ceramic/aluminum alloy chamber; and a remote plasma chamber cleaning system.

摘要翻译： 本发明提供一种HDP-CVD工具，其使用能够在晶片上具有优异的间隙填充和覆盖膜沉积的掺杂和未掺杂的二氧化硅的同时沉积和溅射。 本发明的工具包括：双RF区电感耦合等离子体源; 双区气体分配系统; 工具内的温度控制表面; 对称成形的涡轮分子抽水室体; 双冷却区静电吸盘; 全陶瓷/铝合金室; 和远程等离子体室清洁系统。