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    Monolithic integration of photonics and electronics in CMOS processes
    3.
    发明授权
    Monolithic integration of photonics and electronics in CMOS processes 有权
    光电子学与电子学在CMOS工艺中的整体集成

    公开(公告)号：US08895413B2

    公开(公告)日：2014-11-25

    申请号：US13364909

    申请日：2012-02-02

    申请人： Thierry Pinguet ,  Steffen Gloeckner ,  Peter De Dobbelaere ,  Sherif Abdalla ,  Daniel Kucharski ,  Gianlorenzo Masini ,  Kosei Yokoyama ,  John Guckenberger ,  Attila Mekis

    发明人： Thierry Pinguet ,  Steffen Gloeckner ,  Peter De Dobbelaere ,  Sherif Abdalla ,  Daniel Kucharski ,  Gianlorenzo Masini ,  Kosei Yokoyama ,  John Guckenberger ,  Attila Mekis

    IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/782 ,  H01L21/84

    CPC分类号： H04B10/2575 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H04B10/40

    摘要： Methods and systems for monolithic integration of photonics and electronics in CMOS processes are disclosed and may include fabricating photonic and electronic devices on two CMOS wafers with different silicon layer thicknesses for the photonic and electronic devices bonded to at least a portion of each of the wafers together, where a first of the CMOS wafers includes the photonic devices and a second of the CMOS wafers includes the electronic devices. The electrical devices may be coupled to optical devices utilizing through-silicon vias. The different thicknesses may be fabricated utilizing a selective area growth process. Cladding layers may be fabricated utilizing oxygen implants and/or utilizing CMOS trench oxide on the CMOS wafers. Silicon may be deposited on the CMOS trench oxide utilizing epitaxial lateral overgrowth. Cladding layers may be fabricated utilizing selective backside etching. Reflective surfaces may be fabricated by depositing metal on the selectively etched regions.

    摘要翻译： 公开了用于在CMOS工艺中单片集成光子学和电子学的方法和系统，并且可以包括在具有不同硅层厚度的两个CMOS晶片上制造光子和电子器件，用于光子和电子器件，其结合到每个晶片的至少一部分 其中第一CMOS晶片包括光子器件，并且第二CMOS晶片包括电子器件。 电子器件可以利用穿硅通孔耦合到光学器件。 可以使用选择性区域生长过程来制造不同的厚度。 可以使用氧注入和/或在CMOS晶片上利用CMOS沟槽氧化物来制造覆层。 硅可以利用外延横向过度生长沉积在CMOS沟槽氧化物上。 可以利用选择性背面蚀刻来制造包覆层。 可以通过在选择性蚀刻的区域上沉积金属来制造反射表面。

    Method and system for monolithic integration of photonics and electronics in CMOS processes
    4.
    发明授权
    Method and system for monolithic integration of photonics and electronics in CMOS processes 有权
    CMOS工艺中光子学与电子学的单片集成方法与系统

    公开(公告)号：US08877616B2

    公开(公告)日：2014-11-04

    申请号：US12554449

    申请日：2009-09-04

    申请人： Thierry Pinguet ,  Steffen Gloeckner ,  Peter De Dobbelaere ,  Sherif Abdalla ,  Daniel Kucharski ,  Gianlorenzo Masini ,  Kosei Yokoyama ,  John Guckenberger ,  Attila Mekis

    发明人： Thierry Pinguet ,  Steffen Gloeckner ,  Peter De Dobbelaere ,  Sherif Abdalla ,  Daniel Kucharski ,  Gianlorenzo Masini ,  Kosei Yokoyama ,  John Guckenberger ,  Attila Mekis

    IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/782 ,  H01L21/84

    CPC分类号： H04B10/2575 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H04B10/40

    摘要： Methods and systems for monolithic integration of photonics and electronics in CMOS processes are disclosed and may include fabricating photonic and electronic devices on a single CMOS wafer with different silicon layer thicknesses. The devices may be fabricated on a semiconductor-on-insulator (SOI) wafer utilizing a bulk CMOS process and/or on a SOI wafer utilizing a SOI CMOS process. The different thicknesses may be fabricated utilizing a double SOI process and/or a selective area growth process. Cladding layers may be fabricated utilizing one or more oxygen implants and/or utilizing CMOS trench oxide on the CMOS wafer. Silicon may be deposited on the CMOS trench oxide utilizing epitaxial lateral overgrowth. Cladding layers may be fabricated utilizing selective backside etching. Reflective surfaces may be fabricated by depositing metal on the selectively etched regions. Silicon dioxide or silicon germanium integrated in the CMOS wafer may be utilized as an etch stop layer.

    摘要翻译： 公开了用于在CMOS工艺中单片集成光子学和电子学的方法和系统，并且可以包括在具有不同硅层厚度的单个CMOS晶片上制造光子和电子器件。 利用体CMOS工艺和/或利用SOI CMOS工艺的SOI晶片，可以在绝缘体上半导体（SOI）晶片上制造器件。 可以使用双重SOI工艺和/或选择性区域生长工艺来制造不同的厚度。 可以利用一个或多个氧注入和/或在CMOS晶片上利用CMOS沟槽氧化物来制造覆层。 硅可以利用外延横向过度生长沉积在CMOS沟槽氧化物上。 可以利用选择性背面蚀刻来制造包覆层。 可以通过在选择性蚀刻的区域上沉积金属来制造反射表面。 集成在CMOS晶片中的二氧化硅或硅锗可以用作蚀刻停止层。

    Monolithic Integration Of Photonics And Electronics In CMOS Processes
    8.
    发明申请
    Monolithic Integration Of Photonics And Electronics In CMOS Processes 有权
    CMOS工艺中光子学与电子学的一体化

    公开(公告)号：US20120132993A1

    公开(公告)日：2012-05-31

    申请号：US13364909

    申请日：2012-02-02

    申请人： Thierry Pinguet ,  Steffen Gloeckner ,  Peter De Dobbelaere ,  Sherif Abdalla ,  Daniel Kucharski ,  Gianlorenzo Masini ,  Kosei Yokoyama ,  John Guckenberger ,  Attila Mekis

    发明人： Thierry Pinguet ,  Steffen Gloeckner ,  Peter De Dobbelaere ,  Sherif Abdalla ,  Daniel Kucharski ,  Gianlorenzo Masini ,  Kosei Yokoyama ,  John Guckenberger ,  Attila Mekis

    IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/782

    CPC分类号： H04B10/2575 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H04B10/40

    摘要： Methods and systems for monolithic integration of photonics and electronics in CMOS processes are disclosed and may include fabricating photonic and electronic devices on two CMOS wafers with different silicon layer thicknesses for the photonic and electronic devices bonded to at least a portion of each of the wafers together, where a first of the CMOS wafers includes the photonic devices and a second of the CMOS wafers includes the electronic devices. The electrical devices may be coupled to optical devices utilizing through-silicon vias. The different thicknesses may be fabricated utilizing a selective area growth process. Cladding layers may be fabricated utilizing oxygen implants and/or utilizing CMOS trench oxide on the CMOS wafers. Silicon may be deposited on the CMOS trench oxide utilizing epitaxial lateral overgrowth. Cladding layers may be fabricated utilizing selective backside etching. Reflective surfaces may be fabricated by depositing metal on the selectively etched regions.

    摘要翻译： 公开了用于在CMOS工艺中单片集成光子学和电子学的方法和系统，并且可以包括在具有不同硅层厚度的两个CMOS晶片上制造光子和电子器件，用于光子和电子器件，其结合到每个晶片的至少一部分 其中第一CMOS晶片包括光子器件，并且第二CMOS晶片包括电子器件。 电子器件可以利用穿硅通孔耦合到光学器件。 可以使用选择性区域生长过程来制造不同的厚度。 可以使用氧注入和/或在CMOS晶片上利用CMOS沟槽氧化物来制造覆层。 硅可以利用外延横向过度生长沉积在CMOS沟槽氧化物上。 可以利用选择性背面蚀刻来制造包覆层。 可以通过在选择性蚀刻的区域上沉积金属来制造反射表面。

    Lid For Functionalized Microfluidic Platform And Method
    9.
    发明申请
    Lid For Functionalized Microfluidic Platform And Method 有权
    用于功能化微流控平台和方法的盖

    公开(公告)号：US20130302842A1

    公开(公告)日：2013-11-14

    申请号：US13467584

    申请日：2012-05-09

    申请人： Erwin Berthier ,  Peter Cavner ,  David John Guckenberger ,  David Beebe

    发明人： Erwin Berthier ,  Peter Cavner ,  David John Guckenberger ,  David Beebe

    IPC分类号： C12Q1/02 ,  B01L99/00

    CPC分类号： G01N33/5005 ,  A01N1/0263 ,  A01N1/0268 ,  B01L3/502715 ,  B01L7/50 ,  B01L2200/027 ,  B01L2300/044 ,  B01L2300/047 ,  B01L2300/0672 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/0887 ,  B01L2400/0406 ,  B01L2400/0481 ,  B01L2400/0677 ,  B01L2400/0683 ,  B01L2400/0694 ,  B01L2400/086

    摘要： A microfluidic device and method is provided for handheld diagnostics and assays. A first substance is frozen in a cryopreservation fluid in a first well of a lid. The lid includes a first surface communicating with a first port of the first well and a second surface communicating with a second port of the first well. A porous membrane is affixed to the first surface so as to overlap the first port and a non-porous membrane is affixed to the second surface so as to overlap the second port. The first substance may be dialytically freed from the cryopreservation fluid at a user desired time. Thereafter, the lid may be moved from a first position wherein the lid is spaced from a base to a second position wherein the lid is adjacent the channel in the base such that the first substance communicates with the input of the channel.

    摘要翻译： 提供了用于手持诊断和测定的微流体装置和方法。 将第一物质在盖的第一孔中的冷冻保存液中冷冻。 所述盖包括与所述第一井的第一端口连通的第一表面和与所述第一井的第二端口连通的第二表面。 将多孔膜固定在第一表面上以与第一端口重叠，并且非多孔膜固定到第二表面以与第二端口重叠。 第一物质可以在用户期望的时间透析地从冷冻保存液中除去。 此后，盖可以从第一位置移动，其中盖子与基座间隔开到第二位置，其中盖子与基座中的通道相邻，使得第一物质与通道的输入端相通。