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    Systems and methods of automatic boundary control for semiconductor processes
    3.
    发明授权
    Systems and methods of automatic boundary control for semiconductor processes 有权
    半导体工艺自动边界控制系统和方法

    公开(公告)号：US09250619B2

    公开(公告)日：2016-02-02

    申请号：US13311601

    申请日：2011-12-06

    申请人： Chih-Wei Hsu ,  Mei-Jen Wu ,  Yen-Di Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Chin-Hsiang Lin

    发明人： Chih-Wei Hsu ,  Mei-Jen Wu ,  Yen-Di Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Chin-Hsiang Lin

    IPC分类号： G06F19/00 ,  G05B19/18 ,  H01L21/66

    CPC分类号： G05B19/18 ,  G05B2219/45031 ,  H01L22/20

    摘要： A system and method of automatically calculating boundaries for a semiconductor fabrication process. The method includes selecting a first parameter for monitoring during a semiconductor fabrication process. A first set of values for the first parameter are received and a group value of the first set is determined. Each value in the first set of values is normalized. A first weighting factor is selected based on a number of values in the first set. The embodiment also includes generating a first and a second boundary value as a function of the weighting factor, the first set normalized values and the group value of the first set and applying the first and second boundary values to control the semiconductor fabrication process.

    摘要翻译： 一种自动计算半导体制造工艺边界的系统和方法。 该方法包括在半导体制造过程中选择用于监测的第一参数。 接收第一参数的第一组值，并确定第一组的组值。 第一组值中的每个值都被归一化。 基于第一组中的值的数量来选择第一加权因子。 该实施例还包括根据加权因子，第一集合归一化值和第一组的组值产生第一和第二边界值，并施加第一和第二边界值以控制半导体制造过程。

    REAL-TIME CALIBRATION FOR WAFER PROCESSING CHAMBER LAMP MODULES
    6.
    发明申请
    REAL-TIME CALIBRATION FOR WAFER PROCESSING CHAMBER LAMP MODULES 有权
    用于加工室内灯模块的实时校准

    公开(公告)号：US20130306621A1

    公开(公告)日：2013-11-21

    申请号：US13471583

    申请日：2012-05-15

    申请人： Chih-Tien Chang ,  Sunny Wu ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Chin-Hsiang Lin

    发明人： Chih-Tien Chang ,  Sunny Wu ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Chin-Hsiang Lin

    IPC分类号： H05B1/02

    CPC分类号： H01L22/26 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H05B1/0233

    摘要： An apparatus, a system and a method are disclosed. An exemplary apparatus includes a wafer processing chamber. The apparatus further includes radiant heating elements disposed in different zones and operable to heat different portions of a wafer located within the wafer processing chamber. The apparatus further includes sensors disposed outside the wafer processing chamber and operable to monitor energy from the radiant heating elements disposed in the different zones. The apparatus further includes a computer configured to utilize the sensors to characterize the radiant heating elements disposed in the different zones and to provide a calibration for the radiant heating elements disposed in the different zones such that a substantially uniform temperature profile is maintained across a surface of the wafer.

    摘要翻译： 公开了一种装置，系统和方法。 示例性装置包括晶片处理室。 该设备还包括设置在不同区域中的辐射加热元件，其可操作以加热位于晶片处理室内的晶片的不同部分。 该装置还包括设置在晶片处理室外部的传感器，其可操作以监测来自设置在不同区域中的辐射加热元件的能量。 该装置还包括计算机，其被配置为利用传感器来表征设置在不同区域中的辐射加热元件，并且为放置在不同区域中的辐射加热元件提供校准，使得基本上均匀的温度分布保持在 晶圆。

    System and method for data mining and feature tracking for fab-wide prediction and control
    9.
    发明授权
    System and method for data mining and feature tracking for fab-wide prediction and control 有权
    用于晶圆厂预测和控制的数据挖掘和特征跟踪的系统和方法

    公开(公告)号：US08406912B2

    公开(公告)日：2013-03-26

    申请号：US12823351

    申请日：2010-06-25

    申请人： Jui-Long Chen ,  Chia-Tong Ho ,  Po-Feng Tsai ,  Hui-Yun Chao ,  Jong-I Mou

    发明人： Jui-Long Chen ,  Chia-Tong Ho ,  Po-Feng Tsai ,  Hui-Yun Chao ,  Jong-I Mou

    IPC分类号： G06F19/00

    CPC分类号： G05B19/41875 ,  G05B2219/32191 ,  G05B2219/35082 ,  Y02P90/22 ,  Y02P90/265

    摘要： System and method for data mining and feature tracking for fab-wide prediction and control are described. One embodiment is a system comprising a database for storing raw wafer manufacturing data; a data mining module for processing the raw wafer manufacturing data to select the best data therefrom in accordance with at least one of a plurality of knowledge-, statistic-, and effect-based processes; and a feature tracking module associated with the data mining module and comprising a self-learning model wherein a sensitivity of the self-learning model is dynamically tuned to meet real-time production circumstances, the feature tracking module receiving the selected data from the data mining module and generating prediction and control data therefrom; wherein the prediction and control data are used to control future processes in the wafer fabrication facility.

    摘要翻译： 描述了用于晶圆厂预测和控制的数据挖掘和特征跟踪的系统和方法。 一个实施例是包括用于存储原始晶片制造数据的数据库的系统; 数据挖掘模块，用于根据多个基于知识，统计和效果的过程中的至少一个来处理原始晶片制造数据以从其中选择最佳数据; 以及与所述数据挖掘模块相关联并且包括自学习模型的特征跟踪模块，其中自学习模型的灵敏度被动态调整以满足实时生产环境，所述特征跟踪模块从所述数据挖掘接收所选择的数据 模块并从其生成预测和控制数据; 其中预测和控制数据用于控制晶片制造设备中的未来工艺。

    Multi-zone temperature control for semiconductor wafer
    10.
    发明授权
    Multi-zone temperature control for semiconductor wafer 有权
    半导体晶圆的多区域温度控制

    公开(公告)号：US08404572B2

    公开(公告)日：2013-03-26

    申请号：US12370746

    申请日：2009-02-13

    申请人： Chun-Lin Chang ,  Hsin-Hsien Wu ,  Zin-Chang Wei ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Jun-Lin Yeh ,  Jih-Jse Lin ,  Jo-Fei Wang ,  Ming-Yu Fan ,  Jong-I Mou

    发明人： Chun-Lin Chang ,  Hsin-Hsien Wu ,  Zin-Chang Wei ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Jun-Lin Yeh ,  Jih-Jse Lin ,  Jo-Fei Wang ,  Ming-Yu Fan ,  Jong-I Mou

    IPC分类号： H01L21/425

    CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12

    摘要： An apparatus includes a process chamber configured to perform an ion implantation process. A cooling platen or electrostatic chuck is provided within the process chamber. The cooling platen or electrostatic chuck is configured to support a semiconductor wafer. The cooling platen or electrostatic chuck has a plurality of temperature zones. Each temperature zone includes at least one fluid conduit within or adjacent to the cooling platen or electrostatic chuck. At least two coolant sources are provided, each fluidly coupled to a respective one of the fluid conduits and configured to supply a respectively different coolant to a respective one of the plurality of temperature zones during the ion implantation process. The coolant sources include respectively different chilling or refrigeration units.

    摘要翻译： 一种装置包括被配置为执行离子注入工艺的处理室。 在处理室内设有冷却台板或静电吸盘。 冷却台板或静电卡盘构造成支撑半导体晶片。 冷却台板或静电卡盘具有多个温度区域。 每个温度区域包括在冷却压板或静电卡盘内或附近的至少一个流体导管。 提供至少两个冷却剂源，每个冷却剂源流体耦合到相应的一个流体导管，并且构造成在离子注入过程期间将分别不同的冷却剂供应到多个温度区中的相应的一个温度区。 冷却剂源分别包括不同的冷却或制冷装置。