公开(公告)号：US20100320458A1

公开(公告)日：2010-12-23

申请号：US12815414

申请日：2010-06-15

申请人： Kenichi Umeda ,  Masayuki Suzuki ,  Atsushi Tanaka

发明人： Kenichi Umeda ,  Masayuki Suzuki ,  Atsushi Tanaka

IPC分类号： H01L29/26 ,  H01L21/26

CPC分类号： H01L29/7869 ,  C01G15/006 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  C30B29/22 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02664

摘要： The invention provides an IGZO-based oxide material and a method of producing the same, the IGZO-based oxide material being represented by a composition formula of In2-xGaxZnO4-δ, where 0.75

摘要翻译： 本发明提供了一种基于IGZO的氧化物材料及其制造方法，该IGZO系氧化物材料由In2-xGaxZnO4-δ的组成式表示，其中0.75

公开(公告)号：US20090298226A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12475104

申请日：2009-05-29

申请人： Kenichi Umeda ,  Atsushi Tanaka ,  Kohei Higashi ,  Maki Nangu

发明人： Kenichi Umeda ,  Atsushi Tanaka ,  Kohei Higashi ,  Maki Nangu

IPC分类号： H01L21/36 ,  H01L21/428

CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/02686 ,  H01L29/7869

摘要： During a process of forming an active layer of a semiconductor device using a ZnO film, the ZnO film is laser-annealed with an ultraviolet pulsed laser to reduce the resistance of the film, and then oxidation treatment is applied to increase the specific resistance value at a channel portion of the ZnO film, which once has excessively low resistance after the laser annealing, to 103Ω·cm or more.

摘要翻译： 在使用ZnO膜形成半导体器件的有源层的过程中，用紫外脉冲激光对ZnO膜进行激光退火，以降低膜的电阻，然后进行氧化处理以提高电阻率 在激光退火后一度具有过低的电阻的ZnO膜的通道部分为103Omega.cm以上。

公开(公告)号：US20090152506A1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：US12337072

申请日：2008-12-17

申请人： Kenichi UMEDA ,  Hiroyuki Hirai ,  Atsushi Tanaka ,  Katsuhiro Kohda ,  Kohei Higashi ,  Hiroshi Sunagawa

发明人： Kenichi UMEDA ,  Hiroyuki Hirai ,  Atsushi Tanaka ,  Katsuhiro Kohda ,  Kohei Higashi ,  Hiroshi Sunagawa

IPC分类号： H01B1/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02565 ,  C30B1/02 ,  C30B29/22 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/7869

摘要： In a process for producing an oriented inorganic crystalline film, a non-monocrystalline film containing inorganic crystalline particles is formed on a substrate by a liquid phase technique using a raw-material solution which contains a raw material and an organic solvent, where the inorganic crystalline particles have a layered crystal structure and are contained in the raw material. Then, the non-monocrystalline film is crystallized by heating the non-monocrystalline film to a temperature equal to or higher than the crystallization temperature of the non-monocrystalline film so that part of the inorganic crystalline particles act as crystal nuclei.

摘要翻译： 在制备取向无机结晶膜的方法中，通过液相技术，使用含有原料和有机溶剂的原料溶液，在基板上形成含有无机结晶粒子的非单晶膜，其中无机结晶 颗粒具有层状晶体结构并且包含在原料中。 然后，通过将非单晶膜加热至等于或高于非单晶膜的结晶温度的温度使非单晶膜结晶，使得部分无机结晶粒子作为晶核。

公开(公告)号：US5950361A

公开(公告)日：1999-09-14

申请号：US7965

申请日：1998-01-16

申请人： Kuniaki Takamatsu ,  Toyoko Ohara ,  Hideaki Kikuchi ,  Kenichi Umeda

发明人： Kuniaki Takamatsu ,  Toyoko Ohara ,  Hideaki Kikuchi ,  Kenichi Umeda

IPC分类号： A01G7/00 ,  A01G7/04 ,  C05D11/00 ,  H05F7/00 ,  C05D1/00

CPC分类号： A01G7/04 ,  H05F7/00

摘要： A plant activator which is strip-shaped, and includes a silicon layer provided on one or both surfaces of the base sheet or within a base sheet and containing Si or SiO.sub.X (0

摘要翻译： 一种植物活化剂，其是带状的，并且包括设置在基片的一个或两个表面上或在基片内并含有Si或SiOX（0

公开(公告)号：US4447549A

公开(公告)日：1984-05-08

申请号：US476250

申请日：1983-03-22

申请人： Sho Masujima ,  Masahide Shibuya ,  Iwaya Shoichi ,  Kenichi Umeda ,  Yasunobu Oikawa ,  Hisao Abe ,  Yoshifumi Midori ,  Shinobu Fujiwara ,  Nobuaki Kikuchi

发明人： Sho Masujima ,  Masahide Shibuya ,  Iwaya Shoichi ,  Kenichi Umeda ,  Yasunobu Oikawa ,  Hisao Abe ,  Yoshifumi Midori ,  Shinobu Fujiwara ,  Nobuaki Kikuchi

IPC分类号： C04B35/46 ,  C04B35/468 ,  H01B3/12 ,  H01G7/02 ,  H01G7/06 ,  H03K3/02 ,  H05B41/04 ,  H05B41/18

CPC分类号： H01B3/12 ,  C04B35/4682 ,  H05B41/046

摘要： A D-E hysteresis loop of ferroelectrics known in the art has a square shape when the ferroelectrics are a BaTiO.sub.3 single crystal. Such ferroelectrics are used as a non-linear dielectric element of, for example a pulse generating device. The non-linear dielectric element according to the present invention consists of a polycrystal, which is mainly composed of BaTiO.sub.3 and has the chemical composition expressed by the formula A.sub.y B.sub.z O.sub.3, wherein the molar ratio of y/z ranges from 0.92 to 0.99. The non-linearity is excellent and the temperature dependence of the A.sub.y B.sub.z O.sub.3 composition is considerably low.

摘要翻译： 当铁电体是BaTiO 3单晶时，本领域已知的铁电体的D-E磁滞回线具有正方形形状。 这种铁电体用作例如脉冲发生装置的非线性介电元件。 根据本发明的非线性介电元件由主要由BaTiO 3组成并具有由式AyBzO3表示的化学组成的多晶体组成，其中y / z的摩尔比范围为0.92至0.99。 非线性优异，并且AyBzO3组合物的温度依赖性相当低。

公开(公告)号：US08343800B2

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：US12815430

申请日：2010-06-15

申请人： Kenichi Umeda ,  Masayuki Suzuki ,  Atsushi Tanaka ,  Yuki Nara

发明人： Kenichi Umeda ,  Masayuki Suzuki ,  Atsushi Tanaka ,  Yuki Nara

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/16 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L21/0262 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02675 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

摘要： The invention provides a thin film transistor comprising an active layer, the active layer comprising an IGZO-based oxide material, the IGZO-based oxide material being represented by a composition formula of In2-xGaxZnO4-δ, where 0.75

摘要翻译： 本发明提供一种薄膜晶体管，其包括有源层，所述有源层包括IGZO基氧化物材料，所述IGZO基氧化物材料由In2-xGaxZnO4-δ的组成式表示，其中0.75

公开(公告)号：US08278136B2

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：US12474931

申请日：2009-05-29

申请人： Atsushi Tanaka ,  Kenichi Umeda ,  Kohei Higashi ,  Maki Nangu

发明人： Atsushi Tanaka ,  Kenichi Umeda ,  Kohei Higashi ,  Maki Nangu

IPC分类号： H01L51/40 ,  H01L21/00 ,  H01L21/44 ,  B05D5/12 ,  C23C14/30

CPC分类号： H01L21/28194 ,  H01L29/7869

摘要： A gate electrode, a gate insulation film and an inorganic oxide film are formed in this order on a substrate, and a source electrode and a drain electrode are formed to partially cover the inorganic oxide film. Then, oxidation treatment is applied to reduce the carrier density at a region of the inorganic oxide film which is not covered by the electrodes and is used as a channel region of a semiconductor device.

摘要翻译： 在基板上依次形成栅电极，栅极绝缘膜和无机氧化物膜，并且形成源电极和漏电极以部分地覆盖无机氧化物膜。 然后，进行氧化处理以降低未被电极覆盖的无机氧化物膜的区域的载流子密度，并用作半导体器件的沟道区域。

公开(公告)号：US08202365B2

公开(公告)日：2012-06-19

申请号：US12337072

申请日：2008-12-17

申请人： Kenichi Umeda ,  Hiroyuki Hirai ,  Atsushi Tanaka ,  Katsuhiro Kohda ,  Kohei Higashi ,  Hiroshi Sunagawa

发明人： Kenichi Umeda ,  Hiroyuki Hirai ,  Atsushi Tanaka ,  Katsuhiro Kohda ,  Kohei Higashi ,  Hiroshi Sunagawa

IPC分类号： C30B1/02

CPC分类号： H01L21/02565 ,  C30B1/02 ,  C30B29/22 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/7869

摘要： In a process for producing an oriented inorganic crystalline film, a non-monocrystalline film containing inorganic crystalline particles is formed on a substrate by a liquid phase technique using a raw-material solution which contains a raw material and an organic solvent, where the inorganic crystalline particles have a layered crystal structure and are contained in the raw material. Then, the non-monocrystalline film is crystallized by heating the non-monocrystalline film to a temperature equal to or higher than the crystallization temperature of the non-monocrystalline film so that part of the inorganic crystalline particles act as crystal nuclei.

摘要翻译： 在制备取向无机结晶膜的方法中，通过液相技术，使用含有原料和有机溶剂的原料溶液，在基板上形成含有无机结晶粒子的非单晶膜，其中无机结晶 颗粒具有层状晶体结构并且包含在原料中。 然后，通过将非单晶膜加热到等于或高于非单晶膜的结晶温度的温度使非单晶膜结晶，使得部分无机结晶粒子作为晶核。

公开(公告)号：US07824957B2

公开(公告)日：2010-11-02

申请号：US12475104

申请日：2009-05-29

申请人： Kenichi Umeda ,  Atsushi Tanaka ,  Kohei Higashi ,  Maki Nangu

发明人： Kenichi Umeda ,  Atsushi Tanaka ,  Kohei Higashi ,  Maki Nangu

IPC分类号： H01L21/423

CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/02686 ,  H01L29/7869

摘要： During a process of forming an active layer of a semiconductor device using a ZnO film, the ZnO film is laser-annealed with an ultraviolet pulsed laser to reduce the resistance of the film, and then oxidation treatment is applied to increase the specific resistance value at a channel portion of the ZnO film, which once has excessively low resistance after the laser annealing, to 103Ω·cm or more.

摘要翻译： 在使用ZnO膜形成半导体器件的有源层的过程中，用紫外脉冲激光对ZnO膜进行激光退火，以降低膜的电阻，然后进行氧化处理以提高电阻率 在激光退火后一次具有过低电阻的ZnO膜的通道部分为103Ω·cm·cm以上。

公开(公告)号：US06203853B1

公开(公告)日：2001-03-20

申请号：US09378301

申请日：1999-08-20

申请人： Kuniaki Takamatsu ,  Toyoko Ohara ,  Hideaki Kikuchi ,  Kenichi Umeda ,  Kennosuke Tanaka ,  Taichiro Nakayama

发明人： Kuniaki Takamatsu ,  Toyoko Ohara ,  Hideaki Kikuchi ,  Kenichi Umeda ,  Kennosuke Tanaka ,  Taichiro Nakayama

IPC分类号： C23C1640

CPC分类号： A01G9/1438 ,  C23C14/10 ,  C23C16/24 ,  C23C16/402 ,  Y02A40/252

摘要： The material for inverting static electricity (or static electricity inverting material) of the present invention contains Si or SiOx (0

摘要翻译： 本发明的静电反转材料（或静电反转材料）在基材的表面或内部含有Si或SiOx（0