公开(公告)号：US08399364B2

公开(公告)日：2013-03-19

申请号：US13019636

申请日：2011-02-02

申请人： Kil-chul Kim ,  Jong-cheol Lee ,  Ki-vin Im ,  Jae-hyun Yeo

发明人： Kil-chul Kim ,  Jong-cheol Lee ,  Ki-vin Im ,  Jae-hyun Yeo

IPC分类号： H01L21/471

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/11568

摘要： Methods of manufacturing semiconductor devices including multilayer dielectric layers are disclosed. The methods include forming a multilayer dielectric layer including metal atoms and silicon atoms on a semiconductor substrate. The multilayer dielectric layer includes at least two crystalline metal silicate layers having different silicon concentrations. The multilayer dielectric layer may be used, for example, as a dielectric layer for a capacitor, or as a blocking layer for a nonvolatile memory device.

摘要翻译： 公开了制造包括多层电介质层的半导体器件的方法。 所述方法包括在半导体衬底上形成包括金属原子和硅原子的多层电介质层。 多层介电层包括至少两个具有不同硅浓度的结晶金属硅酸盐层。 多层介电层可以用作电容器的介质层，也可以用作非易失性存储器件的阻挡层。

公开(公告)号：US20110230056A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：US13019636

申请日：2011-02-02

申请人： Kil-chul Kim ,  Jong-cheol Lee ,  Ki-vin Im ,  Jae-hyun Yeo

发明人： Kil-chul Kim ,  Jong-cheol Lee ,  Ki-vin Im ,  Jae-hyun Yeo

IPC分类号： H01L21/471

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/11568

摘要： Methods of manufacturing semiconductor devices including multilayer dielectric layers are disclosed. The methods include forming a multilayer dielectric layer including metal atoms and silicon atoms on a semiconductor substrate. The multilayer dielectric layer includes at least two crystalline metal silicate layers having different silicon concentrations. The multilayer dielectric layer may be used, for example, as a dielectric layer for a capacitor, or as a blocking layer for a nonvolatile memory device.

摘要翻译： 公开了制造包括多层电介质层的半导体器件的方法。 所述方法包括在半导体衬底上形成包括金属原子和硅原子的多层电介质层。 多层介电层包括至少两个具有不同硅浓度的结晶金属硅酸盐层。 多层介电层可以用作电容器的介质层，也可以用作非易失性存储器件的阻挡层。