公开(公告)号：US20080006850A1

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：US11482944

申请日：2006-07-10

申请人： Kimon Ribnicek ,  Gregory A. Carlson ,  Paulo Silveira da Motta ,  Jian Zhao

发明人： Kimon Ribnicek ,  Gregory A. Carlson ,  Paulo Silveira da Motta ,  Jian Zhao

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/76898 ,  B81B2203/0353 ,  B81C1/00087 ,  B81C2201/0181

摘要： A method for forming through wafer vias in a substrate uses a Cr/Au seed layer to plate the bottom of a blind trench formed in the front side of a substrate. Thereafter, a reverse plating process uses a forward current to plate the bottom and sides of the blind hole, and a reverse current to de-plate material in or near the top. Using the reverse pulse plating technique, the plating proceeds generally from the bottom of the blind hole to the top. To form the through wafer via, the back side of the substrate is ground or etched away to remove material up to and including the dead-end wall of the blind hole.

摘要翻译： 用于在衬底中形成晶片通孔的方法使用Cr / Au种子层来平坦化形成在衬底前侧的盲沟的底部。 此后，反向电镀工艺使用正向电流来平板盲孔的底部和侧面，以及在顶部中或附近的去镀材料的反向电流。 使用反向脉冲电镀技术，电镀通常从盲孔的底部到顶部。 为了形成贯通晶片通孔，将衬底的背面研磨或蚀刻掉以去除直到并包括盲孔的死端壁的材料。