公开(公告)号：US5922503A

公开(公告)日：1999-07-13

申请号：US802807

申请日：1997-02-18

申请人： Mark A. Spak ,  Ralph R. Dammel ,  Michael Deprado

发明人： Mark A. Spak ,  Ralph R. Dammel ,  Michael Deprado

IPC分类号： G03F7/022 ,  G03F7/039 ,  G03F7/09 ,  G03F7/26 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  G11B7/24 ,  G03C1/492 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F7/405 ,  G03F7/094

摘要： A process for obtaining a lift-off imaging profile which comprises the steps of:a) providing a first layer of plasma etchable material wherein said material has a film thickness less than about 0.5 .mu.m (micrometer);b) providing a second layer comprising a photoimageable material on top of the first layer;c) forming a pattern in said second layer which comprises the steps of selectively exposing and developing the second layer;d) reacting the second layer with an organosilicon material; ande) etching the first layer isotropically in an oxygen atmosphere.

摘要翻译： 一种用于获得剥离成像轮廓的方法，包括以下步骤：a）提供第一层等离子体可蚀刻材料，其中所述材料具有小于约0.5μm（微米）的膜厚度; b）在第一层的顶部上提供包含可光成像材料的第二层; c）在所述第二层中形成图案，其包括选择性地暴露和显影所述第二层的步骤; d）使第二层与有机硅材料反应; 和e）在氧气氛中各向同性蚀刻第一层。