公开(公告)号：US08582378B1

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US13597733

申请日：2012-08-29

申请人： Ching-Te Chuang ,  Shyh-Jye Jou ,  Geng-Cing Lin ,  Shao-Cheng Wang ,  Yi-Wei Lin ,  Ming-Chien Tsai ,  Wei-Chiang Shih ,  Nan-Chun Lien ,  Kuen-Di Lee ,  Jyun-Kai Chu

发明人： Ching-Te Chuang ,  Shyh-Jye Jou ,  Geng-Cing Lin ,  Shao-Cheng Wang ,  Yi-Wei Lin ,  Ming-Chien Tsai ,  Wei-Chiang Shih ,  Nan-Chun Lien ,  Kuen-Di Lee ,  Jyun-Kai Chu

IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C29/00

CPC分类号： G11C29/50004 ,  G11C11/41 ,  G11C29/12005

摘要： A threshold voltage measurement device is disclosed. The device is coupled to a 6T SRAM. The SRAM comprises two inverters each coupled to a FET. Power terminals of one inverter are in a floating state; the drain and source of the FET coupled to the inverter are short-circuited. Two voltage selectors, a resistor, an amplifier and the SRAM are connected in a negative feedback way. Different bias voltages are applied to the SRAM for measuring threshold voltages of two FETs of the other inverter and the FET coupled to the other inverter. The present invention uses a single circuit to measure the threshold voltages of the three FETs without changing the physical structure of the SRAM. Thereby is accelerated the measurement and decreased the cost of the fabrication process and measurement instruments.

摘要翻译： 公开了一种阈值电压测量装置。 该器件耦合到6T SRAM。 SRAM包括两个各自耦合到FET的反相器。 一个逆变器的电源端子处于浮动状态; 耦合到逆变器的FET的漏极和源极短路。 两个电压选择器，电阻，放大器和SRAM以负反馈的方式连接。 不同的偏置电压被施加到SRAM，用于测量另一个反相器的两个FET和耦合到另一个反相器的FET的阈值电压。 本发明使用单个电路来测量三个FET的阈值电压，而不改变SRAM的物理结构。 从而加快了测量并降低了制造过程和测量仪器的成本。

公开(公告)号：US20130223136A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：US13484497

申请日：2012-05-31

申请人： Ching-Te CHUANG ,  Shyh-Jye Jou ,  Wei Hwang ,  Yi-Wei Lin ,  Ming-Chien Tsai ,  Hao-I Yang ,  Ming-Hsien Tu ,  Wei-Chiang Shih ,  Nan-Chun Lien ,  Kuen-Di Lee

发明人： Ching-Te CHUANG ,  Shyh-Jye Jou ,  Wei Hwang ,  Yi-Wei Lin ,  Ming-Chien Tsai ,  Hao-I Yang ,  Ming-Hsien Tu ,  Wei-Chiang Shih ,  Nan-Chun Lien ,  Kuen-Di Lee

IPC分类号： G11C11/40

CPC分类号： G11C29/50 ,  G11C11/41 ,  G11C2029/5002

摘要： The present invention provides a 6T SRAM including a first inverter, a second inverter, a first pass-gate transistor, and a second pass-gate transistor. The first inverter zs a first pull-up transistor and a first pull-down transistor. The second inverter includes a second pull-up transistor and a second pull-down transistor. The gate of the second pull-up transistor is coupled with the gate of the second pull-down transistor, and the drain of the second pull-up transistor is coupled with the drain of the second pull-down transistor. The SRAM can measure the trip voltage, the read disturb voltage, and the write margin by controlling the first bit line, the second bit line, the GND, the first word line, and the voltage source without changing of the physic parameter of the SRAM.

摘要翻译： 本发明提供一种包括第一反相器，第二反相器，第一通过栅极晶体管和第二通过栅极晶体管的6T SRAM。 第一反相器zs是第一上拉晶体管和第一下拉晶体管。 第二反相器包括第二上拉晶体管和第二下拉晶体管。 第二上拉晶体管的栅极与第二下拉晶体管的栅极耦合，并且第二上拉晶体管的漏极与第二下拉晶体管的漏极耦合。 SRAM可以通过控制第一位线，第二位线，GND，第一字线和电压源来测量跳闸电压，读取干扰电压和写入裕度，而不改变SRAM的物理参数 。

公开(公告)号：US07868668B2

公开(公告)日：2011-01-11

申请号：US12465071

申请日：2009-05-13

申请人： Yung-Shin Kao ,  Nan-Chun Lien

发明人： Yung-Shin Kao ,  Nan-Chun Lien

IPC分类号： H03L7/00

CPC分类号： H03K17/20 ,  H03K5/19

摘要： A power-on detector and a method thereof are provided. The power-on detector includes four transistors, two resistors, and a comparator. The power-on detector can detect an input voltage and then determine whether the power is turned on or not. The power-on determination is substantially immune to temperature variation. The power-on detector is noise-free and stable in various temperatures.

摘要翻译： 提供了上电检测器及其方法。 上电检测器包括四个晶体管，两个电阻和一个比较器。 上电检测器可以检测输入电压，然后确定电源是否打开。 上电确定基本上不受温度变化的影响。 上电检测器在各种温度下均无噪声且稳定。

公开(公告)号：US08854897B2

公开(公告)日：2014-10-07

申请号：US13665941

申请日：2012-11-01

申请人： Ching-Te Chuang ,  Nan-Chun Lien ,  Wei-Nan Liao ,  Chi-Hsin Chang ,  Hao-I Yang ,  Wei Hwang ,  Ming-Hsien Tu

发明人： Ching-Te Chuang ,  Nan-Chun Lien ,  Wei-Nan Liao ,  Chi-Hsin Chang ,  Hao-I Yang ,  Wei Hwang ,  Ming-Hsien Tu

IPC分类号： G11C7/10

CPC分类号： G11C11/413

摘要： A static random access memory apparatus and a bit-line voltage controller includes a controller, a pull-up circuit, a pull-down circuit and a voltage keeping circuit. The controller receives a bank selecting signal and a clock signal, and decides a pull-up time period, a pull-down time period and a voltage keeping time period according to the bank selecting signal and the clock signal. The pull-up circuit pulls up a bit-line power according to a first reference voltage within the pull-up time period. The pull-down circuit pulls down the bit-line power according to a second reference voltage within the pull-down time period. The voltage keeping circuit keeps the bit-line power to equal to an output voltage during the voltage keeping time period. The voltage keeping time period is after the pull-up time period and the pull-down time period.

摘要翻译： 静态随机存取存储装置和位线电压控制器包括控制器，上拉电路，下拉电路和保压电路。 控制器接收存储体选择信号和时钟信号，并且根据存储体选择信号和时钟信号确定上拉时间段，下拉时间段和保持时间周期。 上拉电路在上拉时间段内根据第一个参考电压拉出位线电源。 下拉电路在下拉时间段内根据第二参考电压拉低位线电源。 电压保持电路在电压保持时间段期间将位线功率保持为等于输出电压。 电压保持时间段在上拉时间段和下拉时间段之后。

公开(公告)号：US20100289529A1

公开(公告)日：2010-11-18

申请号：US12465071

申请日：2009-05-13

申请人： Yung-Shin Kao ,  Nan-Chun Lien

发明人： Yung-Shin Kao ,  Nan-Chun Lien

IPC分类号： H03K5/00

CPC分类号： H03K17/20 ,  H03K5/19

摘要： A power-on detector and a method thereof are provided. The power-on detector includes four transistors, two resistors, and a comparator. The power-on detector can detect an input voltage and then determine whether the power is turned on or not. The power-on determination is substantially immune to temperature variation. The power-on detector is noise-free and stable in various temperatures.

摘要翻译： 提供了上电检测器及其方法。 上电检测器包括四个晶体管，两个电阻和一个比较器。 上电检测器可以检测输入电压，然后确定电源是否打开。 上电确定基本上不受温度变化的影响。 上电检测器在各种温度下均无噪声且稳定。

公开(公告)号：US08804445B2

公开(公告)日：2014-08-12

申请号：US13484648

申请日：2012-05-31

申请人： Ching-Te Chuang ,  Shyh-Jye Jou ,  Wei Hwang ,  Ming-Chien Tsai ,  Yi-Wei Lin ,  Hao-I Yang ,  Ming-Hsien Tu ,  Wei-Chiang Shih ,  Nan-Chun Lien ,  Kuen-Di Lee

发明人： Ching-Te Chuang ,  Shyh-Jye Jou ,  Wei Hwang ,  Ming-Chien Tsai ,  Yi-Wei Lin ,  Hao-I Yang ,  Ming-Hsien Tu ,  Wei-Chiang Shih ,  Nan-Chun Lien ,  Kuen-Di Lee

IPC分类号： G11C7/04 ,  G11C29/12

CPC分类号： G11C29/12015 ,  G11C7/04 ,  G11C11/41 ,  G11C11/417 ,  G11C29/50 ,  G11C2029/5002 ,  H03K3/0315

摘要： The present invention provides an oscillator which is based on a 6T SRAM for measuring the Bias Temperature Instability. The oscillator includes a first control unit, a first inverter, a second control unit, and a second inverter. The first control unit is coupled with the first inverter. The second control unit is coupled with the second inverter. The first control unit and the second control unit is used to control the first inverter and the second inverter being selected, biased, and connected respectively, so that the NBTI and the PBTI of the SRAM can be measured separately, and the real time stability of the SRAM can be monitored immediately.

摘要翻译： 本发明提供一种基于用于测量偏压温度不稳定性的6T SRAM的振荡器。 振荡器包括第一控制单元，第一反相器，第二控制单元和第二反相器。 第一控制单元与第一逆变器耦合。 第二控制单元与第二逆变器耦合。 第一控制单元和第二控制单元用于分别选择，偏置和连接第一反相器和第二反相器，使得可以分别测量SRAM的NBTI和PBTI，并且实时稳定性 可以立即监视SRAM。

公开(公告)号：US20140009999A1

公开(公告)日：2014-01-09

申请号：US13665941

申请日：2012-11-01

申请人： Ching-Te Chuang ,  Nan-Chun Lien ,  Wei-Nan Liao ,  Chi-Hsin Chang ,  Hao-I Yang ,  Wei Hwang ,  Ming-Hsien Tu

发明人： Ching-Te Chuang ,  Nan-Chun Lien ,  Wei-Nan Liao ,  Chi-Hsin Chang ,  Hao-I Yang ,  Wei Hwang ,  Ming-Hsien Tu

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/413

摘要： A static random access memory apparatus and a bit-line voltage controller thereof are disclosed. The bit-line voltage controller includes a controller, a pull-up circuit, a pull-down circuit and a voltage keeping circuit. The controller receives a bank selecting signal and a clock signal, and decides a pull-up time period, a pull-down time period and a voltage keeping time period according to the bank selecting signal and the clock signal. The pull-up circuit pulls up a bit-line power according to a first reference voltage within the pull-up time period. The pull-down circuit pulls down the bit-line power according to a second reference voltage within the pull-down time period. The voltage keeping circuit keeps the bit-line power to equal to an output voltage during the voltage keeping time period. The voltage keeping time period is after the pull-up time period and the pull-down time period.

摘要翻译： 公开了一种静态随机存取存储器及其位线电压控制器。 位线电压控制器包括控制器，上拉电路，下拉电路和保压电路。 控制器接收存储体选择信号和时钟信号，并且根据存储体选择信号和时钟信号确定上拉时间段，下拉时间段和保持时间周期。 上拉电路在上拉时间段内根据第一个参考电压拉出位线电源。 下拉电路在下拉时间段内根据第二参考电压拉低位线电源。 电压保持电路在电压保持时间段期间将位线功率保持为等于输出电压。 电压保持时间段在上拉时间段和下拉时间段之后。

公开(公告)号：US20130301343A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：US13597733

申请日：2012-08-29

申请人： Ching-Te Chuang ,  Shyh-Jye Jou ,  Geng-Cing Lin ,  Shao-Cheng Wang ,  Yi-Wei Lin ,  Ming-Chien Tsai ,  Wei-Chiang Shih ,  Nan-Chun Lien ,  Kuen-Di Lee ,  Jyun-Kai Chu

发明人： Ching-Te Chuang ,  Shyh-Jye Jou ,  Geng-Cing Lin ,  Shao-Cheng Wang ,  Yi-Wei Lin ,  Ming-Chien Tsai ,  Wei-Chiang Shih ,  Nan-Chun Lien ,  Kuen-Di Lee ,  Jyun-Kai Chu

IPC分类号： G11C11/40

CPC分类号： G11C29/50004 ,  G11C11/41 ,  G11C29/12005

摘要： A threshold voltage measurement device is disclosed. The device is coupled to a 6T SRAM. The SRAM comprises two inverters each coupled to a FET. Power terminals of one inverter are in a floating state; the drain and source of the FET coupled to the inverter are short-circuited. Two voltage selectors, a resistor, an amplifier and the SRAM are connected in a negative feedback way. Different bias voltages are applied to the SRAM for measuring threshold voltages of two FETs of the other inverter and the FET coupled to the other inverter. The present invention uses a single circuit to measure the threshold voltages of the three FETs without changing the physical structure of the SRAM. Thereby is accelerated the measurement and decreased the cost of the fabrication process and measurement instruments.

摘要翻译： 公开了一种阈值电压测量装置。 该器件耦合到6T SRAM。 SRAM包括两个各自耦合到FET的反相器。 一个逆变器的电源端子处于浮动状态; 耦合到逆变器的FET的漏极和源极短路。 两个电压选择器，电阻，放大器和SRAM以负反馈的方式连接。 不同的偏置电压被施加到SRAM，用于测量另一个反相器的两个FET和耦合到另一个反相器的FET的阈值电压。 本发明使用单个电路来测量三个FET的阈值电压，而不改变SRAM的物理结构。 从而加快了测量并降低了制造过程和测量仪器的成本。

公开(公告)号：US20130222071A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：US13484648

申请日：2012-05-31

申请人： Ching-Te Chuang ,  Shyh-Jye Jou ,  Wei Hwang ,  Ming-Chien Tsai ,  Yi-Wei Lin ,  Hao-I Yang ,  Ming-Hsien Tu ,  Wei-Chiang Shih ,  Nan-Chun Lien ,  Kuen-Di Lee

发明人： Ching-Te Chuang ,  Shyh-Jye Jou ,  Wei Hwang ,  Ming-Chien Tsai ,  Yi-Wei Lin ,  Hao-I Yang ,  Ming-Hsien Tu ,  Wei-Chiang Shih ,  Nan-Chun Lien ,  Kuen-Di Lee

IPC分类号： H03K3/36

CPC分类号： G11C29/12015 ,  G11C7/04 ,  G11C11/41 ,  G11C11/417 ,  G11C29/50 ,  G11C2029/5002 ,  H03K3/0315

摘要： The present invention provides an oscillator which is based on a 6T SRAM for measuring the Bias Temperature Instability. The oscillator includes a first control unit, a first inverter, a second control unit, and a second inverter. The first control unit is coupled with the first inverter. The second control unit is coupled with the second inverter. The first control unit and the second control unit is used to control the first inverter and the second inverter being selected, biased, and connected respectively, so that the NBTI and the PBTI of the SRAM can be measured separately, and the real time stability of the SRAM can be monitored immediately.

摘要翻译： 本发明提供一种基于用于测量偏压温度不稳定性的6T SRAM的振荡器。 振荡器包括第一控制单元，第一反相器，第二控制单元和第二反相器。 第一控制单元与第一逆变器耦合。 第二控制单元与第二逆变器耦合。 第一控制单元和第二控制单元用于分别选择，偏置和连接第一反相器和第二反相器，使得可以分别测量SRAM的NBTI和PBTI，并且实时稳定性 可以立即监视SRAM。