公开(公告)号：US20100213561A1

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：US12775084

申请日：2010-05-06

申请人： Solomon Assefa ,  Stephen Walter Bedell ,  Yurii A. Vlasov ,  Fengnian Xia

发明人： Solomon Assefa ,  Stephen Walter Bedell ,  Yurii A. Vlasov ,  Fengnian Xia

IPC分类号： H01L31/0232

CPC分类号： H01L31/1808 ,  G02B6/12004 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1812 ,  Y02E10/50

摘要： An optoelectronic device comprises a photodetector feature, an interfacial layer disposed above at least a portion of the photodetector feature, and a vertical contact disposed on at least a portion of the interfacial layer. The photodetector feature comprises germanium and is operative to convert a light signal into an electrical signal. The interfacial layer comprises nickel. Finally, the vertical contact is operative to transmit the electrical signal from the photodetector feature.

摘要翻译： 光电子器件包括光电检测器特征，设置在光电检测器特征的至少一部分上方的界面层，以及设置在界面层的至少一部分上的垂直接触。 光电检测器特征包括锗并且可操作以将光信号转换成电信号。 界面层包括镍。 最后，垂直接触可操作地从光电检测器特征传输电信号。

公开(公告)号：US07999344B2

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：US12775084

申请日：2010-05-06

申请人： Solomon Assefa ,  Stephen Walter Bedell ,  Yurii A. Vlasov ,  Fengnian Xia

发明人： Solomon Assefa ,  Stephen Walter Bedell ,  Yurii A. Vlasov ,  Fengnian Xia

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L31/1808 ,  G02B6/12004 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1812 ,  Y02E10/50

摘要： An optoelectronic device comprises a photodetector feature, an interfacial layer disposed above at least a portion of the photodetector feature, and a vertical contact disposed on at least a portion of the interfacial layer. The photodetector feature comprises germanium and is operative to convert a light signal into an electrical signal. The interfacial layer comprises nickel. Finally, the vertical contact is operative to transmit the electrical signal from the photodetector feature.

摘要翻译： 光电子器件包括光电检测器特征，设置在光电检测器特征的至少一部分上方的界面层，以及设置在界面层的至少一部分上的垂直接触。 光电检测器特征包括锗并且可操作以将光信号转换成电信号。 界面层包括镍。 最后，垂直接触可操作地从光电检测器特征传输电信号。

公开(公告)号：US20090108384A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：US11925170

申请日：2007-10-26

申请人： Solomon Assefa ,  Stephen Walter Bedell ,  Yurii A. Vlasov ,  Fengnian Xia

发明人： Solomon Assefa ,  Stephen Walter Bedell ,  Yurii A. Vlasov ,  Fengnian Xia

IPC分类号： H01L31/028 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1808 ,  G02B6/12004 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1812 ,  Y02E10/50

摘要： An optoelectronic device comprises a photodetector feature, an interfacial layer disposed above at least a portion of the photodetector feature, and a vertical contact disposed on at least a portion of the interfacial layer. The photodetector feature comprises germanium and is operative to convert a light signal into an electrical signal. The interfacial layer comprises nickel. Finally, the vertical contact is operative to transmit the electrical signal from the photodetector feature.

摘要翻译： 光电子器件包括光电检测器特征，设置在光电检测器特征的至少一部分上方的界面层，以及设置在界面层的至少一部分上的垂直接触。 光电检测器特征包括锗并且可操作以将光信号转换成电信号。 界面层包括镍。 最后，垂直接触可操作地从光电检测器特征传输电信号。

公开(公告)号：US07790495B2

公开(公告)日：2010-09-07

申请号：US11925170

申请日：2007-10-26

申请人： Solomon Assefa ,  Stephen Walter Bedell ,  Yurii A. Vlasov ,  Fengnian Xia

发明人： Solomon Assefa ,  Stephen Walter Bedell ,  Yurii A. Vlasov ,  Fengnian Xia

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L31/1808 ,  G02B6/12004 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1812 ,  Y02E10/50

摘要： An optoelectronic device comprises a photodetector feature, an interfacial layer disposed above at least a portion of the photodetector feature, and a vertical contact disposed on at least a portion of the interfacial layer. The photodetector feature comprises germanium and is operative to convert a light signal into an electrical signal. The interfacial layer comprises nickel. Finally, the vertical contact is operative to transmit the electrical signal from the photodetector feature.

摘要翻译： 光电子器件包括光电检测器特征，设置在光电检测器特征的至少一部分上方的界面层，以及设置在界面层的至少一部分上的垂直接触。 光电检测器特征包括锗并且可操作以将光信号转换成电信号。 界面层包括镍。 最后，垂直接触可操作地从光电检测器特征传输电信号。